利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

258 条记录 (耗时 0.013 秒)

    Oxonitride der Formel LnTaON2 mit erhöhter Farbbrillanz, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
    34.
    发明公开
    Oxonitride der Formel LnTaON2 mit erhöhter Farbbrillanz, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung 失效
    式LnTaON2的Oxonitrides具有增加的颜色的亮度，方法及其制备方法和它们的用途。

    公开(公告)号：EP0627382A2

    公开(公告)日：1994-12-07

    申请号：EP94106298.6

    申请日：1994-04-22

    申请人： CERDEC AKTIENGESELLSCHAFT KERAMISCHE FARBEN

    发明人： Jansen, Martin, Prof. ,  Letschert, Hans-Peter ,  Speer, Dietrich, Dr.

    IPC分类号： C01B21/082 ,  C08K3/28 ,  C09C1/00 ,  C09D17/00

    CPC分类号： C01B21/0821 ,  C01P2002/34 ,  C01P2006/60 ,  C08K3/28

    摘要： Oxonitride mit Perowskitstruktur der allgemeinen Formel LnTaON₂, worin Ln für ein Seltenerdelement steht, sind bekannt und lassen sich durch Glühen eines Pulvergemischs aus einer Ta(V)verbindung und einer Ln-Verbindung in ammoniakhaltiger reduzierender Atmosphäre herstellen.
    Erfindungsgemäß lassen sich derartige Oxonitride mit erhöhter Farbbrillanz herstellen, indem das zu glühende Pulvergemisch zusätzlich einen Mineralisator aus der Reihe der Alkali- oder Erdalkalihalogenide, Na₃AlF₆, Na₂SiF₆, AlF₃ oder der Ammoniumsalze der Kohlensäure oder einer Mono- oder Dicarbonsäure mit 1 bis 4 C-Atomen in einer Menge von 0,1 bis 10 Gewichtsteilen, bezogen auf 1 Gewichtsteil des Gemischs aus der Ta- und Ln-Verbindung, enthält.
    Oxonitride der Formel LnTaON₂, insbesondere erfindungsgemäß hergestellte Oxonitride, lassen sich als gelborange bis rotbraune Farbpigmente verwenden.

    摘要翻译： 具有通式LnTaON2的钙钛矿结构，其中LN代表稀土元素，是已知的，并且可以通过煅烧的Ta（V）化合物的粉末混合物来制备，并且在还原含有氨的气氛中LN化合物以产生Oxonitrides。 具有增加的光彩这样oxonitrides可以是根据由待退火的粉末混合物制备的本发明还包含从系列碱金属或碱土金属卤化物，Na3AlF6，Na2SiF6，氟化铝或碳原子数1〜4的碳酸或单 - 或二羧酸的铵盐的矿化剂 在基于1重量份的含有Ta和LN化合物的混合物的0.1至10重量份的量存在。 式Oxonitrides LnTaON2，特别是根据本发明制备的oxonitrides，可用于红棕色颜料，为黄 - 橙色。

    Single crystals of xSiC.(1-x)AlN
    38.
    发明公开
    Single crystals of xSiC.(1-x)AlN 失效
    （1-x）AlN。

    公开(公告)号：EP0069206A1

    公开(公告)日：1983-01-12

    申请号：EP82103555.7

    申请日：1982-04-27

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Rutz, Richard Frederick

    IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C04B35/58 ,  C01B21/082

    CPC分类号： C30B25/02 ,  C04B35/581 ,  C30B29/10 ,  C30B29/38 ,  Y10S117/902

    摘要： One or more single crystals (4) having a composition xSiC.(1-x)AfN where x is 0.2 to 0.5, are formed epitaxially on a substrate (5) of Al z O 3 by heating sources of SiC (7) and AIN (8), disposed close to the substrate, at a temperature between 1900 and 2020°C in the presence of N 2 and H 2 directed to flow over the sources of SiC and AIN towards the substrate.

    摘要翻译： 通过SiC（7）和AlN（...）的加热源，在Al 2 O 3的基板（5）上外延地形成具有xSiC（1-x）A 1 N（1-x）A 1 N，其中x为0.2至0.5的一种或多种单晶（4） 8），在N2和H2的存在下在1900和2020℃之间的温度下靠近衬底放置，以便流过SiC和AlN源朝向衬底。