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    フェライト組成物および電子部品
    3.
    发明专利
    フェライト組成物および電子部品 有权
    铁素体组合物和电子元件

    公开(公告)号：JP2016196397A

    公开(公告)日：2016-11-24

    申请号：JP2016051088

    申请日：2016-03-15

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 角田 晃一 ,  和田 龍一 ,  秋田 由香里 ,  高橋 幸雄 ,  鈴木 孝志 ,  村井 明日香 ,  田之上 寛之

    IPC: C01B33/12 ,  H01F1/34 ,  H01F17/00 ,  C04B35/30

    Abstract: 【課題】低温焼結が可能であり、高い外部磁界(数十〜数百A/m)下で外部磁界の変化に対するQ値の変化が少なく、高い振幅電流に対するQ値の劣化が少なく、直流重畳特性が良好であり、温度特性にも優れたフェライト組成物と、小型化が可能な電子部品の提供。 【解決手段】主成分が、Feの化合物をFe 2 O 3 換算で23.0〜47.0モル%、Cuの化合物をCuO換算で3.0〜16.0モル%、Znの化合物をZnO換算で4.0〜39.0モル%、Siの化合物をSiO 2 換算で1.5〜13.0モル%、残部がNiの化合物で構成されており、前記主成分100重量部に対して、副成分として、Coの化合物をCo 3 O 4 換算で0.1〜8.0重量部、Biの化合物をBi 2 O 3 換算で0.25〜5.00重量部、含有するフェライト組成物。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供可在低温下烧结的铁素体组合物，在高外部磁场（几十到几百A / m）下，外部磁场的变化导致Q值变化较小，导致较少的劣化 具有高振幅电流的Q值，具有良好的叠加特性和优异的温度特性，并提供可以减小尺寸的电子部件。本发明提供一种铁素体组合物，其主要成分为23.0〜47.0摩尔％ 以FeO为单位的Fe化合物，以CuO换算为3.0〜16.0摩尔％的Cu化合物，以Zn计的Zn为4.0〜39.0摩尔％，Si为1.5〜13.0摩尔％ SiO的含量和Ni的化合物的剩余部分和作为次要成分的0.1至8.0重量份。 的Co的化合物，以CoO计为0.25-5.00重量份。 的Bi的化合物以BiObased在100重量份 的主要组成部分。选择图：无

    フェライト組成物および積層電子部品
    4.
    发明专利
    フェライト組成物および積層電子部品 有权

    公开(公告)号：JP6569834B1

    公开(公告)日：2019-09-04

    申请号：JP2019013178

    申请日：2019-01-29

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 芝山 武志 ,  鈴木 孝志 ,  佐藤 高弘 ,  小森田 健二 ,  鈴木 達郎 ,  高橋 幸雄 ,  田之上 寛之 ,  伊藤 康裕

    IPC: H01F17/04 ,  C04B35/30 ,  C01G49/00 ,  H01F1/34

    Abstract: 【課題】インダクタンス特性が改善され、比抵抗および透磁率μ’が高く、直流重畳特性および交流抵抗も良好となるフェライト組成物等を得る。 【解決手段】 主成分と副成分とを有するフェライト組成物である。主成分として、Fe 2 O 3 換算で10.0〜38.0モル%のFeの化合物、CuO換算で3.0〜11.0モル%のCuの化合物、ZnO換算で39.0〜80.0モル%のZnの化合物(39.0モル%を含まない)、および、残部であるNiの化合物を含有する。主成分100重量部に対して、副成分として、Siの化合物をSiO 2 換算で10.0〜23.0重量部、Coの化合物をCo 3 O 4 換算で0〜3.0重量部(0重量部を含む)、Biの化合物をBi 2 O 3 換算で0.1〜3.0重量部、含有する。 【選択図】図3A

    フェライト組成物および電子部品
    6.
    发明专利
    フェライト組成物および電子部品 有权
    铁氧体组合物和电子部件

    公开(公告)号：JP6024843B1

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：JP2016051088

    申请日：2016-03-15

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 角田 晃一 ,  和田 龍一 ,  秋田 由香里 ,  高橋 幸雄 ,  鈴木 孝志 ,  村井 明日香 ,  田之上 寛之

    IPC: C01B33/12 ,  H01F1/34 ,  H01F17/00 ,  C04B35/30

    Abstract: 【課題】低温焼結が可能であり、高い外部磁界(数十〜数百A/m)下で外部磁界の変化に対するQ値の変化が少なく、高い振幅電流に対するQ値の劣化が少なく、直流重畳特性が良好であり、温度特性にも優れたフェライト組成物と、小型化が可能な電子部品の提供。 【解決手段】主成分が、Feの化合物をFe 2 O 3 換算で23.0〜47.0モル%、Cuの化合物をCuO換算で3.0〜16.0モル%、Znの化合物をZnO換算で4.0〜39.0モル%、Siの化合物をSiO 2 換算で1.5〜13.0モル%、残部がNiの化合物で構成されており、前記主成分100重量部に対して、副成分として、Coの化合物をCo 3 O 4 換算で0.1〜8.0重量部、Biの化合物をBi 2 O 3 換算で0.25〜5.00重量部、含有するフェライト組成物。 【選択図】なし

