公开(公告)号：CN117097293B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311074978.8

申请日：2023-08-24

申请人： 常州承芯半导体有限公司

发明人： 郭荣 ,  邹雅丽 ,  杨新宇 ,  汤正杰

IPC分类号： H03H9/25 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72 ,  H03H3/08

摘要： 一种声表面波谐振装置及其形成方法、滤波器、双工器，其中装置包括：压电层；位于压电层上的电极结构，电极结构包括第一总线和第二总线，第一总线连接若干沿第二方向排布的第一电极条，第二总线连接若干沿第二方向排布的第二电极条；第一电极条和第二电极条分别包括若干主线部、以及至少一个折线部，折线部包括第一端和第二端，主线部与折线部的第一端或第二端连接，且主线部和折线部之间具有连接夹角，沿第二方向，若干折线部的中心呈周期性排布。通过折线部改变声波能量在沿第一方向传播中的边界条件，从而使其传播路径发生改变，进而有效抑制声波能量由重合区至第一间隔区或第二间隔区所产生的横向寄生模态。

公开(公告)号：CN112422100B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202010798538.7

申请日：2020-08-10

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 大久保功太

IPC分类号： H03H9/70 ,  H03H9/72 ,  H03H9/52 ,  H03H9/54 ,  H03H9/64

摘要： 本发明提供一种能够抑制带通滤波器的通过特性的劣化的分波器。分波器具备：带通滤波器，在第1端子与连接于天线的公共端子之间，使给定的频带的信号通过；以及带阻滤波器，在第2端子与公共端子之间，使给定的频带的信号衰减，带阻滤波器具备：多个谐振器，串联连接在第2端子与公共端子之间的线路，多个谐振器包含：第1谐振器，谐振频率最低；以及第2谐振器，设置在比第1谐振器靠公共端子侧。

公开(公告)号：CN118176665A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072783.7

申请日：2022-11-02

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 高田俊明

IPC分类号： H03H9/64 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

摘要： 本发明提供一种在一部分的串联臂谐振器的谐振频率位于通带外的结构中能够抑制该谐振频率附近的衰减量变差的滤波器装置。滤波器装置(1)具备多个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器，多个串联臂谐振器具有至少一个第1串联臂谐振器(S1)和至少一个第1串联臂谐振器(S1)以外的至少一个第2串联臂谐振器(S2)，第1串联臂谐振器(S1)的谐振频率位于比滤波器装置(1)的通带靠高频侧，第2串联臂谐振器(S2)具有至少两个串联臂谐振器(S2‑1～S2‑3)串联地连接的串联连接结构，至少两个串联臂谐振器(S2‑1～S2‑3)的反谐振频率不同，第1串联臂谐振器(S1)的谐振频率位于第2串联臂谐振器(S2)中的最靠低频率侧的串联臂谐振器的反谐振频率与最靠高频率侧的串联臂谐振器的反谐振频率之间。

公开(公告)号：CN112688662B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202011044837.8

申请日：2020-09-28

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 是枝俊成

IPC分类号： H03H9/64 ,  H03H9/72 ,  H04B1/40

摘要： 提供能够抑制由附加电路引起的通过特性的劣化的滤波器装置以及多工器。滤波器装置(100)具备：滤波器(10)，设置于输入输出端子(31)与输入输出端子(32)之间；和附加电路(11)，与滤波器(10)并联连接，滤波器(10)具备：至少2个弹性波谐振器，形成滤波器(10)的通带，附加电路(11)具备：纵向耦合型谐振器(M1)；和电容器(C1)，连接于纵向耦合型谐振器(M1)与输入输出端子(31)之间，形成电容器(C1)的梳齿电容电极的电容小于形成至少2个弹性波谐振器之中的至少1个弹性波谐振器的IDT电极的电容，形成电容器(C1)的梳齿电容电极的面积小于形成至少1个弹性波谐振器的IDT电极的面积。

公开(公告)号：CN112204881B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201980036534.0

