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公开(公告)号：JPWO2017094370A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2016080658
申请日：2016-10-17
Applicant: ローム株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/473 , H05K7/20 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC classification number: H01L23/473 , B60K6/22 , B60K11/02 , B60Y2200/91 , B60Y2200/92 , F28F3/022 , F28F3/04 , F28F2230/00 , H01L23/10 , H01L23/3672 , H01L24/32 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L2224/32245 , H01L2224/49113 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14252 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H02M7/003 , H02M7/5387 , H02M2001/327 , H05K7/209 , H05K7/20927 , Y10S903/904
Abstract: パワーモジュール装置(10)は、電力のスイッチングを行う半導体デバイスと、半導体デバイスの外囲を封止するパッケージ(110)と、パッケージ(110)の一面に接合された放熱器(42)とを有するパワーモジュール(100A)と、冷却水が流れる冷却水路(33)を有し、パワーモジュール(100A)の放熱器(42)が冷却水路(33)の途中に設けられた開口部(35)に装着される冷却装置(30)とを備え、冷却水路(33)の開口部(35)の最上部(33T)から最下部(33B)までの高さhaと、冷却水路(33)の開口部(35)の最下部(33B)から放熱器(42)のパッケージ(110)との接合面に対向する基端部(PB)までの高さhbとが、実質的に同一となるようにパワーモジュール(100A)の放熱器(42)が冷却装置(30)の開口部(35)に装着される。冷却装置の上面部に形成された開口部に放熱器を装着するようにしたパワーモジュールを効率よく冷却でき、過熱による劣化を抑えることが可能なパワーモジュール装置を提供する。
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公开(公告)号：JP2019068110A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2019017711
申请日：2019-02-04
Applicant: ローム株式会社
Abstract: 【課題】リードフレーム構造により小型化・大電流容量化、低コスト化可能で、かつ半導体デバイスを損傷することなく溶接のバラツキを抑制し歩留まりを向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】パワーモジュール20は、第1金属回路パターン3と、第1金属回路パターン3上に配置された半導体デバイス1と、半導体デバイス1と電気的に接続されるリードフレーム15と、半導体デバイス1の上面に配置され、半導体デバイス1とリードフレーム15との間の熱膨張係数差を緩衝可能である応力緩衝層14とを備える。リードフレーム15は、応力緩衝層14を介して半導体デバイス1と接続されると共に、応力緩衝層14の熱膨張係数がリードフレーム15の熱膨張係数以下であり、かつ応力緩衝層14の断面形状がL字型である。 【選択図】図12
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公开(公告)号：JPWO2017138402A1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017003337
申请日：2017-01-31
Applicant: ローム株式会社
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3121 , H01L23/3735 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L2224/32225 , H01L2224/49113 , H01L2924/3511
Abstract: 半導体装置(200)は、基板(80)と、基板(80)上に配置された少なくとも1つの半導体チップ(40)と、半導体チップ(40)および基板(80)上に配置され、半導体チップ(40)を覆うように形成される第1の樹脂層(14)と、第1の樹脂層(14)上に配置され、第1の樹脂層(14)の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有するとともに、第1の樹脂層(14)の弾性率よりも大きい弾性率を有する第2の樹脂層(15)とを備え、第2の樹脂層(15)は、第1の樹脂層(14)の少なくとも上面を覆うように形成される。半導体装置の反りを低減することで、熱抵抗を低減して電流密度を向上し、チップ数を削減して、低コスト化、小型化可能な半導体装置、パワーモジュール、およびその製造方法を提供する。
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公开(公告)号：JP6305778B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014015133
申请日：2014-01-30
Applicant: ローム株式会社
CPC classification number: H01L2224/37 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3718 , H01L2224/40 , H01L2224/40225 , H01L2224/83801 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：JP6301602B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2013151690
申请日：2013-07-22
Applicant: ローム株式会社
CPC classification number: H01L23/42 , H01L21/4842 , H01L21/563 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3737 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
