イオンビーム処理手段を備えた金属膜付樹脂フィルム基板の製造装置及び製造方法

    公开(公告)号:JP2020045523A

    公开(公告)日:2020-03-26

    申请号:JP2018174719

    申请日:2018-09-19

    Inventor: 大上 秀晴

    Abstract: 【課題】 イオンビーム処理を長尺樹脂フィルムに施してもトラフシワが発生しにくい製造装置及び製造方法を提供する。 【解決手段】 真空中においてロールツーロール方式で搬送される長尺の樹脂フィルムAに金属膜を成膜するマグネトロンスパッタリングカソード46〜49等の真空成膜手段を備えた金属膜付樹脂フィルム基板の製造装置であって、該真空成膜手段よりも上流側において、樹脂フィルムAの搬送経路の幅方向中央部と該中央部よりも搬送方向下流側の幅方向両端部とを結ぶ好適には該搬送経路の搬送方向に対して30〜60°傾斜する2条の直線状領域に向けてイオンビームを照射するイオンビーム照射手段35が設けられている。 【選択図】 図2

    原子層堆積装置とこの装置を用いた被覆膜形成粒子の製造方法

    公开(公告)号:JP2020002446A

    公开(公告)日:2020-01-09

    申请号:JP2018124986

    申请日:2018-06-29

    Inventor: 大上 秀晴

    Abstract: 【課題】原子層堆積(ALD)法における1サイクルの工程を半連続的に行えるようにしたALD装置とこの装置を用いた被覆膜形成粒子の製造方法を提供する。 【解決手段】第1反応ガス吸着工程と排気工程および第2反応ガス反応工程と排気工程を繰り返して粉体を構成する粒子表面に被覆膜を形成するALD装置であって、排気機構を有する5つの真空チャンバ331〜335が粒子移動用開閉バルブ312〜315を介して鉛直方向に連通して配置され、第1反応ガス吸着工程と第2反応ガス反応工程を行う一対の真空チャンバ332、334に反応ガス導入機構が設けられていることを特徴とする。この装置によれば、各真空チャンバ331〜335を個々に作用させることで、第1反応ガス吸着工程と排気工程および第2反応ガス反応工程と排気工程を並行して行えるため、粒子表面に被覆膜が形成された被覆膜形成粒子を効率的に製造することが可能となる。 【選択図】図7

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