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公开(公告)号：JP2017510529A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016536974
申请日：2015-02-13
Applicant: エンゲル、ギュンター
Inventor： エンゲル、ギュンター
IPC: C04B35/491 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/493 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3249 , C04B2235/3291 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01G4/008 , H01G4/1236 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 本発明は、複数のキャパシタ用のセラミック材料に関する。複数の反強誘電性特性および高い誘電率を有する複数の積層キャパシタへ、この材料のアセンブリにおける低減された自己発熱を達成するために、式[Pb(1−r)(BaxSryCaz)r](1−1.5a−1.5b−0.5c)(XaYb)Ac(Zr1−dTid)O3のセラミック材料が提案される。式中、XおよびYの両者は、La、Nd、Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、および/またはYbから成る群から選択される希土類金属を表し、Aは一価のイオンを表し、x+y+z=1であり、xおよび/またはyおよび/またはz>0であり、0
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公开(公告)号：JP2017034140A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015153786
申请日：2015-08-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/027 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/62645 , C04B35/64 , H01C1/1406 , H01C7/025 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/602 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/79 , C04B2235/9607
Abstract: 【課題】大気中焼成でも容易に半導体化し、常温比抵抗が小さく、長時間通電しても抵抗値の経時劣化を抑制でき、かつ、耐電圧の大きい、キュリー温度が120℃以上のPTCサーミスタを提供する。 【解決手段】PTCサーミスタ1の主成分を式(1)で示される半導体磁器組成物とする。(Ba v Bi x A y RE w ) m (Ti u TM z )O 3 (1)(AはNa及びK、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy及びErから選択される少なくとも1種、TMはV、Nb及びTaから選択される少なくとも1種)、さらに、0.01≦x≦0.15、x≦y≦0.3、0≦(w+z)≦0.01、v+x+y+w=1、u+z=1、0.950≦m≦1.050、であり、Caを0.001〜0.055mol含み、Na/(Na+K)比が0.1以上1未満含む。 【選択図】図1
Abstract translation: 甲甚至在空气中烧成，低的室温电阻率容易半导体，即使通电长，能够抑制劣化与电阻值的时间和耐压大，PTC热敏电阻的居里温度高于120℃。 提供。 PTC热敏电阻器1的主要成分，并且由式（1）表示的半导体陶瓷组合物。 （BavBixAyREw）米（TiuTMz）O3（1）（A是至少一种Na和K，RE是Y，镧，铈，镨，钕，钐，钆，从Dy和Er中选择，TM是V，Nb的 和至少一种选自Ta），进一步，0.01≦X≦0.15，X≦ÿ≦0.3,0≦（W + Z）≦0.01，v + X + Y + W = 1，U + Z = 1 ，0.950≦米≦1.050，一个，包含0.001〜0.055mol的钙，钠/（NA + K）比包含小于1 0.1以上。 1点域
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公开(公告)号：JPWO2014077198A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2014517068
申请日：2013-11-08
Applicant: Jx金属株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C01G33/00 , C01P2002/72 , C01P2002/74 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C04B35/495 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2235/3251 , C04B2235/404 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2237/12 , C04B2237/407 , C23C14/083 , C23C14/3414 , H01J37/3435 , H01J37/3491
Abstract: 【要約書】本発明は、NbO2の(400)面からのX線回折ピーク強度に対する、Nb2O5の(001)面もしくは(110)面からのX線回折ピーク強度の強度比が1%以下であることを特徴とするNbO2焼結体に関する。高価なNbO2原料を用いることなく、ReRAM用の高品質な抵抗変化層を形成するためのスパッタリングターゲットに適用できるNbO2焼結体を提供するものである。特には、スパッタリング安定化に適した、高密度で単相のNbO2焼結体を提供することを課題とする。【選択図】図1
Abstract translation: [摘要]本发明是，相对于从（400）的X射线衍射峰强度NbO2，从（001）面或X射线衍射峰强度的强度比的（110）面的的Nb2O5平面是小于1％ 它涉及NbO2烧结材料，其特征。 不使用昂贵的材料NbO2，提供可被施加到溅射靶用于形成的ReRAM高质量可变电阻层的NbO2烧结体。 特别地，合适的溅射稳定，并提供一种NbO2烧结体致密单相。 点域1
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公开(公告)号：JP6004448B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2013553912
申请日：2012-02-14
Applicant: プランゼー エスエー
Inventor： ブラントナー マルコ , シュミット ヨハネス , ヴェンスクトニス アンドレアス , トロフィメンコ ニコライ , ザウチュック ヴィクター , クスネゾフ ミハイルス , ルーケ カリン , ミヒェルス アレクサンダー
IPC: H01M8/0202 , H01M8/12 , H01M4/86
CPC classification number: H01M8/0236 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B35/016 , C23C24/08 , C23C28/04 , H01M8/021 , H01M8/0217 , H01M8/0228 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3265 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/5436 , C04B2235/763 , C04B2235/768 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2237/34 , H01M2008/1293 , Y02E60/50 , Y02E60/525
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公开(公告)号：JP5912583B2
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：JP2012016507