    Abstract translation: 为了提供可能的低温烧结，高的外部磁场（几十至几百A /米）的Q值小的变化​​相对于下外部磁场的变化，对于高振幅电流，直流Q值的劣化少 一个叠加特性良好，具有优异的温度特性的铁素体组合物，提供了一个电子组件可以被小型化。 主要成分的Fe 23.0-47.0％（摩尔）的Fe2转换O3的化合物，换算成CuO 3.0-16.0摩尔％的Cu的化合物，以ZnO换算为4.0〜39.0摩尔％的Zn的化合物，Si的化合物 以SiO 2换算的1.5〜13.0％（摩尔），由Ni构成的其余化合物中的Co O4，碧方面构成的，相对于所述主要成分100重量份，作为副成分，0.1至8.0份（重量）的Co化合物的 0.25至5.00份（重量）的化合物在的Bi O3，含有铁素体组合物的术语。 系统技术领域

    フェライト組成物および積層電子部品
    7.
    发明专利
    フェライト組成物および積層電子部品 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020121916A

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：JP2020002180

    申请日：2020-01-09

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 芝山 武志 ,  鈴木 孝志 ,  高橋 幸雄

    IPC: C01G49/00 ,  C01G53/00 ,  H01F1/34 ,  C04B35/30

    Abstract: 【課題】特に直流重畳特性および交流抵抗が良好であるフェライト組成物等を得る。 【解決手段】 スピネルフェライトからなる主相粒子と、第1の副相粒子と、第2の副相粒子と、粒界と、を含むフェライト組成物である。主相粒子の少なくとも一部は、粒子表面から粒子中心部に向かう方向へ50nm以上の単調にZn濃度が減少する部分を有する。粒子表面から粒子中心部に向かう方向へ50nm以上の単調にZn濃度が減少する部分を有する主相粒子が10%以上、存在する。第1の副相粒子はZn 2 SiO 4 を含む。第2の副相粒子はSiO 2 を含む。第1の副相粒子と第2の副相粒子との合計面積割合が30.5%以上である。 【選択図】図8

    フェライト焼結体およびそれを用いた電子部品
    8.
    发明专利
    フェライト焼結体およびそれを用いた電子部品 有权

    公开(公告)号：JP6540977B1

    公开(公告)日：2019-07-10

    申请号：JP2018005571

    申请日：2018-01-17

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 芝山 武志 ,  高橋 幸雄 ,  鈴木 孝志 ,  田之上 寛之 ,  下保 真志 ,  加藤 昌弘

    IPC: H01F17/04 ,  H01F1/34 ,  C04B35/30

    Abstract: 【課題】 900℃程度で焼成でき、また高い透磁率および高いキュリー温度(Tc)を有するフェライト材料、及びそれを用いた電子部品を提供すること。 【解決手段】 主成分と副成分とを有し、前記主成分が、酸化鉄をFe 2 O 3 換算で48.65〜49.45モル%、酸化銅をCuO換算で2〜16モル%、酸化亜鉛をZnO換算で28.00〜33.00モル%、残部が酸化ニッケルで構成され、前記副成分として、酸化ホウ素を、前記主成分100重量部に対してB 2 O 3 換算で5〜100ppm含有し平均結晶粒径が2〜30μmである、フェライト焼結体。 【選択図】図1

    フェライト組成物および電子部品
    9.
    发明专利
    フェライト組成物および電子部品 有权

    公开(公告)号：JP6142950B1

    公开(公告)日：2017-06-07

    申请号：JP2016194621

    申请日：2016-09-30

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 芝山 武志 ,  村井 明日香 ,  高橋 幸雄 ,  鈴木 孝志 ,  田之上 寛之 ,  ▲高▼橋 聖樹

    IPC: H01F1/34 ,  C04B35/30

    CPC classification number: H01F1/344 ,  C04B35/265 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/046

    Abstract: 【課題】小型DC−DCコンバータに用いる、高周波領域におけるインダクタとして動作する周波数特性と大電流を印加しても、殆んど変化しない直流重畳特性を有する、初透磁率,比抵抗,周波数特性及び温度特性が良好なフェライト組成物と、前記フェライト組成物を用いた電子部品の提供。 【解決手段】主成分が、酸化鉄をFe 2 O 3 換算で18〜30モル%、酸化銅をCuO換算で4〜14モル%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜6モル%、残部が酸化ニッケルで構成され、主成分100重量部に対して、副成分として、ケイ素化合物をSiO 2 換算で0.30〜1.83重量部、コバルト化合物をCo 3 O 4 換算で2.00〜10.00重量部、ビスマス化合物をBi 2 O 3 換算で1.00〜3.00重量部、含有し、Co 3 O 4 換算したコバルト化合物の含有量を、SiO 2 換算したケイ素化合物の含有量で割った値が、5.5〜30.0であるフェライト組成物。 【選択図】なし

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