公开(公告)号：TW346659B

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：TW086113979

申请日：1997-09-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 翁俊文 ,  薛瑞雲

IPC: H01L

Abstract: 一種金屬電容器的製造方法及其結構，在矽基板的表面覆蓋金屬材料，使用微影與蝕刻技術，蝕刻金屬層定義出電容器的下層電極板，接著，在表面沉積一層介電材料，形成電容器的介電層，然後，在介電層的表面覆蓋一層金屬材料，以微影與蝕刻技術，蝕刻金屬層，形成電容器的上層電極板，在表面沉積一層介電層，作為電容器的中間金屬介電層，以化學機械研磨法對中間金屬介電層進行平坦化處理，最後，在中間金屬介電層之中形成數個接觸孔，露出上層電極板，回填金屬材料至接觸孔之中並覆蓋在表面，定義金屬材料的圖案，形成上層電極板的導電層，完成金屬電容器的製造。

Abstract in simplified Chinese: 一种金属电容器的制造方法及其结构，在硅基板的表面覆盖金属材料，使用微影与蚀刻技术，蚀刻金属层定义出电容器的下层电极板，接着，在表面沉积一层介电材料，形成电容器的介电层，然后，在介电层的表面覆盖一层金属材料，以微影与蚀刻技术，蚀刻金属层，形成电容器的上层电极板，在表面沉积一层介电层，作为电容器的中间金属介电层，以化学机械研磨法对中间金属介电层进行平坦化处理，最后，在中间金属介电层之中形成数个接触孔，露出上层电极板，回填金属材料至接触孔之中并覆盖在表面，定义金属材料的图案，形成上层电极板的导电层，完成金属电容器的制造。

公开(公告)号：TW283801B

公开(公告)日：1996-08-21

申请号：TW084108131

申请日：1995-08-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 薛瑞雲

IPC: H01L

Abstract: 一種包括兩層多晶矽層的結構及其製法。第一多晶矽層，係覆蓋在一氧化物層的一部分上，以便在氧化物層下的基質受到離子植入時，該基質免受到過多的離子而形成一低濃度摻雜區。第二多晶層係填塞在該氧化物層及該第一多晶矽層所形成之兩角落內，藉此使該低濃度摻雜區兩旁之第二多晶矽層下分別形成高濃度的摻雜區，以致於能使該半導體元件能在高電流下運作也不會產生漏電現象。

Abstract in simplified Chinese: 一种包括两层多晶硅层的结构及其制法。第一多晶硅层，系覆盖在一氧化物层的一部分上，以便在氧化物层下的基质受到离子植入时，该基质免受到过多的离子而形成一低浓度掺杂区。第二多晶层系填塞在该氧化物层及该第一多晶硅层所形成之两角落内，借此使该低浓度掺杂区两旁之第二多晶硅层下分别形成高浓度的掺杂区，以致于能使该半导体组件能在高电流下运作也不会产生漏电现象。