公开(公告)号：TW533484B

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：TW090117187

申请日：2001-07-13

Applicant: 特許半導體製造公司

Inventor： 詹姆斯李雍盟 ,  李霞 ,  張强雲

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66583

Abstract: 一緩衝層及一閘極介電層覆接於一基板上，該基板具有至少一主動區，一犧牲氧化層形成覆蓋於該閘極介電層上，一氮化層形成覆蓋於該犧牲氧化層上，氮化層被圖案蝕刻，以在主動區內形成一開口於其中，而在該開口內曝露出一部份的犧牲氧化層，在開口內的部份犧牲氧化層被去除後，以在開口中曝露出一部份的底部閘極介電層，在該開口內的一閘極電極係形成覆蓋於該部份的閘極介電層上，殘留的氮化層被選擇性地移除，然後去除及移除殘留的犧牲氧化層。

Abstract in simplified Chinese: 一缓冲层及一闸极介电层覆接于一基板上，该基板具有至少一主动区，一牺牲氧化层形成覆盖于该闸极介电层上，一氮化层形成覆盖于该牺牲氧化层上，氮化层被图案蚀刻，以在主动区内形成一开口于其中，而在该开口内曝露出一部份的牺牲氧化层，在开口内的部份牺牲氧化层被去除后，以在开口中曝露出一部份的底部闸极介电层，在该开口内的一闸极电极系形成覆盖于该部份的闸极介电层上，残留的氮化层被选择性地移除，然后去除及移除残留的牺牲氧化层。

公开(公告)号：TW490811B

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：TW090109520

申请日：2001-05-03

Applicant: 北美億恒科技公司

Inventor： 何莫特 泰司 ,  布萊恩S 李 ,  尤利克 格魯林

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238 ,  H01L27/10864 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/045

Abstract: 一種用以在動態隨機存取記憶體中準備垂直電晶體結構之改良製程，其中渠溝頂端氧化物將底部儲存電容器和開關電晶體隔開，且在其中渠溝的上層部分包括垂直電晶體在其邊牆，以在渠溝裡所有不同的晶面獲得同質的閘極氧化，使得同質厚度與晶體方向無關，其包括： a)使晶圓渠溝邊牆遭受離子轟擊一段時間足夠產生氧化物邊牆之非晶矽層，以及 b)在氧化之空氣下加熱從步驟(a)來之晶圓，導致非晶矽層之氧化及重新晶化。

Abstract in simplified Chinese: 一种用以在动态随机存取内存中准备垂直晶体管结构之改良制程，其中渠沟顶端氧化物将底部存储电容器和开关晶体管隔开，且在其中渠沟的上层部分包括垂直晶体管在其边墙，以在渠沟里所有不同的晶面获得同质的闸极氧化，使得同质厚度与晶体方向无关，其包括： a)使晶圆渠沟边墙遭受离子轰击一段时间足够产生氧化物边墙之非晶硅层，以及 b)在氧化之空气下加热从步骤(a)来之晶圆，导致非晶硅层之氧化及重新晶化。

公开(公告)号：TW420837B

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：TW088104590

申请日：1999-03-23

Applicant: 魯森工業技術股份有限公司

Inventor： 格藍.艾勒 ,  羅伯.福萊明 ,  藍儂.法蘭西斯.史尼莫爾 ,  羅柏特.布.凡.多佛

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本說明書描述具有閘電介質之矽MOS裝置，該閘電介質具有成分Ta1-xAlxOy，其中x為0.03-0.7而y為1.5-3，Ta1-xSixOy，其中x為0.05-0.15而y為1.5-3，以及 Ta1-x-zAlxSizOy，其中70>x+z

Abstract in simplified Chinese: 本说明书描述具有闸电介质之硅MOS设备，该闸电介质具有成分Ta1-xAlxOy，其中x为0.03-0.7而y为1.5-3，Ta1-xSixOy，其中x为0.05-0.15而y为1.5-3，以及 Ta1-x-zAlxSizOy，其中70>x+z<5，z<0.15且y为1.5-3。与标准的SiO2闸电介质材料比较下，这些材料提供改良的电介质性质并且对于高温也保持基本上非结晶的。此阻碍SiO2之形成，其否则会主宰闸电介质性质并减低使用高电介质材料之总效益。

公开(公告)号：TW201605045A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104122461

申请日：2015-07-13

Applicant: 東部高科股份有限公司 ,  DONGBU HITEK CO., LTD.

