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公开(公告)号：JP6426824B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2017502664
申请日：2015-07-07
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト , EPCOS AG
Inventor： グルンビヒラー,ヘルマン , ワン,ヨンリ , シュバインツガー,マンフレット
IPC: C04B35/057 , C01G45/00 , H01L35/22
CPC classification number: C04B35/016 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3263 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/549 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L35/22 , H01L35/34
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公开(公告)号：JP6387871B2
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：JP2015050941
申请日：2015-03-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/488 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/30
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公开(公告)号：JP6382904B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2016199157
申请日：2016-10-07
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト , EPCOS AG
Inventor： エンゲル, ギュンター , ショスマン, ミヒャエル , コイニ, マルクス , ティスティノ, アンドレア , ホフマン, クリスチャン
CPC classification number: H01G4/30 , B32B18/00 , B32B2457/00 , C04B35/493 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3291 , C04B2235/3296 , C04B2235/3427 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/704 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/1245 , H01G4/232 , H01G4/248
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公开(公告)号：JP6374377B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2015510701
申请日：2013-04-11
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト , EPCOS AG
Inventor： エンゲル, ギュンター , ショスマン, ミヒャエル , コイニ マルクス , ティスティノ, アンドレア , ホフマン クリスチャン
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30 , B32B18/00 , B32B2457/00 , C04B35/493 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3291 , C04B2235/3296 , C04B2235/3427 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/704 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/1245 , H01G4/232 , H01G4/248
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公开(公告)号：JPWO2017069022A1
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2016080205
申请日：2016-10-12
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C04B35/495 , C01G33/00
CPC classification number: C01G33/006 , C01G33/00 , C01P2002/36 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/457 , C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/79 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 酸化物半導体においてp型半導体を実現可能にし、透明性、移動度、耐候性の優れた酸化物半導体を提供する。 Sn及びNbを含むパイロクロア構造を有し、組成比Sn/Nbが0.81≦Sn/Nb 2 Nb 2 O 7 の量論組成に対して少ないとき、即ちSn/Nb Sn の生成により、p型を実現でき、組成比Sn/Nbが0.81以上のとき、パイロクロア構造をとる。
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公开(公告)号：JPWO2017188238A1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017016354
申请日：2017-04-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M4/525 , H01M4/1391
CPC classification number: H01M4/0433 , C01G51/42 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , C04B2235/9623 , H01M4/0409 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M2004/021 , H01M2004/028
Abstract: 本発明は、板面に対する一次粒子の(003)面の傾斜角度を低くできる正極の製造方法を提供することを目的とする。 本発明の正極(106)の製造方法は、板面と平行にリチウムイオンを伝導可能な板状のLiCoO2テンプレート粒子を形成する工程と、LiCoO2テンプレート粒子にせん断力を印加可能な成形手法を用いて、LiCoO2テンプレート粒子を含むスラリーを成形することによって成形体を形成する工程と、成形体を焼成する工程とを備える。
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公开(公告)号：JP2018026254A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016157152
申请日：2016-08-10
Applicant: 株式会社東芝
CPC classification number: H01F1/053 , C04B35/4508 , C04B35/62222 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/64 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3282 , C04B2235/449 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/1295 , H01F6/06 , H01L39/126 , H01L39/143 , H01L39/2425
Abstract: 【課題】人工ピンが導入され磁場特性が向上した酸化物超電導体を提供する。 【解決手段】実施形態の酸化物超電導体は、希土類元素、バリウム(Ba)、及び、銅(Cu)を含む連続したぺロブスカイト構造を有し、上記希土類元素は、プラセオジウム(Pr)である第1の元素、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)及びガドリニウム(Gd)の群の少なくとも一つの第2の元素、イットリウム(Y)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)及びホルミウム(Ho)の群の少なくとも一つの第3の元素、並びに、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)の群の少なくとも一つの第4の元素、を含む酸化物超電導層を、備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6245222B2
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2015114874
申请日：2015-06-05
Applicant: 株式会社村田製作所
Inventor： 大國 聡巳
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , C04B35/62685 , H01G4/30 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B35/468 , C04B35/4682 , H01G4/0085 , H01G4/232
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公开(公告)号：JP2017143090A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016021462
申请日：2016-02-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/02
CPC classification number: C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/62615 , C04B35/6263 , C04B35/62645 , H01C7/02 , H01C7/025 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/79
Abstract: 【課題】キュリー点を120℃より高温側にシフトさせ、25℃比抵抗を実用化できる水準に保ちながら、抵抗変化率△ρ/ρ 0 が小さく、かつ耐電圧に優れる半導体磁器組成物およびそれを備えたPTCサーミスタを提供する。 【解決手段】式(1):(Ba v Bi x A y RE w ) m (Ti u TM z )O 3 で表される半導体磁器組成物(Aは、Na、Kより選択される少なくとも1種、REは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Erから選択される少なくとも1種)。このとき、(2)0.750y≦x≦1.50y、(3)0.007≦y≦0.125、(4)0≦(w+z)≦0.010、(5)v+x+y+w=1、(6)u+z=1、(7)0.950≦m≦1.050であり、かつ、Caを0.001〜0.055mol含み、Mg、Al、Fe、Co、Cu、Znの少なくとも1種を0.0005〜0.005mol含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017120854A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2015257374
申请日：2015-12-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/4686 , C04B35/638 , H01G4/1227 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/68
Abstract: 【課題】 高温負荷寿命の向上および高温負荷寿命のバラツキの低減を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を提供する。 【解決手段】 誘電体層および電極層を有するセラミック電子部品である。誘電体層は、複数のセラミック粒子および複数のセラミック粒子間に存在する粒界相を有する。セラミック粒子の主成分はチタン酸バリウムである。粒界相の平均厚みが1.0nm以上、かつ、粒界相の厚みバラツキσが0.1nm以下であることを特徴とする。 【選択図】図2
