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公开(公告)号：KR1020100094472A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020107011270
申请日：2008-11-11
CPC分类号： H01L51/5088 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0068 , H01L51/0078 , H01L51/5012
摘要： 본 발명의 유기 EL소자는, 양극과, 음극(Al층(15))과, 양극과 음극의 사이에 배치되어 발광층(14)을 포함하는 유기층(20)을 구비한다. 양극 중 적어도 유기층(20)측은 투명한 산화물 반도체층(ITO층(12))으로 이루어진다. 산화물 반도체층과 유기층(20)의 사이에 산화 몰리브덴층이 배치되어 있다. 그리고, 산화 몰리브덴층을 두께가 균일한 층이라고 가정했을 때의 산화 몰리브덴층의 두께가 2nm 미만이다.
摘要翻译： 本发明的有机EL器件包括阳极，阴极（Al层15）以及设置在阳极和阴极之间并包括发光层14的有机层20。 至少阳极的有机层20侧由透明氧化物半导体层（ITO层12）制成。 氧化物半导体层与有机层20之间配置有氧化钼层。 并且，假定氧化钼层是具有均匀厚度的层，则氧化钼层的厚度小于2nm。
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公开(公告)号：KR1020160098283A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167016806
申请日：2014-12-16
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/78618 , C09D5/008 , C09D7/61 , C09D169/00 , H01L21/385 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L21/0231 , H01L21/324 , H01L2924/068
摘要： 본발명은, 진공하 내지저압하에있어서의각 프로세스를이용하는일 없이, 또는고가의설비를이용하는일 없이, 소스/드레인영역을자기정합적으로형성하는것을간편하게실현할수 있는박막트랜지스터, 및그 제조방법을제공하는것을과제로한다. 본발명의하나인박막트랜지스터의제조방법은, 본반도체층(20) 상에게이트절연층(30)을사이에두고배치된게이트전극층(40)과, 반도체층(20)을덮는, 반도체층(20)을 n형또는 p형의반도체층으로하는도펀트를갖는지방족폴리카보네이트층(50)을형성하는, 지방족폴리카보네이트층형성공정과, 그도펀트를반도체층(20) 중에도입하는동시에, 지방족폴리카보네이트층(50)을분해하는온도로가열하는가열공정을포함한다.
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公开(公告)号：KR101550473B1
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020107011270
申请日：2008-11-11
CPC分类号： H01L51/5088 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0068 , H01L51/0078
摘要： 본발명의유기 EL소자는, 양극과, 음극(Al층(15))과, 양극과음극의사이에배치되어발광층(14)을포함하는유기층(20)을구비한다. 양극중 적어도유기층(20)측은투명한산화물반도체층(ITO층(12))으로이루어진다. 산화물반도체층과유기층(20)의사이에산화몰리브덴층이배치되어있다. 그리고, 산화몰리브덴층을두께가균일한층이라고가정했을때의산화몰리브덴층의두께가 2nm 미만이다.
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公开(公告)号：KR100971644B1
公开(公告)日：2010-07-26
申请号：KR1020087021165
申请日：2007-01-31
IPC分类号： H03K19/20
CPC分类号： H03K19/0002
摘要： (과제)
3
3^2 =19683 종류가 존재하는 모든 2변수 3치 논리 함수 회로를 실현하기 위해 필요하게 되는 기본 회로의 종류를 현저하게 삭감함과 함께, 스위칭 시간의 비대칭성도 현저하게 작게 할 수 있고, 또한 논리 함수 회로의 동작 속도의 향상 및 파형의 대칭성 향상을 도모할 수 있는 3치 논리 함수 회로를 제공한다.
(해결 수단)
3치 논리 함수 회로는, 제 1 입력 a 를 구성하는 3 개의 논리값 -1, 0, 1 에 따라 1변수 3치 논리 함수 회로 (C1, D1, C3, D3) 에 의해 3 개의 트랜스퍼 게이트 (T1, T2, T3) 를 도통 또는 차단하고, 제 2 입력 b 에 접속되는 3 개의 1변수 3치 논리 함수 회로 (B1, B2, B3) 의 출력을 선택한다. 트랜스퍼 게이트 (T2) 는, 2 개의 n 형 MOS 트랜지스터를 직렬로 접속한 스위치쌍과, 2 개의 p 형 MOS 트랜지스터를 직렬로 접속한 스위치쌍을 병렬로 접속하여 구성된다.
2변수 3치 논리 함수 회로, MOS 트랜지스터, 스랜스퍼 게이트, 논리 연산-
公开(公告)号：KR1020170141668A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020177029579
申请日：2016-03-14
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L29/786 , H01L21/02205 , H01L21/31144 , H01L21/324 , H01L29/7869
摘要： 본발명의하나의스크린인쇄용의에칭마스크(80)는, 지방족폴리카보네이트를포함한다. 또한, 본발명의하나의산화물층(채널(44))의제조방법은, 지방족폴리카보네이트를포함하는에칭마스크(80)의패턴을형성하는에칭마스크형성공정과, 그에칭마스크형성공정후에, 에칭마스크(80)에의해보호되어있지않은산화물층(채널(44))을용해시키는용액에접촉시키는접촉공정과, 그접촉공정후에, 산화물층(채널(44)) 및에칭마스크(80)를에칭마스크(80)가분해되는온도이상으로가열하는가열공정을포함한다.
