公开(公告)号：EP2819154A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP13173380.0

申请日：2013-06-24

申请人： IMEC VZW ,  Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Lee, Seung Hun ,  Witters, Liesbeth ,  Loo, Roger

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1054

摘要： The present invention relates to a method (100) for forming a strained semiconductor structure (212, 312). The method comprises providing (102) a strain relaxed buffer layer (204), forming (104) a sacrificial layer (206, 306) on said strain relaxed buffer layer (204), forming (106) a shallow trench isolation structure (208) through said sacrificial layer (206, 306), removing (108) at least a portion (210) of an oxide layer on said sacrificial layer (206, 306), etching (110) through said sacrificial layer (206, 306) such that a portion of said strain relaxed buffer layer (204) is exposed (110), forming said strained semiconductor structure (212, 312) on said exposed portion (210) of said strain relaxed buffer layer (204).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于形成应变半导体结构（212,312）的方法（100）。 该方法包括提供（102）应变松弛缓冲层（204），在所述应变松弛缓冲层（204）上形成（104）牺牲层（206,306），形成（106）浅沟槽隔离结构（208） 通过所述牺牲层（206,306），去除（108）所述牺牲层（206,306）上的氧化物层的至少一部分（210），通过所述牺牲层（206,306）蚀刻（110），使得 所述应变松弛缓冲层（204）的一部分被暴露（110），在所述应变松弛缓冲层（204）的所述暴露部分（210）上形成所述应变半导体结构（212,312）。