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公开(公告)号：JPWO2008142804A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：JP2009515069
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
IPC: C04B41/88 , C04B35/111 , H01J23/04 , H01J23/14
CPC classification number: C04B41/5138 , C04B41/009 , C04B41/88 , H01J23/12 , H01J25/50 , C04B35/10
Abstract: 本発明はメタライズ層の接合強度を向上させたマグネトロン用セラミックス部品に関する。当該セラミックス部品は、アルミナ焼結体からなるセラミックス本体部(1)と、セラミックス本体部の一部の表面上に設けられたMo−Mnメタライズ層(9、10)とを有するマグネトロン用セラミックス部品において、セラミックス本体部は、Mnを含む粒界相を有するアルミナ焼結体であり、セラミックス本体部とMo−Mnメタライズ層との間にMnリッチ相を具備する。
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公开(公告)号：JP4653272B2
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：JP27752399
申请日：1999-09-29
Applicant: 東芝マテリアル株式会社 , 株式会社東芝
IPC: C04B41/88 , H01L23/15 , C04B35/581 , C04B41/51
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/5133 , C04B41/4535 , C04B41/4578 , C04B35/581
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公开(公告)号：JPWO2013015355A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013525748
申请日：2012-07-26
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/06 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , F27B9/243 , H01L21/4871 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/202 , H01L2924/00
Abstract: 酸化物系セラミックス基板上に銅板を配置して積層体を形成する工程と、得られた積層体を加熱する工程とにより、酸化物系セラミックス基板と銅板とを一体に接合する酸化物系セラミックス回路基板の接合方法において、上記加熱する工程は、1065〜1085℃の間に加熱温度の極大値を有する第一加熱領域で積層体を加熱する工程と、次に1000〜1050℃の間に加熱温度の極小値を有する第二加熱領域で積層体を加熱する工程と、さらに1065〜1120℃の間に加熱温度の極大値を有する第三加熱領域で積層体を加熱して接合体を形成する工程とを有し、その後接合体を冷却領域で冷却することを特徴とする。上記構成によれば、耐熱サイクル(TCT)特性が優れた酸化物系セラミックス回路基板が得られる。
Abstract translation: 通过将铜板的氧化物系陶瓷基板主体，通过加热得到的层叠体形成的叠层体，所述基于氧化物的陶瓷电路加入氧化物陶瓷基板与一体铜板 基板的接合方法中，所述加热步骤包括在第一加热区加热所述层叠体的1065-1,085℃的期间具有的加热温度的最大值的步骤，然后从1000至1050℃之间的加热温度 形成并与最小值期间℃加热在第二加热区中的层压材料，进一步1065年至1120年共轭加热到在具有加热温度的最大值的第三加热区域中的层压体 它具有的门，其特征在于，随后冷却该组件在冷却区域中。 根据上述结构，具有优异的耐热循环（TCT）特性氧化物陶瓷电路板。
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公开(公告)号：JPWO2013008919A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013524002
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
CPC classification number: C04B35/111 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H05K1/0306 , H05K3/38 , C04B38/0054
Abstract: 本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナAl2O3を94〜98質量%、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を2〜6質量%含み、前記焼結助剤由来成分は、ケイ素を含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のケイ素は酸化ケイ素SiO2に換算した質量で前記アルミナ基板100質量%中に0.01〜1.5質量%含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が15μm以下であり、ボイド平均径が10μm以下であり、ビッカース硬度が1300以上である。
Abstract translation: 本发明的陶瓷电路板，提供了一种陶瓷电路板，其中所述金属电路板设置在氧化铝基板，氧化铝基板，氧化铝AL2 O3 94〜98重量％键合的，和烧结剂烧结之前包含在 包含来自烧结助剂衍生成分生成的组件烧结助剂的2-6％（重量）是含有硅的无机氧化物时，烧结助剂衍生氧化物组分硅的SiO 2的硅 含有0.01〜上以质量氧化铝基底100质量％，在氧化铝基板而言1.5％（重量），空隙的最大直径不小于15微米或更小，空隙的平均直径在10微米或更小，1300或更大的维氏硬度 它是。
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公开(公告)号：JP4795505B2
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：JP2000085346
申请日：2000-03-24
Applicant: 東芝マテリアル株式会社 , 株式会社東芝
IPC: B41J2/335 , C04B35/581
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8.发明专利
公开(公告)号：JP5450059B2
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：JP2009515069
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
IPC: C04B41/88 , C04B35/111 , H01J23/04 , H01J23/14
CPC classification number: C04B41/5138 , C04B41/009 , C04B41/88 , H01J23/12 , H01J25/50 , C04B35/10
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公开(公告)号：JP4515562B2
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：JP28064599
申请日：1999-09-30
Applicant: 東芝マテリアル株式会社 , 株式会社東芝
IPC: C04B41/80 , H05K1/03 , C04B35/581 , C04B35/584 , H01L23/08 , H01L23/13
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic substrate of high quality by preventing minute crack at a processed part on the ceramic substrate, and provide a manufacturing method of the ceramic substrate at low cost in mass production. SOLUTION: A ceramic substrate has a processed part. In this case, a minute crack near the processed part is filled with liquid-phase material.
