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    半導体光素子の製造方法
    4.
    发明专利
    半導体光素子の製造方法 有权
    制造半导体光学元件的方法

    公开(公告)号：JP2015135897A

    公开(公告)日：2015-07-27

    申请号：JP2014006750

    申请日：2014-01-17

    Applicant: 住友電気工業株式会社

    Inventor： 辻 幸洋

    IPC: H01L21/3065 ,  H01S5/227

    CPC classification number: H01S5/2086 ,  H01S5/2275 ,  H01S2301/176 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/3401

    Abstract: 【課題】ドライエッチングにおいてマイクロマスクの発生を抑制できる半導体光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】プロセスチャンバ10aの内側におけるH 2 O分子比率を基準範囲に調整するステップS1と、調整後のプロセスチャンバ10aの内側においてウェハWa,Wbを配置し、ウェハWa,Wbから量子カスケードレーザ1a,1bの基板生産物を形成するステップS2とを備え、プロセスチャンバ10aの内側の表面にはアルマイト処理が施されており、ステップS1は、前記プロセスチャンバに真空引きを行うステップS1aとプロセスチャンバ10aの内側の表面をドライクリーニングするステップS1bとプロセスチャンバ10aの内側にハロゲン系のガスを用いてプラズマを発生させるステップS1cとを備る。 【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造能够抑制干蚀刻中的微区别产生的半导体光学元件的方法。方法：一种方法，包括：步骤S1，其调节处理室10a内的HO分子的比例， 参考范围; 以及将晶片Wa和Wb布置在调整处理室10a中的步骤S2，以及从晶片Wa和Wb形成量子级联激光器1a和1b的衬底产物。 对处理室10a的内表面进行防氧化处理。 步骤S1包括：对处理室执行真空抽吸的步骤S1a; 执行处理室10a的内表面的干洗的步骤S1b; 以及通过使用卤素类气体在处理室10a中产生等离子体的步骤S1c。

    CLEAVED FACET (Ga,Al,In)N EDGE-EMITTING LASER DIODES GROWN ON SEMIPOLAR {11-2N} BULK GALLIUM NITRIDE SUBSTRATES
    7.
    发明专利
    CLEAVED FACET (Ga,Al,In)N EDGE-EMITTING LASER DIODES GROWN ON SEMIPOLAR {11-2N} BULK GALLIUM NITRIDE SUBSTRATES 审中-公开
    清漆面（Ga，Al，In）N边缘发射激光二极管在二极管{11-2N}大块氮化镓衬底

    公开(公告)号：JP2013211587A

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：JP2013120503

    申请日：2013-06-07

    Applicant: Regents Of The Univ Of California ,  ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

    Inventor： NAKAMURA SHUJI ,  SPECK JAMES S ,  STEVEN P DENBAARS ,  ANURAG TYAGI

    IPC: H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3216

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide cleaved facet (Ga,Al,In)N edge-emitting laser diodes grown on semipolar {11-2n} bulk gallium nitride substrates.SOLUTION: A III-nitride edge-emitting laser diode 10 is formed on a surface of a III-nitride substrate 12 having a semipolar orientation. The III-nitride substrate 12 is cleaved by creating a cleavage line along a direction substantially perpendicular to a nonpolar orientation of the III-nitride substrate 12, and then applying force along the cleavage line to create one or more cleaved facets 36 of the III-nitride substrate 12, where the cleaved facets 36 have an m-plane or α-plane orientation.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供在半极{11-2n}块状氮化镓衬底上生长的切割面（Ga，Al，In）N边缘发射激光二极管。解决方案：III族氮化物边缘发射激光二极管10形成在 具有半极性取向的III族氮化物衬底12的表面。 通过沿着基本上垂直于III族氮化物衬底12的非极性取向的方向产生切割线来切割III族氮化物衬底12，然后沿着切割线施加力以产生III-氮化物衬底12的一个或多个切割面36。 氮化物衬底12，其中切割面36具有m面或α平面取向。

    Laser diode and method of manufacturing laser diode
    8.
    发明专利
    Laser diode and method of manufacturing laser diode 审中-公开
    激光二极管和制造激光二极管的方法

    公开(公告)号：JP2013145799A

    公开(公告)日：2013-07-25

    申请号：JP2012005367

    申请日：2012-01-13

    Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社 ,  Sumitomo Electric Ind Ltd ,  住友電気工業株式会社

    Inventor： HAMAGUCHI TATSUFUMI ,  TAKAGI SHINPEI

    IPC: H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser diode exhibiting superior laser characteristics by further optimizing a propagation direction of laser light.SOLUTION: A laser diode 100 includes a semiconductor base 1 that is made of a hexagonal group III nitride semiconductor and has a semi-polar plane 1a, an epitaxial layer 2, two resonator facets 102 and 103, a first electrode 4, and a second electrode 5. The epitaxial layer 2 has a light-emitting layer that forms an optical waveguide of laser light. In the epitaxial layer 2, a propagation direction of the laser light is set so as to be tilted, in an optical waveguide plane, at an angle ranging from 8 to 12 degrees or 18 to 29 degrees both inclusive with respect to a direction of projection of a c axis onto the optical waveguide plane, and the optical waveguide plane includes the propagation direction of the laser light and is parallel to the semi-polar plane 1a.

    Abstract translation: 要解决的问题：通过进一步优化激光的传播方向，提供具有优异激光特性的激光二极管。解决方案：激光二极管100包括由六方晶III族氮化物半导体制成的半导体基体1， 极性平面1a，外延层2，两个谐振器面102和103，第一电极4和第二电极5.外延层2具有形成激光的光波导的发光层。 在外延层2中，激光的传播方向被设定为在光波导面内以相对于突出方向为8〜12度或18〜29度的角度倾斜 的交流轴在光波导面上，光波导面包括激光的传播方向，并且平行于半极性面1a。

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