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公开(公告)号：JP2021192462A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021153727
申请日：2021-09-22
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション , Cypress Semiconductor Corporation
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11534 , H01L27/1157
Abstract: 【課題】同じ半導体チップ上に高度論理構成要素及びメモリ構成要素を製作する集積プロセスを提供する。 【解決手段】並んで埋め込まれたメモリゲートと選択ゲートと、メモリゲートと基板との間に配置される第1の部分と、選択ゲートの内部側壁に沿って配置される第2の部分とを有して、選択ゲートをメモリゲートから隔てる誘電体構造と、メモリゲートの内部側壁に沿って、選択ゲート上に形成されるスペーサとを備えるスプリットゲートデバイス。また、高電圧及び低電圧トランジスタを含む埋め込みスプリットゲートデバイスの別形態が開示される。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP6517149B2
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：JP2015547548
申请日：2013-12-12
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション
IPC: H01L27/1157 , H01L27/10 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11568
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公开(公告)号：JP6510980B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2015547495
申请日：2013-12-11
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション
Inventor： ラムスベイ,マーク , チェン,チュン , ハダド,サメール , チャン,クオ,トゥン , キム,ウンスーン , ファン,シェンチン , スン,ユ , ガブリエル,カルヴィン
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11531 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/10 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6461003B2
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：JP2015547420
申请日：2013-12-05
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション
Inventor： チャン,クオ トゥン , チェン,チュン , ファン,シェンチン
IPC: H01L27/10 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115
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公开(公告)号：JP2019068093A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2018235247
申请日：2018-12-17
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11568
Abstract: 【課題】同じ半導体チップ上に高度論理構成要素及びメモリ構成要素を製作する集積プロセスを提供する。 【解決手段】並んで埋め込まれたメモリゲートと選択ゲートと、メモリゲートと基板との間に配置される第1の部分と、選択ゲートの内部側壁に沿って配置される第2の部分とを有して、選択ゲートをメモリゲートから隔てる誘電体構造と、メモリゲートの内部側壁に沿って、選択ゲート上に形成されるスペーサとを備えるスプリットゲートデバイス。また、高電圧及び低電圧トランジスタを含む埋め込みスプリットゲートデバイスの別形態が開示される。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP6474349B2
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：JP2015547538
申请日：2013-12-12
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション
IPC: H01L27/11546 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11573
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公开(公告)号：JP6396920B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2015547550
申请日：2013-12-12
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション
Inventor： ラムスベイ,マーク , キム,ウンスーン , ファン,シェンチン , チェン,チュン , チャン,クオ トゥン
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/10
CPC classification number: H01L28/60 , H01L27/0805 , H01L28/91 , H01L28/92 , H01L29/94
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公开(公告)号：JP5917560B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2013547676
申请日：2011-12-29
Applicant: サイプレス セミコンダクター コーポレーション
Inventor： ファン,シェンチン , チェン,トゥン−シェン , チェン,チュン
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/792 , H01L27/11568
