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    Vertical MOS type semiconductor device
    1.
    发明公开
    Vertical MOS type semiconductor device 失效
    垂直MOS型半导体器件

    公开(公告)号：EP0778620A2

    公开(公告)日：1997-06-11

    申请号：EP96119619.3

    申请日：1996-12-06

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Tsunoda, Tetsujiro ,  Ito, Takahiro ,  Takashita, Masakatsu

    IPC分类号： H01L27/02

    CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L29/7395

    摘要： In an IGBT with a current sensing function having a plurality of principal current cells and at least one current sensing cell, a P-type base region (14b) of the current sensing cell in a current sensing cell region (22) is formed larger than a P-type base region (14a) of the principal current cell in a principal current cell region (21). The IGBT is so constituted that the influence of temperature characteristic of parasitic resistor (RN - ) between the principal current cells and current sensing cell upon detected current can be eliminated and the same interval (L) between the P-type base regions (14a, 14b) can be set for all the cells.

    摘要翻译： 在具有具有多个主电流单元和至少一个电流感测单元的电流感测功能的IGBT中，电流感测单元区域（22）中的电流感测单元的P型基极区域（14b）形成为大于 主电流单元区域（21）中的主电流单元的P型基极区域（14a）。 IGBT的构成使得主电流单元和电流检测单元之间的寄生电阻（RN-）的温度特性对检测电流的影响可以消除，并且P型基区（14a， 14b）可以为所有单元格设置。