公开(公告)号：JP2021536667A

公开(公告)日：2021-12-27

申请号：JP2021510398

申请日：2019-08-12

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

Inventor： ヴェンツェク,ピーター ,  ランジャン,アロック

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 一実施形態において、プラズマ処理システムは、真空チャンバと、処理される基板を保持するように構成されていて、真空チャンバ内に配置されている基板ホルダと、を含む。本システムは、基板ホルダの周辺領域の上方に配置された電子源を更に含み、該電子源は、基板ホルダの周辺領域に向けて電子ビームを生成するように構成される。

公开(公告)号：JP2021534544A

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：JP2021507591

申请日：2019-08-28

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

Inventor： ヴェンツェク,ピーター ,  チェン,ジイン ,  ランジャン,アロック

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: プラズマ処理の方法は、ソース電力パルスの第1のシーケンスを生成することと、バイアス電力パルスの第2のシーケンスを生成することと、第2のシーケンスのバイアス電力パルスを第1のシーケンスのソース電力パルスと組み合わせて、交互のソース電力パルス及びバイアス電力パルスの組み合わせシーケンスを形成することと、組み合わせシーケンスを用いて、イオンを含むプラズマを生成すること、及び基板の主面にイオンを放出することによって基板を処理することと、を含む。

公开(公告)号：JP2021534575A

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：JP2021506934

申请日：2019-08-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

Inventor： チェン,ジイン ,  ランジャン,アロック ,  ヴェンツェク,ピーター

IPC: H01L21/3065

Abstract: ルテニウムを含むハードマスク材料が使用されるプロセスが提供される。ルテニウムは、例えば、窒化物、酸化物、反射防止コーティング(ARC)材料などの層を含む基板パターニング層を処理するために典型的に使用される多くのプラズマ化学物質に対してエッチング耐性を有するハードマスク材料を提供する。更に、ルテニウムは、窒化物、酸化物、ARC材料などを除去しないプラズマ化学物質によって除去され得る。例えば、ルテニウムは酸素(O2)プラズマを使用して容易に除去され得る。更に、ルテニウムは、酸化物及び窒化物上に薄い平面の10nmオーダーの膜として堆積されてもよく、平面層として堆積されてもよい。

公开(公告)号：JP2021534545A

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：JP2021507606

申请日：2019-08-08

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

Inventor： ランジャン,アロック ,  ヴェンツェク,ピーター ,  大秦 充敬

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: プラズマ処理システムは、真空チャンバと、第1の結合電極と、真空チャンバ内に配置される基板ホルダと、第2の結合電極と、コントローラと、を含む。基板ホルダは、基板を支持するように構成される。第1の結合電極は、真空チャンバにおいてプラズマ発生のための電力を提供するように構成される。第1の結合電極は、ソース電力パルスをプラズマに結合するようにさらに構成される。第2の結合電極は、バイアス電力パルスを基板に結合するように構成される。コントローラは、ソース電力パルスとバイアス電力パルスとの間の第1のオフセット期間を制御するように構成される。

公开(公告)号：JP2021523515A

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：JP2020561641

申请日：2019-05-01

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

Inventor： レーン,バートン ,  ヴェンツェク,ピーター

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

Abstract: 本明細書で開示するのは、プラズマ生成器によって生成されたプラズマを収容するように設計されたプラズマキャビティを含むハウジングを備えたラジカル源に関連する技術である。ハウジングは、プラズマにプロセスガスを注入するように設計された少なくとも1つのガス注入器を有する。プラズマは、プラズマに注入されたガスからラジカルを生成する。キャビティは、キャビティからラジカルを放出する、キャビティ内に形成された出口又は開口部を有する。放出されたラジカルは、ラジカル源の下にある対象のウェハ基板に向けられることがある。この要約は、特許請求の範囲又は意味を解釈又は制限するために使用されることはない、という理解の下で提出される。

公开(公告)号：JP6068727B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2016506614

申请日：2014-04-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： ヴェンツェク,ピーター ,  根本 剛直 ,  上田 博一 ,  小林 勇気 ,  堀込 正弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L29/66803