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公开(公告)号：KR100509874B1
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：KR1020007001923
申请日：1999-06-25
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 하시모토노부아키
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/29 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/83095 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83851 , H01L2224/83859 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/90 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/112 , H05K1/189 , H05K3/28 , H05K3/284 , H05K3/323 , H05K2201/0394 , H05K2201/09472 , H05K2201/10674 , H05K2203/0278 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644
摘要： 반도체 장치의 제조 방법은 기판(12)과 반도체 소자(20) 사이에 열경화성 이방성 도전 재료(16)를 개재시키는 제 1 공정과, 반도체 소자(20)와 기판(12) 사이에 압력 및 열을 가해 배선 패턴(10)과 전극(22)을 전기적으로 도통시켜 이방성 도전 재료(16)가 반도체 소자(20)로부터 밀려 나온 상태로, 반도체 소자(20)와의 접촉 영역에서 이방성 도전 재료(16)를 경화시키는 제 2 공정과, 이방성 도전 재료(16)의 반도체 소자(20)와의 접촉 영역 이외의 영역을 가열하는 제 3 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR100467946B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020047000090
申请日：1998-01-22
申请人： 로무 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/544 , G01P3/488 , H01L21/563 , H01L23/3135 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2223/54426 , H01L2224/05554 , H01L2224/1147 , H01L2224/13016 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/2939 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/78281 , H01L2224/78301 , H01L2224/81136 , H01L2224/8114 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83104 , H01L2224/83136 , H01L2224/8319 , H01L2224/83851 , H01L2224/83856 , H01L2224/83907 , H01L2224/85181 , H01L2224/90 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 본 발명은 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체장치는 제 1 및 제 2 반도체 칩(14, 16)을 포함하고, 제 1 반도체 칩(14)의 표면에는 복수의 제 1 전극이 형성되고, 제 2 반도체 칩(16)의 표면에도 또 복수의 제 2 전극이 형성되며, 각각의 표면이 대향하고, 이것에 의해 복수의 제 1 전극과 복수의 제 2 전극이 각각 접속되고, 각각의 표면에는 또한 회로소자가 형성되고, 이 회로소자는 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩에 의해 피복되어 감추어지며, 제 1 반도체 칩(14) 및 제 2 반도체 칩(16)의 접속부분은 방습성이 우수한 합성수지로 패키지(26)로 되며, 제 1 반도체 칩(14) 및 제 2 반도체 칩(16)의 전체가 밀착성이 우수한 제 2 합성수지로 패키지(22)된 것을 특징으로 한다.
摘要翻译： 一种半导体器件包括第一和第二半导体芯片。 第一半导体芯片在其表面上形成有多个第一电极，而第二半导体芯片在其表面上形成有多个第二电极。 这些表面彼此面对，从而连接第一电极和第二电极。 各个表面由电路元件形成。 电路元件被第一半导体芯片和第二半导体芯片覆盖。第一半导体芯片和第二半导体芯片在它们的连接部分处被耐湿性优异的合成树脂包封。 第一半导体芯片和第二半导体芯片通过粘合性优异的第二合成树脂整体封装。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020010023414A
公开(公告)日：2001-03-26
申请号：KR1020007002056
申请日：1999-06-25
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 하시모토노부아키
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/29 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/83095 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83851 , H01L2224/83859 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/90 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/112 , H05K1/189 , H05K3/28 , H05K3/284 , H05K3/323 , H05K2201/0394 , H05K2201/09472 , H05K2201/10674 , H05K2203/0278 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644
摘要： 기판(12)의배선패턴(10)이형성된면(18)과반도체소자(20)의전극(22)이형성된면(24)과의사이에이방성도전재료(16)를개재시키는제 1 공정과, 반도체소자(20)와기판(12)과의사이에압력을가하여배선패턴(10)과전극(22)을전기적으로도통시키고, 이방성도전재료(16)를반도체소자(20)의측면(28)의적어도일부에도달할때까지주입시키는제 2 공정을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020000064686A
公开(公告)日：2000-11-06
申请号：KR1019980707403
申请日：1998-01-22
申请人： 로무 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L23/02
CPC分类号： H01L23/544 , G01P3/488 , H01L21/563 , H01L23/3135 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2223/54426 , H01L2224/05554 , H01L2224/1147 , H01L2224/13016 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/2939 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/78281 , H01L2224/78301 , H01L2224/81136 , H01L2224/8114 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83104 , H01L2224/83136 , H01L2224/8319 , H01L2224/83851 , H01L2224/83856 , H01L2224/83907 , H01L2224/85181 , H01L2224/90 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 본발명은반도체장치및 그제조방법에관한것으로서, 반도체장치는제 1 및제 2 반도체칩(14, 16)을포함하고, 제 1 반도체칩(14)의표면에는복수의제 1 전극이형성되고, 제 2 반도체칩(16)의표면에도또 복수의제 2 전극이형성되며, 각각의표면이대향하고, 이것에의해복수의제 1 전극과복수의제 2 전극이각각접속되고, 각각의표면에는또한회로소자가형성되고, 이회로소자는제 1 반도체칩 및제 2 반도체칩에의해덮여감추어지며, 제 1 반도체칩(14) 및제 2 반도체칩(16)의접속부분은방습성이우수한합성수지로패키지(26)되며, 제 1 반도체칩(14) 및제 2 반도체칩(16)의전체가밀착성이우수한제 2 합성수지로패키지(22)된것을특징으로한다.
摘要翻译： 一种半导体器件包括第一和第二半导体芯片（14,16），多个第一电极形成在第一半导体芯片（14）的表面上， 所述第二电极和第二电极也可以是多个半导体芯片16的连表面被形成，每个的两个面的表面，以及多个连接在第一电极和每个所述多个第二电极中的结果，在其每个表面 并且，第一半导体芯片14和第二半导体芯片16的连接部分被具有优异防潮性能的合成树脂覆盖，并且封装26 并且第一半导体芯片14和第二半导体芯片16整体封装在具有优异粘附性的第二合成树脂中。
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