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公开(公告)号：CN118637924A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411116576.4
申请日：2024-08-15
申请人： 军瓷电子材料河北有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及陶瓷基板技术领域，提出了一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法，氮化铝陶瓷基板的原料包括氮化铝粉和烧结助剂；烧结助剂包括钙的化合物、组分A；组分A包括镱的化合物、镧的化合物、铕的化合物中的两种或三种。通过上述技术方案，解决了相关技术中的氮化铝陶瓷基板的弯曲强度和导热系数较低的问题。
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公开(公告)号：CN118619709A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410488299.3
申请日：2024-04-23
申请人： 海南大学
IPC分类号： C04B38/10 , C04B35/591 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/83
摘要： 本发明属于氮化物陶瓷及其导热复合材料技术领域，公开了一种复合形貌氮化硅/聚合物复合材料及其制备方法。所述制备方法为：将硅源、固体氮源、烧结助剂及分散剂在溶剂中混匀，得到含硅悬浊液；将发泡剂加入到溶剂中配制发泡液，然后将发泡液倒入含硅悬浊液中搅拌发泡，再在空气中静置干燥，得到含硅原料粉体骨架；将所得含硅原料粉体骨架在含氮气氛条件下进行原位氮化反应烧结，得到复合形貌氮化硅骨架；最后采用树脂浸渗液对所得复合形貌氮化硅骨架进行真空浸渗和固化处理，得到复合形貌氮化硅/聚合物复合材料。本发明所得复合形貌氮化硅/聚合物复合材料具有优良的导热性能和良好的力学性能。
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公开(公告)号：CN118619701A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410772711.4
申请日：2024-06-14
申请人： 湖南大学
摘要： 本申请涉及碳复合材料技术领域，特别是涉及一种短切碳纤维保温毡的制备方法与应用。所述制备方法，包括：将交联剂、单体加入到水中搅拌均匀，加入引发剂，得到混合溶液1；将聚丙烯酰胺加入到水中搅拌均匀，得到聚丙烯酰胺溶液，将其与步骤S1的混合溶液1搅拌均匀，得到混合溶液2；将水溶性糖类加入到水中搅拌均匀，得到水溶性糖溶液；将短切纤维、水溶性糖溶液、混合溶液2混合，得到糊料；置于模具中，进行干燥，然后冷却脱模，得到预制胚体；对预制胚体依次进行预炭化、炭化，得到低密度碳粘结碳纤维复合材料。采用本方法简便易行，制备出的材料兼具低密度、高强度、纯度高、隔热性能好、多孔率等优异性能。
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公开(公告)号：CN118619695A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410695043.X
申请日：2024-05-31
申请人： 西安国大新材料科技有限公司
发明人： 黎茜
IPC分类号： C04B35/78 , C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/64 , C04B35/638
摘要： 本申请涉及一种同相增韧型氮化铝陶瓷及其制备方法。该方法包括向100重量份的用于制备氮化铝陶瓷基体的原料中添加1‑50重量份的增韧剂形成坯体浆料；对坯体浆料进行干法成型工艺或湿法成型工艺得到生坯；生坯经300‑700℃排胶得到素坯；在1600℃‑1900℃的温度范围内，在保护性气氛中烧结素坯持续1h‑9h，即得到同相增韧型氮化铝陶瓷；原料包括92‑97重量份的氮化铝粉末和3‑8重量份的烧结剂；增韧剂选自氮化铝晶须、氮化铝纳米线以及氮化铝颗粒中的一种或多种。本申请的方法显著提高了氮化铝陶瓷的韧性、强度和热导率。
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公开(公告)号：CN118598677A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410815772.4
申请日：2024-06-24
申请人： 北京七星飞行电子有限公司
IPC分类号： C04B35/64
摘要： 本发明涉及一种防止陶瓷烧结时与承烧体反应产生孔洞的方法,其是将生坯放置完成后，在生坯上覆盖氧化锆粉后再装承烧板进行烧制。本发明提供的一种防止陶瓷烧结时与承烧体反应产生孔洞的方法，其通过在生坯上覆盖氧化锆粉的工艺，解决了瓷体表面产生孔洞的问题，减少烧结过程中瓷体缺陷，提高了产品耐压性能，提高了产品的合格率，提高了产能。
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公开(公告)号：CN118580080A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410851801.2
申请日：2024-06-27
