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公开(公告)号：KR1020110094465A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100013855
申请日：2010-02-16
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/09517 , H01L2224/32225 , H01L2224/33517 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , Y10S438/948 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： PURPOSE: A land grid array package capable of decreasing a height difference between a land and a solder resist are provided to suppress the crack of a semiconductor chip by forming a support layer lower than a solder resist layer which is arranged in the bottom of the substrate. CONSTITUTION: In a land grid array package capable of decreasing a height difference between a land and a solder resist, a semiconductor package manufacturing substrate comprises a plurality of lands(104) on the bottom. A semiconductor chip is loaded on the top of a substrate. A connection member connects the semiconductor chip to a substrate. A support layer(118A) is partly installed on the land surface of the substrate. The height of the support layer is lower than the solder resist which is formed on the substrate.
摘要翻译： 目的：提供能够降低焊盘和阻焊剂之间的高度差的焊盘阵列封装，以通过形成比布置在基板的底部中的阻焊层更低的支撑层来抑制半导体芯片的裂纹 。 构成：在能够降低焊盘和阻焊剂之间的高度差的焊盘栅格阵列封装中，半导体封装制造衬底包括底部上的多个焊盘（104）。 将半导体芯片装载到基板的顶部。 连接构件将半导体芯片连接到基板。 支撑层（118A）部分地安装在基板的表面上。 支撑层的高度低于形成在基板上的阻焊剂。
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公开(公告)号：KR1020160052434A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：KR1020150153783
申请日：2015-11-03
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 가도구치다쿠야
IPC分类号： H01L25/11 , H01L23/538 , H01L23/495 , H01L23/492
CPC分类号： H01L24/27 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27848 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/3303 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/33517 , H01L2224/73215 , H01L2224/83455 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 반도체장치(2)는, 제1 반도체소자(3)와제2 반도체소자(5)가제1 도전부재(10)와제2 도전부재(29)를구비한다. 상기제1 반도체소자상의제1 전극(3a)이상기제1 도전부재의제1 적층부(12)에제1 접합층(8a)에의해접합되어있다. 상기제2 반도체소자상의제2 전극(5b)이상기제2 도전부재의제2 적층부(25)에제2 접합층(8f)에의해접합되어있다. 상기제1 도전부재의제1 조인트부(13)와상기제2 도전부재의제2 조인트부(26)가중간접합층(8g)에의해접합되어있다. 상기제1 조인트부의상기제2 조인트부에대향하는제1 면과, 상기제1 조인트부의당해제1 면에계속되는측면과, 상기제2 조인트부의상기제1 조인트부에대향하는제2 면과, 상기제2 조인트부의당해제2 면에계속되는측면이, 니켈층(19a, 19b)으로덮여져있다.
摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中在用于接合第一接合部分和第二接合部分的中间接合层中抑制EM现象。 半导体器件（2）具有包括第一导电部件（10）和第二导电部件（29）的第一半导体元件（3）和第二半导体元件（5）。 第一半导体元件上的第一电极（3a）通过第一接合层（8a）接合到第一导电部件的第一层叠部分（12）。 第二半导体元件上的第二电极（5b）通过第二接合层（8f）接合到第二导电构件的第二层压部分（25）。 第一导电构件的第一接合部分（13）和第二导电构件的第二接合部分（26）通过中间接合层（8g）彼此接合。 面对第一接合部的第二接合部的第一面，与第一接合部的对应的第一面连接的侧面，与第二接头部的第一接合部相对的第二面，以及与第 第二接合部分的对应的第二表面被镍层（19a，19b）覆盖。
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公开(公告)号：KR1020170051474A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020177008804
申请日：2015-08-31
申请人： 인벤사스 코포레이션
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/18 , H01L25/10 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC分类号： H01L24/09 , B81B7/008 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L21/565 , H01L21/76877 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/89 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/10 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/08225 , H01L2224/09181 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/33517 , H01L2224/48135 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/80001 , H01L2224/81005 , H01L2224/92124 , H01L2224/92133 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/1511 , H01L2924/15153 , H01L2924/15192 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要： 다중-칩모듈(MCM)에서, "수퍼"칩(110N)은다수의 "일반"칩에부착된다(110F' "수퍼" 및 "일반 " 칩들은임의의칩들일수 있음). 수퍼칩은배선보드(WB) 위에위치되지만, 적어도일부의일반칩(110F)들아래에위치된다. 일반칩은수퍼칩과중첩된다. 추가로, 일반칩의저속 IO는본드와이어(예컨대, BVA들) 또는솔더스택과같은긴 직접연결에의해 WB에연결될수 있으며, 이러한연결은수퍼칩과나란히배치될수 있다. 이러한연결은길 수있으므로수퍼칩은얇을필요가없다. 또한, 관통-기판비아(TSV)가생략되면, 제조수율이높고제조비용이낮다. 원하는물리적및 전기적특성들을얻기위해짧고긴 직접연결들을결합하는다른구조들이제공된다.
摘要翻译： 在多芯片模块（MCM）中，“超”芯片110N被附接到多个“通用”芯片（110F“”超级“和”通用“芯片可以是任何芯片）。 超级芯片位于布线板WB上方，但是至少一些普通芯片110F。 通用芯片与超级芯片重叠。 另外，通用芯片的低速IO可以通过诸如键合线（例如BVA）或焊料堆的长直接连接而连接到WB，并且这种连接可以与超级芯片并排布置。 由于这种连接可能很长，超级芯片不需要很薄。 而且，如果省略通孔通孔（TSV），则制造成品率高且制造成本低。 提供了其他结构，其将短期和长期直接连接结合以获得期望的物理和电气性质。
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公开(公告)号：KR1020140017445A
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020130090634
申请日：2013-07-31
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4814 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/48 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/08221 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13647 , H01L2224/27825 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/29647 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/33517 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/9211 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953
摘要： The present invention relates to a method for producing a bonding pad for thermocompression bonding. The method includes a providing step (202) and a deposition step (204). In the providing step (202), a carrier material (102) of a semiconductor structure is provided. In this case, the outermost edge layer of the carrier material (102) is made of a wiring metal layer (106) for the electric contact of the semiconductor structures. In the deposition step (204), a single-layer bonding metal layer (104) is directly deposited on the surface of the wiring metal layer (106) to manufacture a bonding pad (100).
摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造用于热压接的接合焊盘的方法。 该方法包括提供步骤（202）和沉积步骤（204）。 在提供步骤（202）中，提供半导体结构的载体材料（102）。 在这种情况下，载体材料（102）的最外边缘层由用于半导体结构的电接触的布线金属层（106）制成。 在沉积步骤（204）中，在布线金属层（106）的表面上直接沉积单层结合金属层（104）以制造焊盘（100）。
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公开(公告)号：KR101759398B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020150153783
申请日：2015-11-03
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 가도구치다쿠야
IPC分类号： H01L25/11 , H01L23/538 , H01L23/495 , H01L23/492
CPC分类号： H01L24/27 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27848 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/3303 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/33517 , H01L2224/73215 , H01L2224/83455 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 반도체장치(2)는, 제1 반도체소자(3)와제2 반도체소자(5)가제1 도전부재(10)와제2 도전부재(29)를구비한다. 상기제1 반도체소자상의제1 전극(3a)이상기제1 도전부재의제1 적층부(12)에제1 접합층(8a)에의해접합되어있다. 상기제2 반도체소자상의제2 전극(5b)이상기제2 도전부재의제2 적층부(25)에제2 접합층(8f)에의해접합되어있다. 상기제1 도전부재의제1 조인트부(13)와상기제2 도전부재의제2 조인트부(26)가중간접합층(8g)에의해접합되어있다. 상기제1 조인트부의상기제2 조인트부에대향하는제1 면과, 상기제1 조인트부의당해제1 면에계속되는측면과, 상기제2 조인트부의상기제1 조인트부에대향하는제2 면과, 상기제2 조인트부의당해제2 면에계속되는측면이, 니켈층(19a, 19b)으로덮여져있다.
摘要翻译： 半导体器件2包括第一半导体元件3和第二半导体元件5，第一导电构件10和第二导电构件29。 第一半导体元件上的第一电极3a通过第一接合层8a接合到基底1导电构件的第一层压体部分12。 并且，第二半导体元件的第二电极5b通过第二接合层8f接合于基底2导电部件的第二层叠部25。 第一导电构件的第一接合部分13和第二基底导电构件的第二接合部分26通过加权间接层压层8g接合。 面对第一表面和在本领域中持续所述第一接合部的所述第一面侧的表面，的第2部分接合的第二表面，所述第一关节相对于第一接合部的第二接合部，并 在第二接合部分的第二表面之后的侧表面被镍层19a和19b覆盖。
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公开(公告)号：KR101679479B1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020140172927
申请日：2014-12-04
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/065 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/4867 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3736 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29147 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33517 , H01L2224/33519 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要： 본발명은패키지에관한것으로서, 패키지는바닥기판과, 바닥기판위에서바닥기판에본딩되는바닥다이를포함한다. 금속입자를포함하는금속입자함유화합재료가바닥다이의상부면위의위치된다. 몰딩재료가적어도바닥다이의하부를내부에몰딩하며바닥기판위에위치된다.
摘要翻译： 封装包括底部基板和底部模具，并且结合到底部基板。 含金属颗粒的复合材料覆盖在底模的顶表面上，其中含金属颗粒的复合材料包括金属颗粒。 模制材料在其中模制底模的至少下部，其中模制材料覆盖在底部基底上。
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公开(公告)号：KR101633398B1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：KR1020100013855
申请日：2010-02-16
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/09517 , H01L2224/32225 , H01L2224/33517 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , Y10S438/948 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 랜드그리드어레이(Land Grid Array) 패키지및 반도체패키지에서반도체패키지제조용기판의랜드및 솔더레지스트층의단차를감소시켜반도체칩의가해지는손상을억제할수 있는랜드그리드어레이패키지및 반도체패키지에관해개시한다. 이를위해본 발명은랜드그리드어레이패키지혹은반도체패키지에포함된기판의랜드표면에솔더레지스트로이루어지고, 기판의밑면에존재하는솔더레지스트층의높이와같거나더욱낮은지지층을별도로형성한다. 따라서, 상기지지층이반도체칩이탑재된기판이휘어지는것을지지하여반도체칩의크랙(crack)을억제할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150065160A
公开(公告)日：2015-06-12
申请号：KR1020140172927
申请日：2014-12-04
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/065 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/4867 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3736 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29147 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33517 , H01L2224/33519 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L25/074 , H01L23/28 , H01L25/0657
摘要： 본발명은패키지에관한것으로서, 패키지는바닥기판과, 바닥기판위에서바닥기판에본딩되는바닥다이를포함한다. 금속입자를포함하는금속입자함유화합재료가바닥다이의상부면위의위치된다. 몰딩재료가적어도바닥다이의하부를내부에몰딩하며바닥기판위에위치된다.
摘要翻译： 本发明涉及一种包装。 封装包括底部基板和底部基板上的底部模具，并且结合到底部基板。 含金属颗粒的复合材料覆盖在底模的顶表面上，其中含金属颗粒的复合材料包括金属颗粒。 模制材料在其中模制底模的至少下部，其中模制材料覆盖在底部基底上。
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