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    전계 효과에 의해 도펀트들을 이온화하기 위한 P-N 접합 광전 소자
    15.
    发明公开
    전계 효과에 의해 도펀트들을 이온화하기 위한 P-N 접합 광전 소자 审中-实审
    用于通过场效应使DOPANTS离子化的P-N结型光电装置

    公开(公告)号：KR1020160001717A

    公开(公告)日：2016-01-06

    申请号：KR1020150092502

    申请日：2015-06-29

    申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스

    发明人： 이반-크리스토퍼,로빈 ,  허버트,보노

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/36

    CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/10 ,  H01L31/1136 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/38 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 본발명은메사구조(124)를포함하는광전소자(100)에관한것이며, 상기메사구조(124)는, - P-N 접합을형성하는, 제 1 반도체부분(106) 및제 2 반도체부분(108), - 상기제 2 반도체부분과제 1 전극사이에배치되는상기제 1 반도체부분과전기적으로연결되는상기제 1 전극(112)을포함하고, 상기광전소자는, - 상기제 2 반도체부분과전기적으로연결되는제 2 전극(116), - 상기제 1 반도체부분및/또는상기제 2 반도체부분에전기장을생성하는것을통해상기제 1 반도체부분및/또는상기제 2 반도체부분의도펀트들을이온화할수 있고, 상기제 1 반도체부분및/또는상기제 2 반도체부분중의적어도하나의부분의측면및 상기제 1 반도체부분및 상기제 2 반도체부분에의해형성된공간전하영역중의적어도하나의부분의측면중의적어도하나의부분에오버레이될수 있는요소(118, 120)를더 포함하고, 상기제 1 전극의상부면및 상기제 2 전극의상부면은실질적으로평탄하면서연속하는표면(122)을형성한다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种包括台面结构（124）的光电元件（100）。 台面结构（124）包括：形成P-N结的第一半导体部分（106）和第二半导体部分（108）; 以及电连接到所述第一半导体部分的第一电极，所述第一电极布置在所述第二半导体部分和所述第一电极之间。 光电元件包括​​：电连接到第二半导体部件的第二电极（116） 以及可以通过在第一半导体部件和/或第二半导体部件中产生电场而离子化第一半导体部件和/或第二半导体部件的掺杂剂的元件（118,120），并且可以覆盖在至少一个 第一半导体部件和/或第二半导体部件中的一部分以及由第一半导体部件和第二半导体部件形成的空间电荷区域的至少一部分的至少一部分的侧面。 第一电极的上侧和第二电极的上侧形成实际上平坦且连续的表面（122）。

    광전지 셀의 연결을 위한 박막 층 스택의 레이저 에칭
    16.
    发明公开
    광전지 셀의 연결을 위한 박막 층 스택의 레이저 에칭 审中-实审
    激光蚀刻用于光伏电池连接的薄层堆叠

    公开(公告)号：KR1020150034127A

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：KR1020147033784

    申请日：2013-01-28

    申请人： 넥스시스

    发明人： 던,브렌단

    IPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0463

    CPC分类号： H01L31/186 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

    摘要： 본발명은박막층들을포함하는광전지셀(C1, C2)의연결을형성하기위해박막층(CIGS, Mo)들의처리하는방법과관련되며, 상기박막층은적어도제2층(Mo) 상에적층된광기전특성을갖는제1층(CIGS), 및기판(SUB) 상에적층된상기제2층의금속접촉층을포함한다. 상기방법은상기제2층(Mo)을노출시키기위해제1폭(L1)을갖는적어도하나의제1트렌치를상기제1층(CIGS)에에칭하는단계, 및기판을노출시키기위해제2트렌치를상기제1트렌치에에칭하는단계를수행하며, 제2폭(L2)을갖는제2트렌치는제1폭(L1)보다작다. 더욱이, 상기제1 및제2트렌치의에칭은단일의전체에칭단계동안레이저임펙트(또는샷(shot))에의해수행되고, 상기방법은상기전체에칭단계가제1트렌치의범위를정하기위한전면(FR1, FR2)들근처에서의좁은에칭동작, 및제1 및제2전면간넓은(또는러프(rough)한) 에칭동작을포함하는것을특징으로한다.