申请日：2012-01-30
Applicant: 日本化学工業株式会社
Inventor： 田邉 信司
IPC: C04B35/49
CPC classification number: C01G23/006 , C01G25/00 , C01G25/006 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6263 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , H01G4/1209 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3244 , C04B2235/449 , C04B2235/528 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/79
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公开(公告)号：JP2016060647A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014186921
申请日：2014-09-12
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト , EPCOS AG
Inventor： 田内 剛士
IPC: C04B35/475 , C04B35/462 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/47
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/47 , H01B3/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , C04B2235/3201 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , H01G4/30
Abstract: 【課題】 本発明は、少なくとも8V/μmのDCバイアス印加時に800以上の比較的高い比誘電率を有し、かつ14V/μm以上の耐電界を有する誘電体組成物およびその誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供することを目的とする。 【解決手段】 (Bi a Na b Sr c Ln d )TiO 3 で表される主成分を有する誘電体組成物であって、Lnは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、HoおよびYbの中から選択される少なくとも1種であり、a、b、cおよびdは、それぞれ、0
【選択図】なしAbstract translation: 要解决的问题：当施加至少8V /μm的DC偏压和14V /μm以上的电场电阻时，提供具有800以上的较高介电常数的电介质组合物，并提供 介电元件，电子元件和使用电介质组合物的层叠电子元件。提供了一种电介质组合物，其包含由（BiNaSrLn）TiO表示的主要成分，其中Ln为选自La，Ce，Pr，Nd中的至少一种 ，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho和Yb; a，b，c和d分别满足0
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公开(公告)号：JP5876974B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2009015440
申请日：2009-01-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/18 , H01L41/43 , C04B35/00
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B35/62685 , H01L41/43 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3251 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/273 , H01L41/314
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公开(公告)号：JP2016027618A
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：JP2015094758
申请日：2015-05-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/462 , C04B35/4682 , H01C1/14 , H01C7/02 , C04B2235/3201 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/79 , H01C7/008
Abstract: 【課題】常温比抵抗が小さく抵抗温度係数αの大きいBaTiO 3 系半導体磁器組成物を提供する。 【解決手段】一般式(1)で示され、(Ba 1−x−y−w Bi x A y RE w ) m (Ti 1−z TM z )O 3 (1)(Aは、Na又はKより選択される少なくとも1種、REは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy及びErからなる群より選択される少なくとも1種、TMは、V、Nb及びTaからなる群より選択される少なくとも1種、w、x、y、z及びmは、式(2)〜(5)を満足する。0.007≦x≦0.125(2)、x
【選択図】図1Abstract translation: 要解决的问题：提供具有相对较小的常温电阻率和大的电阻温度系数α的BaTiO基半导体陶瓷组合物。解决方案：半导体瓷组合物由通式（1）（BaBiARE）（TiTM） O（1）（A为选自Na或K中的至少一种，RE为选自Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Dy和Er中的至少一种，TM为 至少一种选自V，Nb和Ta，w，x，y，z和m满足式（2） - （5）0.007≤x≤0.125（2），x
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公开(公告)号：JP5846398B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2013539642
申请日：2012-10-16
Applicant: 株式会社村田製作所
Inventor： 川本 光俊
CPC classification number: H01L28/40 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C04B35/47 , C04B35/62685 , H01C17/06533 , H01C7/1006 , H01C7/18 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01L28/82 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6582 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/12
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公开(公告)号：JP5815404B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2011521865
申请日：2010-06-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/187 , H02N2/00 , C04B35/493
CPC classification number: C04B35/493 , C04B35/62685 , H01L41/0913 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/43 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3294 , C04B2235/36 , C04B2235/6025 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/083