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及了一种低温制备高致密度氮化硼陶瓷材料的方法。以微米片状六方氮化硼粉体为原料，添加少量硼酸水溶液，通过室温压制成型和低温无压烧结，促进片状氮化硼粉末的晶粒结构重排和低温烧结致密化，获得高致密度氮化硼陶瓷(密度≥1.90g/cm3)。本发明的方法具有工艺简单、成本低等特点，可用于大尺寸高致密度氮化硼陶瓷的制备，所制备的氮化硼陶瓷具有纯度高、致密度高的特点。
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公开(公告)号：CN118561597A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410545883.8
申请日：2024-05-06
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/64 , C04B35/645
摘要： 本发明公开一种基于一体化液相烧结助剂的SiC陶瓷及其制备方法，所述一体化液相烧结助剂为AlON‑RE2O3复合体系，其中RE2O3纳米颗粒附着在AlON亚微米颗粒表面。本发明的助剂与SiC原料混合后在高温烧结过程中，不同位置SiC颗粒所处的Al‑RE‑Si‑O‑N液相环境(组成/含量)相同，因而烧结过程中液相传质与溶解‑析出的致密化过程保持统一，由此制备得到的SiC陶瓷晶粒的尺寸均匀细化。本发明只需很少的助剂添加量(1wt％‑3wt％)即可实现SiC陶瓷的致密化(相对密度大于99％)，并有效减少了液相烧结常见的晶间物相，SiC陶瓷的晶界干净，因此有利于提高SiC陶瓷制品的高温力学性能与导热性能。
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公开(公告)号：CN118561592A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411051586.4
申请日：2024-08-01
申请人： 广州创天电子科技有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/232 , H01G4/008 , C04B35/626 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及陶瓷电容器技术领域，具体涉及一种陶瓷电容器材料、制备方法及多层陶瓷片式电容器。陶瓷电容器材料包括(Ba1‑xSrx)TiO3、添加剂和烧结助剂，添加剂包括MnCO3、CaCO3和R氧化物；MnCO3与(Ba1‑xSrx)TiO3摩尔比1.0%~3.0%，CaCO3与(Ba1‑xSrx)TiO3摩尔比5.0%~7.0%，R氧化物与(Ba1‑xSrx)TiO3摩尔比0.5%~2.0%，0.1
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公开(公告)号：CN118553534A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410642944.2
申请日：2024-05-23
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/12 , H01G4/008 , C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64
摘要： 一种低成本储能多层陶瓷电容器及其用陶瓷介质材料、制备方法，陶瓷介质材料其组成与百分比含量为：[awt％(Sr1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3+bwt％(10SiO2‑Al2O3‑zH3BO3)]，主基材为(Sr1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3，烧结助剂为SiO2‑Al2O3‑H3BO3，其中，90＜a＜98，2＜b＜10，0.5＜z＜1.5，制备时，采用超声辅助溶胶‑凝胶法合成Si和B掺杂的介孔Al2O3纳米颗粒作为烧结助剂，并通过超声分布于主基材的表面；有效束缚了主基材晶粒的长大，进而得到晶粒尺寸可控，分布均一的陶瓷介质粉料，该瓷粉可匹配贱金属电极，同时在保证优异电性能的基础上，改善了电容器的偏压特性。
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公开(公告)号：CN118530007A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410763883.5
申请日：2024-06-14
申请人： 先导薄膜材料(淄博)有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/24 , C23C14/08
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种蒸镀材料的制备方法，包括如下步骤：混合氧化铟粉末和三氧化钨粉末、一次烧结、加水、压制，得到胚体，使用包覆料掩埋胚体、二次烧结，即得到所述蒸镀材料。本发明提供的制备方法工艺简单，相对现有技术而言，耗能低、生产成本低，有利于推广和市场化，煅烧胚体前使用包覆料掩埋胚体，避免三氧化钨失氧导致IWO材料在烧结过程中出现色差。此外，本发明还提供上述制备方法制得的蒸镀材料。
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