专利检索 ap:("IQE Plc.") AND inv:"CLARK, Andrew" 第 2 页

11.

发明公开
A PNICTIDE NANOCOMPOSITE STRUCTURE FOR LATTICE STABILIZATION 审中-公开

公开(公告)号：EP3924998A1

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：EP20704511.3

申请日：2020-02-07

申请人： IQE plc

发明人： CLARK, Andrew , PELZEL, Rodney , DEBNATH, Mukul , DARGIS, Rytis , YANKA, Robert

IPC分类号： H01L21/02

12.

发明公开
III-N TO RARE EARTH TRANSITION IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开

公开(公告)号：EP3884511A1

公开(公告)日：2021-09-29

申请号：EP19809034.2

申请日：2019-11-20

申请人： IQE plc

发明人： DARGIS, Rytis , CLARK, Andrew , PELZEL, Rodney , LEBBY, Michael , YANKA, Robert

IPC分类号： H01L21/02

13.

发明公开
INTEGRATED EPITAXIAL METAL ELECTRODES 审中-公开

公开(公告)号：EP3516681A1

公开(公告)日：2019-07-31

申请号：EP17778430.3

申请日：2017-09-21

申请人： IQE, PLC

发明人： PELZEL, Rodney , CLARK, Andrew , DARGIS, Rytis , CHIN, Patrick , LEBBY, Michael

IPC分类号： H01L21/02

14.

发明公开
GROUP III SEMICONDUCTOR EPITAXY FORMED ON SILICON VIA SINGLE CRYSTAL REN AND REO BUFFER LAYERS 审中-公开

公开(公告)号：EP3443582A1

公开(公告)日：2019-02-20

申请号：EP17719432.1

申请日：2017-04-10

申请人： IQE, Plc.

发明人： DARGIS, Rytis , CLARK, Andrew , LEBBY, Michael , PELZEL, Rodney

IPC分类号： H01L21/20