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    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Halbleiter-Kontakts
    2.
    发明公开
    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Halbleiter-Kontakts 有权

    公开(公告)号：EP2568508A1

    公开(公告)日：2013-03-13

    申请号：EP12191953.4

    申请日：2008-06-12

    申请人： SCHOTT Solar AG

    发明人： Wildpanner, Bernd ,  Von Campe, Dr., Hilmar ,  Buss, Werner

    IPC分类号： H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/12708

    摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement, umfassend eine aus Halbleitermaterial bestehende erste Schicht (10), wie Substrat, eine auf dieser verlaufende zweite Schicht, mindestens zwei zwischen der ersten und zweiten Schicht verlaufende aus den Materialien der ersten und zweiten Schicht ausgebildete Zwischenschichten (14,16), wobei die der zweiten Schicht (12) zugewandte erste Zwischenschicht (16) ein eutektisches Gemisch (18) aus den Materialien der ersten und der zweiten Schicht enthalten kann, sowie einen eine elektrisch leitende Verbindung mit der ersten Schicht bildenden und von der zweiten Schicht ausgehenden oder diese durchsetzenden elektrisch leitenden Kontakt (15) sowie auf ein Verfahren zur Herstellung des Metall-Halbleiter-Kontaktes. Um einen mechanisch haltbaren, elektrisch einwandfrei lösbaren Kontakt im Bereich des Materials der zweiten Schicht zu erzeugen, wird vorgeschlagen, dass der elektrisch leitende Kontakt ein lötbares oder metallisch benetzbares Material umfasst, das in der zweiten Schicht einlegiert ist oder mit dem Material der zweiten Schicht ein Gemenge bildet.

    摘要翻译： 该器件具有由半导体材料制成的层（10），即衬底，以及在前一层上运行的另一层（12）。 两层中间层（14,16）形成并在两层之间运行。 面向层（12）的层（16）含有共晶混合物。 与层（10）形成导电连接，并且导电接触（15）从层（12）穿透。 接触件具有可焊接或金属可润湿的材料，其被合金化在层（12）中或与层（12）的材料形成混合物。 还包括用于制造金属半导体触点的方法的独立权利要求。