公开(公告)号：KR20210031170A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020190112790A

申请日：2019-09-11

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사

Inventor： 김성현 ,  서중원 ,  최안나

IPC: H01L45/00 ,  G06F3/06 ,  G06F12/0831 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L45/1233 ,  G06F12/0831 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  H01L21/31053 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1675 ,  H01L21/7682 ,  H01L45/06

Abstract: 전자 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 기판 상에 형성되고, 제1 방향으로 연장하는 복수의 하부 라인; 상기 하부 라인 상에 배치되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 복수의 상부 라인; 상기 하부 라인과 상기 상부 라인 사이에 배치되고, 상기 하부 라인과 상기 상부 라인의 교차 영역과 중첩하는 메모리 셀; 및 상기 상부 라인 사이에 위치하면서 상기 제2 방향으로 연장하는 에어갭을 포함할 수 있다.