    웨이퍼용 열처리 장치.
    17.
    发明公开
    웨이퍼용 열처리 장치. 无效
    加热加热装置

    公开(公告)号：KR1020140145827A

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：KR1020130068482

    申请日：2013-06-14

    申请人： 주식회사 엔제닉

    发明人： 이상윤 ,  박노일 ,  신재명

    IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L31/02

    CPC分类号： H01L31/186 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67309

    摘要： 본 발명은 웨이퍼용 열처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼에 열처리를 수행하는 히팅챔버에 웨이퍼가 수납된 보트가 상기 히팅챔버를 향하여 이동할 때 상기 보트의 진로 방향과 상기 히팅챔버가 수평을 유지할 수 있도록 하여 양질의 웨이퍼를 생산할 수 있는 웨이퍼용 열처리 장치에 관한 것이다.
    이를 위하여 본 발명은, 열처리 모듈에 웨이퍼를 인입하여 열처리를 수행하는 웨이퍼용 열처리 장치에 있어서, 상기 열처리 모듈에 복수의 열, 또는 행으로 정렬되어 설치되는 안착플레이트와, 상기 안착플레이트의 상면에 안착되어 상기 웨이퍼가 수납된 보트가 그 내부로 인입되면 열처리를 수행하는 히팅챔버 및 상기 안착플레이트의 상면에 구비되어 상기 히팅챔버의 하부를 지지하며, 상기 히팅챔버가 상기 보트와 수평을 유지하도록 상기 히팅챔버의 위치를 조정하는 피팅수단을 포함한다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种晶片加热装置。 更具体地，本发明涉及一种用于晶片的加热装置，其能够通过允许其中装载晶片的船在船朝向加热室移动时水平移动到加热室来制造高质量的晶片，其中， 水被热处理。 为此，根据本发明的水的加热装置，其中水装载在热处理模块中并进行热处理工艺，包括：以热处理模块的形式布置在热处理模块中的安装板 多个行或列; 加热室，安装在安装板的上表面上，以在其中具有水的船被引入加热室时进行热处理; 以及装配单元，设置在安装板的顶表面上，以支撑加热室的下部并且调节加热室的位置，使得加热室与船水平地保持。

    염료감응 태양전지용 광전극, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지
    18.
    发明公开
    염료감응 태양전지용 광전극, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 有权
    用于透明的太阳能电池的光电子体，其制备方法和包含其的透明的太阳能电池

    公开(公告)号：KR1020140061590A

    公开(公告)日：2014-05-22

    申请号：KR1020120127677

    申请日：2012-11-12

    申请人： 서강대학교산학협력단

    发明人： 문준혁 ,  박예슬

    IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/542 ,  Y02P70/521 ,  H01G9/2027 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/04 ,  H01L31/186

    摘要： The present invention relates to a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell, a method of manufacturing the same, and a dye-sensitized solar cell including the same. The method of manufacturing a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell according to one embodiment of the present invention includes a step of forming a colloid crystal layer on a conductive transparent base material; a step of forming a porous first transition metal oxide layer; a step of forming a porous 3D structure; and a step of surface-treating the porous 3D structure.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于染料敏化太阳能电池的光电极，其制造方法和包含该光电子的染料敏化太阳能电池。 根据本发明的一个实施方案的用于染料敏化太阳能电池的光电极的制造方法包括在导电透明基材上形成胶体晶体层的步骤; 形成多孔第一过渡金属氧化物层的步骤; 形成多孔3D结构的步骤; 以及对多孔3D结构进行表面处理的步骤。

    반도체 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법
    19.
    发明授权
    반도체 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법 有权
    半导体层压板，半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR101386271B1

    公开(公告)日：2014-04-18

    申请号：KR1020137018186

    申请日：2011-12-09

    申请人： 데이진 가부시키가이샤

    发明人： 도미자와유카 ,  이케다요시노리 ,  이마무라데츠야

    IPC分类号： H01L21/208 ,  H01L31/042

    CPC分类号： H01L29/36 ,  C01B33/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 또한, 이 방법을 사용하여 얻을 수 있는 반도체 디바이스, 및 이 방법에서 사용할 수 있는 분산체를 제공한다. 반도체 디바이스 (500a) 를 제조하는 본 발명의 방법은, 하기 공정 (a) ∼ (c) 를 포함하고, 또한 제 1 도펀트 주입층 (52) 의 결정 방위가, 반도체 원소로 이루어지는 반도체층 또는 기재 (10) 의 결정 방위와 같다 : (a) 층 또는 기재의 특정 지점에, 도프되어 있는 입자를 함유하는 분산체를 적용하는 것, (b) 적용한 분산체를 건조시켜 미소결 도펀트 주입층으로 하는 것, 및 (c) 미소결 도펀트 주입층에 광 조사를 실시함으로써, 층 또는 기재의 특정한 지점을 p 형 또는 n 형 도펀트에 의해 도프하는 것과 함께, 미소결 도펀트 주입층을 소결시켜, 층 또는 기재와 일체화된 도펀트 주입층으로 하는 것.

    摘要翻译： 提供了一种制造半导体器件的方法。 还提供了通过使用该方法可获得的半导体器件，以及可用于该方法中的分散体。 用于制造半导体器件500a的本发明的方法包括以下步骤（a）至（c），并且第一掺杂剂注入层52的晶体取向是半导体层或半导体层 （a）将包含掺杂颗粒的分散体施加到基板的层或特定点，（b）干燥所施加的分散体以形成未掺杂的掺杂剂注入层 并且（c）通过用光照射未改性掺杂剂注入层以及用p型或n型掺杂剂掺杂衬底的层或特定点以及烧结未改性掺杂剂注入层， 具有集成的掺杂剂注入层。