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公开(公告)号：JP6935596B2
公开(公告)日：2021-09-15
申请号：JP2020536503
申请日：2018-09-07
Applicant: ジェイ・ツー マテリアルズ,エル・エル・シー , J2 MATERIALS, LLC
Inventor： ジョン ピー. シラルド , ジョナサン レヴァイン−マイルズ
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公开(公告)号：JP6856705B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2019108423
申请日：2019-06-11
Applicant: エスケイシー・カンパニー・リミテッド , SKC CO., LTD.
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公开(公告)号：KR102229588B1
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：KR1020200064716A
申请日：2020-05-29
Applicant: 에스케이씨 주식회사
CPC classification number: H01L21/02008 , B24B37/042 , B24B37/10 , C30B23/02 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/0445
Abstract: 구현예는 웨이퍼의 제조방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조방법, 이에 따라 제조된 웨이퍼 및 에피택셜 웨이퍼에 관한 것이다. 구현예에 따른 웨이퍼의 제조방법을 통해 제조된 웨이퍼는 마이크로파이프 결함 밀도가 적고, 파티클과 스크래치 발생을 최소화할 수 있다. 구현예에 따른 에피택셜 웨이퍼의 제조방법을 통해 제조된 에피택셜 웨이퍼는 다운폴, 삼각 및 캐럿 결함 등의 밀도가 적고, 우수한 소자 특성을 나타낼 수 있으며, 소자 수율 향상을 기대할 수 있다.
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公开(公告)号：JP2017109891A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015243951
申请日：2015-12-15
Applicant: 株式会社豊田中央研究所
Abstract: 【課題】金属含有ガスと反応ガスとを用いて、種結晶の表面に無機化合物からなる単結晶を長時間に渡って成長させることが可能な化合物単結晶製造装置、及びこれを用いた化合物単結晶の製造方法を提供すること。 【解決手段】化合物単結晶製造装置10は、種結晶22を保持するためのサセプタ24を備えた結晶成長部20と、金属源50から発生させた金属含有ガス、及びこれと反応して無機化合物を生成する反応ガスを種結晶22に向かって供給するためのガス供給部40と、種結晶22及び金属源50を加熱するための加熱装置を備えた加熱部60とを備えている。ガス供給部40は、金属源50を保持するルツボ42と、キャリアガス供給装置と、反応ガス供給装置とを備えている。ルツボ42の開口部には、多孔バッフル板48が設けられている。 【選択図】図1