Inventor： 金東昔 ,  KIM, DONG SEOK ,  李政官 ,  LEE, JEONG GWAN

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

Abstract: 本發明公開了一種半導體器件及其製造方法。半導體器件包括基板以及形成在基板上的MOS電晶體。MOS電晶體包括在基板上形成的第一閘極絕緣層，在第一閘極絕緣層的一側上形成並且厚度大於第一閘極絕緣層的第二閘極絕緣層，在第一閘極絕緣層和第二閘極絕緣層上形成的閘極，鄰近第一閘極絕緣層的源區，以及鄰近第二閘極絕緣層的漏區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括基板以及形成在基板上的MOS晶体管。MOS晶体管包括在基板上形成的第一闸极绝缘层，在第一闸极绝缘层的一侧上形成并且厚度大于第一闸极绝缘层的第二闸极绝缘层，在第一闸极绝缘层和第二闸极绝缘层上形成的闸极，邻近第一闸极绝缘层的源区，以及邻近第二闸极绝缘层的漏区。

公开(公告)号：TW201532203A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103144307

申请日：2014-12-18

Applicant: 超捷公司 ,  SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 陳 博邁 ,  CHEN, BOMY ,  蘇 堅昇 ,  SU, CHIEN-SHENG ,  杜 恩漢 ,  DO, NHAN

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/42328 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  H01L21/28238 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7889

Abstract: 本發明揭露一種記憶體裝置及其製造方法，其中一溝槽係經形成於一半導體材料基板中。源極區係經形成於該溝槽下方，且在該源極區與汲極區之間的通道區包括實質上沿著該溝槽之一側壁延伸的一第一部份以及實質上沿著該基板之表面延伸的一第二部份。浮動閘係經設置於該溝槽中且與該通道區第一部份絕緣，而用以控制其導電性。控制閘係經設置於該通道區第二部份上方且與其絕緣而用以控制其導電性。抹除閘係經至少部份地設置於該浮動閘上方且與其絕緣。該對浮動閘之間之該溝槽的任何部份除了該抹除閘的一下部部份以外沒有導電元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种内存设备及其制造方法，其中一沟槽系经形成于一半导体材料基板中。源极区系经形成于该沟槽下方，且在该源极区与汲极区之间的信道区包括实质上沿着该沟槽之一侧壁延伸的一第一部份以及实质上沿着该基板之表面延伸的一第二部份。浮动闸系经设置于该沟槽中且与该信道区第一部份绝缘，而用以控制其导电性。控制闸系经设置于该信道区第二部份上方且与其绝缘而用以控制其导电性。抹除闸系经至少部份地设置于该浮动闸上方且与其绝缘。该对浮动闸之间之该沟槽的任何部份除了该抹除闸的一下部部份以外没有导电组件。

公开(公告)号：TWI447908B

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW095140692

申请日：2006-11-03

Applicant: 高級微裝置公司 ,  ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： 潘南西 ,  PAN, JAMES ,  潘爾林 約翰 ,  PELLERIN, JOHN

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TW201351655A

公开(公告)日：2013-12-16

申请号：TW102129781

申请日：2006-11-03

Applicant: 高級微裝置公司 ,  ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： 潘南西 ,  PAN, JAMES ,  潘爾林 約翰 ,  PELLERIN, JOHN

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 藉由在閘極氧化物層與金屬閘極電極之間形成保護層來達成用於取代金屬閘極電晶體之具有減少的洩漏的薄而有效的閘極氧化物厚度，因而減少應力。實施例包括形成含有金屬碳化物之非晶形碳(amorphous carbon)的保護層，該金屬碳化物之濃度從該金屬閘極電極朝向該閘極氧化物層跨過該保護層而降低。方法之實施例包括移除可移除的閘極，在閘極氧化物層上沉積非晶形碳層，形成金屬閘極電極，及然後在升高的溫度加熱以使金屬從該金屬閘極電極擴散進入該非晶形碳層，因而形成金屬碳化物。實施例亦包括具有高介電常數之閘極氧化物層及矽集中在該金屬閘極電極與基板之介面處之金屬閘極電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 借由在闸极氧化物层与金属闸极电极之间形成保护层来达成用于取代金属闸极晶体管之具有减少的泄漏的薄而有效的闸极氧化物厚度，因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物之非晶形碳(amorphous carbon)的保护层，该金属碳化物之浓度从该金属闸极电极朝向该闸极氧化物层跨过该保护层而降低。方法之实施例包括移除可移除的闸极，在闸极氧化物层上沉积非晶形碳层，形成金属闸极电极，及然后在升高的温度加热以使金属从该金属闸极电极扩散进入该非晶形碳层，因而形成金属碳化物。实施例亦包括具有高介电常数之闸极氧化物层及硅集中在该金属闸极电极与基板之界面处之金属闸极晶体管。

