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    半導体装置、及びダイナミックロジック回路
    104.
    发明专利
    半導体装置、及びダイナミックロジック回路 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020042892A

    公开(公告)日：2020-03-19

    申请号：JP2018217871

    申请日：2018-11-21

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 熱海 知昭 ,  加藤 清 ,  前田 修平

    IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/786 ,  G11C11/408 ,  G11C8/08 ,  G11C11/405

    摘要： 【課題】動作速度が向上された半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は書込みワード線、読出しワード線、書込みビット線、読出しビット線、第1配線、及びメモリセルを有する。メモリセルは、同じ導電型の第1乃至第3トランジスタ、及び容量素子を有する。第1乃至第3トランジスタのゲートは、書込みワード線、容量素子の第1端子、読出しワード線にそれぞれ電気的に接続される。容量素子の第2端子は、読出しビット線に電気的に接続される。第1トランジスタのソース及びドレインの一方は書込みビット線に電気的に接続され、他方は第2トランジスタのゲートに電気的に接続される。第2トランジスタ及び第3トランジスタは、読出しビット線と第1配線との間に電気的に直列に接続される。第1乃至第3トランジスタのチャネル形成領域は、例えば、金属酸化物層を有する。 【選択図】図5

    記憶装置
    106.
    发明专利
    記憶装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020038977A

    公开(公告)日：2020-03-12

    申请号：JP2019194063

    申请日：2019-10-25

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 加藤 清 ,  大貫 達也

    IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  G11C5/02 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4097 ,  H01L21/8242

    摘要： 【課題】消費電力を低減した記憶装置を提供する。 【解決手段】記憶装置は、センスアンプと、ビット線と、メモリセルと、第1トランジス タと、を有し、ビット線は、センスアンプが設けられた層上に設けられ、メモリセルは、 ビット線が設けられた層上に設けられ、メモリセルは、第2トランジスタと、容量素子と 、を有する。センスアンプとビット線は、第1トランジスタを介して、電気的に接続され る。センスアンプは、少なくとも1層の導電体を有してもよい。 【選択図】図1

    半導体装置の作製方法
    107.
    发明专利
    半導体装置の作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020017743A

    公开(公告)日：2020-01-30

    申请号：JP2019161419

    申请日：2019-09-04

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 加藤 清 ,  長塚 修平 ,  井上 広樹 ,  松嵜 隆徳

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/477 ,  H01L21/336

    摘要： 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、下部に第1の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に第2の半導体材料を用いたトランジスタ162を有する。トランジスタ160は、半導体材料を含む基板100に設けられたチャネル形成領域116と、チャネル形成領域116を挟むように設けられた不純物領域120と、不純物領域120に接する金属化合物領域124と、チャネル形成領域116上に設けられたゲート絶縁層108と、ゲート絶縁層108上に設けられたゲート電極110と、を有する。 【選択図】図1

    半導体装置
    109.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020004474A

    公开(公告)日：2020-01-09

    申请号：JP2019136058

    申请日：2019-07-24

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 松嵜 隆徳 ,  加藤 清

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  G11C11/405 ,  G11C11/56 ,  G11C11/4091

    摘要： 【課題】読み出す電圧が周囲温度等の影響を受けても、正しいデータとして読み出すことのできる半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置において、温度変化に対して閾値電圧が変動する第2の回路(ADC)中のトランジスタ51のゲートに基準となる参照電圧Vrefを印加し、閾値電圧Vthの変動分が加算された補正された参照電圧Vref+Vthを生成する。第2の回路中のトランジスタの閾値電圧の変動分が加算された補正された参照電圧を用いてアナログ電圧をデジタル信号として読み出すことで、第1の回路(メモリセルMC)中のトランジスタ11の温度変化分の特性のずれを第2の回路中のトランジスタの温度変化分の特性のずれで相殺した正しいデータを読み出し可能とする。 【選択図】図1