申请日：2019-06-04

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 高田俊明

IPC分类号： H03H9/72 ,  H03H7/46 ,  H03H9/25

摘要： 多工器(1)具备：公共端子(100)；接收滤波器(15)，与公共端子(100)连接；布线(21)，对公共端子(100)和接收滤波器(15)进行连接；发送滤波器(16)，与布线(21)上的连接节点(n5)连接；接收滤波器(13)，与布线(21)上的连接节点(n4)连接；布线(22)，对连接节点(n5)和发送滤波器(16)进行连接；布线(23)，对连接节点(n4)和接收滤波器(13)进行连接；以及电感器(31)，连接在布线(21)中的从连接节点(n5)到接收滤波器(15)的布线区域与接地之间，或连接在布线(22)与接地之间，在布线(21)中，从公共端子(100)到连接节点(n5)的长度比从公共端子(100)到连接节点(n4)的长度长。

公开(公告)号：CN117833864B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410253397.9

申请日：2024-03-06

申请人： 成都频岢微电子有限公司

发明人： 安建光 ,  安虹瑾 ,  何宇 ,  董元旦

IPC分类号： H03H9/72 ,  H05K7/20 ,  H03H9/64

摘要： 本发明公开了一种改善双工器功率容量的方法，在不改变双工器产品版图大小的情况下，通过在基板上增加不与其他金属连接的金属孤岛区域，以增加热功率的传导面积，从而快速起到散热作用。本发明利用热传导的原理，增大了双工器中信号线的散热面积，快速的将热量传递到外置金属上，在不影响产品性能，且不额外增加双工器产品尺寸的情况下，实现了功率容量的改善。

公开(公告)号：CN117938115A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410326004.2

申请日：2024-03-21

申请人： 成都频岢微电子有限公司

发明人： 许夏茜 ,  安虹瑾 ,  安建光 ,  董元旦

IPC分类号： H03H9/72 ,  H03H9/64

摘要： 本发明涉及通信用滤波类器件领域，公开了一种双工器，包括天线端口、发射端口和接收端口，以及设置于天线端口与发射端口之间的发射滤波器、设置于天线端口与接收端口之间的接收滤波器；所述发射滤波器中至少一个谐振器的传输线与所述接收滤波器中一个谐振器的传输线相邻，且相邻的传输线之间设置隔离装置。本发明通过在发射滤波器与接收滤波器的相邻谐振器的传输线之间设置隔离装置，可以有效减弱发送滤波器与接收滤波器之间的耦合，在不恶化损耗的前提下，优化双工器隔离度。

公开(公告)号：CN117917005A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280058977.1

申请日：2022-08-31

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 伊藤干

IPC分类号： H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

摘要： 弹性波元件具有由压电晶体构成的压电层、和位于压电层的上表面并具备多个电极指的I DT电极。若将多个电极指的重复间隔定义为p，将所述压电层的厚度定义为D1，则压电层的标准化厚度D1/p与所述I DT电极的占空比d是由0.166≤d×D1/p≤0.241(1)表示的关系。

公开(公告)号：CN113228509B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201980085485.X

申请日：2019-11-19

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 长田淳仁 ,  中桥宪彦

IPC分类号： H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

摘要： 提供一种能在不导致公共连接的一个带通型滤波器的滤波器特性的劣化的情况下抑制由瑞利波造成的响应对另一个带通型滤波器的通带的影响且滤波器特性优异的滤波器装置。滤波器装置(10)具备：公共连接端子(3)；第1带通型滤波器(1)，与公共连接端子(3)连接，具有电感器(L)；第2带通型滤波器(2)，与公共连接端子(3)连接，通带位于比第1带通型滤波器(1)靠低频侧。滤波器装置(10)利用SH波。第1带通型滤波器(1)是梯型滤波器。串联臂谐振器(S1～S4)及并联臂谐振器(P1～P4)分别具有IDT电极。在第1带通型滤波器(1)的并联臂谐振器(P1～P4)之中IDT电极的电极指间距最小的并联臂谐振器(P1)串联连接有电感器(L)。

公开(公告)号：CN117795852A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280047825.1

申请日：2022-07-08

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 金泽富夫

IPC分类号： H03H9/145 ,  H03H9/72 ,  H03H9/64 ,  H03H9/25

摘要： 在弹性波装置中，多个第二电极指连接于与多个第一电极指不同的电位，且在弹性波传播方向与多个第一电极指交替地排列。弹性波装置具有多个第一电极指与多个第二电极指在弹性波传播方向重合的交叉区域。交叉区域具有第一区域～第三区域。第一区域位于多个第一电极指的远端侧。第二区域相比于第一区域位于多个第一电极指以及多个第二电极指延伸的方向的中央侧，且声速比第一区域的声速高。第三区域相比于第二区域位于上述中央侧，且声速比第二区域的声速高。