摘要翻译： 本发明的用于丝网印刷的一个蚀刻掩模80包含脂肪族聚碳酸酯。 另外，制造本发明的一个氧化物层（沟道44）的方法包括：蚀刻掩模形成步骤，形成包括脂族聚碳酸酯的蚀刻掩模80的图案， 接触不被掩模覆盖80到该溶液中，以溶解和，在接触步骤之后的氧化物层（信道44）（信道44）接触，蚀刻所述氧化物层的步骤，和蚀刻掩模80， 并且将用于将掩模80加热到比掩模80分解温度更高的温度的加热工艺。
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6.发明公开산화물의 전구체, 산화물층, 반도체 소자, 및 전자 디바이스, 그리고 산화물층의 제조방법 및 반도체 소자의 제조방법 审中-实审氧化物前体，氧化物层，半导体元件，和一个电子装置，以及一种制造半导体器件和制造该氧化物层的方法的方法的
公开(公告)号：KR1020170095808A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020177011097
申请日：2015-10-05
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/12 , C23C18/1279 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/288 , H01L29/786 , C23C18/1208 , H01L21/02205 , H01L21/02554
摘要： 본발명은전자디바이스또는반도체소자에채용될수 있는박막을인쇄법에의해형성할때에, 예사성(曳絲性)을제어할수 있는지방족폴리카보네이트, 산화물의전구체, 및산화물층을제공한다. 본발명의하나인산화물의전구체는, 분자량이 6천이상 40만이하인지방족폴리카보네이트의비율이해당지방족폴리카보네이트전체의 80 질량% 이상인, 상술한지방족폴리카보네이트로이루어지는바인더(불가피불순물을포함할수 있음)를포함하는용액속에, 산화되었을때에금속산화물이되는금속의화합물을분산시킨것이다. 그결과, 도 1에나타내는바와같이, 반도체소자의제조에사용할수 있는양호한패턴을형성할수가있다.
摘要翻译： 本发明提供的前体，以及脂肪族聚碳酸酯的氧化物层，其可控制的氧化物，例如，放射性（曳丝性）由可在印刷方法中的电子装置或半导体装置中使用的薄膜形成的时间。 本发明的氧化物之一的前体具有的相应的脂族聚碳酸酯仆人脂肪族聚碳酸酯的小于6000或多个400比002 80质量％，由上述脂肪族聚碳酸酯（其可以包含不可避免的杂质的粘合剂的分子量 ）分散在含有金属化合物的溶液中，该金属化合物在氧化时成为金属氧化物。 其结果是，如示于图1，它能够形成可以在半导体器件的制造中使用的良好的图案。
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公开(公告)号：KR100824575B1
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020067022092
申请日：2005-03-25
摘要： 절연성 재료로 형성된 유로에 그 유로의 단면적보다도 현저하게 작은 단면적을 갖는 협소부를 형성하고, 그 유로 및 협소부에 도전성 액체를 채운 후, 상기 협소부에 전계가 통과하도록 그 협소부에 전계를 인가하여, 상기 협소부에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마의 발생 방법 및 원소 분석 방법. 절연성 재료로 형성된 유로에 그 유로의 단면적보다도 현저하게 작은 단면적을 갖는 협소부가 배치되고, 상기 협소부에 전계가 통과하도록 그 협소부에 전계를 인가하기 위한 수단이 배치되어 이루어지는 플라즈마의 발생 장치 및 상기 플라즈마의 발생 장치를 갖는 발광 분광 분석 장치.
플라즈마 발생 장치-
公开(公告)号：KR1020070060098A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020077007144
申请日：2005-09-09
CPC分类号： C12N1/02 , C08B37/0012 , C08B37/0015 , C12M33/00
摘要： A cell sheet detaching agent comprising an aminated polyrotaxane. The polyrotaxane constituting the skeleton of this cytodetaching agent has such a structure that multiple cyclic molecules are arranged so as to have a linear molecule pass therethrough, the linear molecule at both ends thereof having bulky caps bonded thereto so as to prevent dropping of the cyclic molecules therefrom. The aminated polyrotaxane contained in the cytodetaching agent is a compound resulting from replacement of at least some of hydroxyls of the cyclodextrin skeleton contained in the polyrotaxane by an amino-having substituent. By the use of this cell sheet detaching agent, cultured cells adhering to a container surface can be detached without causing any cell damaging and without the need to conduct temperature control.
摘要翻译： 一种包含胺化聚轮烷的细胞片分离剂。 构成该细胞增敏剂骨架的聚轮烷具有使多个环状分子排列成线性分子通过的结构，其两端的直链状分子具有与其结合的庞大的帽，以防止环状分子的滴落 由此。 包含在细胞悬液中的胺化聚轮烷是由具有氨基取代基的聚轮烷中所含的环糊精骨架的至少一部分的羟基置换而成的化合物。 通过使用这种细胞片分离剂，可以分离附着在容器表面上的培养细胞，而不会引起任何细胞破坏并且不需要进行温度控制。
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公开(公告)号：KR102147816B1
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：KR1020167005121
申请日：2014-07-04
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/66 , H01L29/786 , C01G15/00
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公开(公告)号：KR102055549B1
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：KR1020180020512
申请日：2018-02-21
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M4/38 , H01M10/0525
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