公开(公告)号：TWI327754B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：TW095100262

申请日：2006-01-04

Applicant: 茂德科技股份有限公司

Inventor： 陳中怡 ,  朱志勳 ,  周志文

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/7621 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/76213

Abstract: 一種閘氧化層製備方法首先形成至少二溝渠於一基板之中，該二溝渠之間形成一主動區域。之後，形成介電區塊於該溝渠之中，該介電區塊之上表面不對齊該基板之上表面。接著，進行一摻雜製程，將一含氮摻質植入該主動區域之基板中，該主動區域中心處之基板內的含氮摻質濃度高於該主動區域邊緣處。然後，進行一熱氧化製程以形成一閘氧化層於該主動區域之基板的上表面。藉由該含氮摻質抑制熱氧化反應速率，即可避免該主動區域邊緣處之閘氧化層厚度小於該主動區域中心處之閘氧化層厚度的情形發生。

Abstract in simplified Chinese: 一种闸氧化层制备方法首先形成至少二沟渠于一基板之中，该二沟渠之间形成一主动区域。之后，形成介电区块于该沟渠之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。接着，进行一掺杂制程，将一含氮掺质植入该主动区域之基板中，该主动区域中心处之基板内的含氮掺质浓度高于该主动区域边缘处。然后，进行一热氧化制程以形成一闸氧化层于该主动区域之基板的上表面。借由该含氮掺质抑制热氧化反应速率，即可避免该主动区域边缘处之闸氧化层厚度小于该主动区域中心处之闸氧化层厚度的情形发生。

公开(公告)号：TW200826235A

公开(公告)日：2008-06-16

申请号：TW096126684

申请日：2007-07-20

Applicant: 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

Inventor： 陳冠復 CHEN, KUAN FU ,  陳映仁 CHEN, YIN JEN ,  韓宗廷 HAN, TZUNG TING ,  陳銘祥 CHEN, MING SHANG ,  李士勤 LEE, SHIN CHIN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7885

Abstract: 一種半導體製程,可藉由一些額外步驟,利用習知CMOS製程製作邏輯與記憶元件。然而,此等額外步驟無須增加光罩。由此,該製程可以在同樣的基材上,減低製作邏輯與記憶裝置的複雜度、時間、以及成本,對於嵌入應用尤其顯著。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体制程,可借由一些额外步骤,利用习知CMOS制程制作逻辑与记忆组件。然而,此等额外步骤无须增加光罩。由此,该制程可以在同样的基材上,减低制作逻辑与记忆设备的复杂度、时间、以及成本,对于嵌入应用尤其显着。

公开(公告)号：TW200802862A

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：TW095140692

申请日：2006-11-03

Applicant: 高級微裝置公司 ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： 潘南西 PAN, JAMES ,  潘爾林 約翰 PELLERIN, JOHN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 藉由在閘極氧化物層與金屬閘極電極之間形成保護層來達成用於取代金屬閘極電晶體之具有減少的洩漏的薄而有效的閘極氧化物厚度,因而減少應力。實施例包括形成含有金屬碳化物之非晶形碳(amorphouscarbon)的保護層,該金屬碳化物之濃度從該金屬閘極電極朝向該閘極氧化物層跨過該保護層而降低。方法之實施例包括移除可移除的閘極,在閘極氧化物層上沉積非晶形碳層,形成金屬閘極電極,及然後在升高的溫度加熱以使金屬從該金屬閘極電極擴散進入該非晶形碳層,因而形成金屬碳化物。實施例亦包括具有高介電常數之閘極氧化物層及矽集中在該金屬閘極電極與基板之介面處之金屬閘極電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 借由在闸极氧化物层与金属闸极电极之间形成保护层来达成用于取代金属闸极晶体管之具有减少的泄漏的薄而有效的闸极氧化物厚度,因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物之非晶形碳(amorphouscarbon)的保护层,该金属碳化物之浓度从该金属闸极电极朝向该闸极氧化物层跨过该保护层而降低。方法之实施例包括移除可移除的闸极,在闸极氧化物层上沉积非晶形碳层,形成金属闸极电极,及然后在升高的温度加热以使金属从该金属闸极电极扩散进入该非晶形碳层,因而形成金属碳化物。实施例亦包括具有高介电常数之闸极氧化物层及硅集中在该金属闸极电极与基板之界面处之金属闸极晶体管。