公开(公告)号：TW200709254A

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：TW094129017

申请日：2005-08-24

Applicant: 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 李敏鴻 LEE, MIN HUNG ,  余承曄 YU, CHENG YEH ,  劉致為 LIU, CHEE WEE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/78

Abstract: 一種具選擇性成長之應變鍺層的電晶體裝置及其製造方法,主要係藉由選擇性成長一應變鍺層於基板上,以使源極/汲極區依舊可保持與基板為相同之材質,而應變鍺層主要作為載子通道之用途,藉以提升元件的效能,並且於形成電晶體時,此電晶體的漏電狀況可與現有之矽基場效電晶體相當。

Abstract in simplified Chinese: 一种具选择性成长之应变锗层的晶体管设备及其制造方法,主要系借由选择性成长一应变锗层于基板上,以使源极/汲极区依旧可保持与基板为相同之材质,而应变锗层主要作为载子信道之用途,借以提升组件的性能,并且于形成晶体管时,此晶体管的漏电状况可与现有之硅基场效应管相当。

公开(公告)号：TW200532779A

公开(公告)日：2005-10-01

申请号：TW094105218

申请日：2005-02-22

Applicant: 校際微電子中心 INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ,  寇尼克利凱菲利浦電子公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 巴特洛米 洋 帕拉克 PAWLAK, BARTLOMIEJ JAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明係揭示一種用於製造半導體元件的方法，其係包含：提供一元件，其具有一單晶半導體層於一絕緣層之上，其特徵為：提供一光罩於該半導體層之上，以提供第一屏蔽部分與第一未屏蔽部分；非晶化該第一未屏蔽部分，以產生該單晶半導體層之第一非晶化部分；植入一第一摻雜質於該第一非晶化部分中；當運用該第一屏蔽部分作為單晶種子之時，施加一第一固態磊晶再成長作用至該半導體元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭示一种用于制造半导体组件的方法，其系包含：提供一组件，其具有一单晶半导体层于一绝缘层之上，其特征为：提供一光罩于该半导体层之上，以提供第一屏蔽部分与第一未屏蔽部分；非晶化该第一未屏蔽部分，以产生该单晶半导体层之第一非晶化部分；植入一第一掺杂质于该第一非晶化部分中；当运用该第一屏蔽部分作为单晶种子之时，施加一第一固态磊晶再成长作用至该半导体组件。

公开(公告)号：TW200522169A

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：TW093114428

申请日：2004-05-21

Applicant: 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.

Inventor： 朴啓淳 PARK, KYE-SOON

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66621

Abstract: 本發明係有關於一種在一半導體元件上形成一閘極之方法。上述方法包括下列步驟：連續地形成一閘極絕緣層及一內層絕緣層於一基板上；將上述內層絕緣層圖案化成一預定結構，藉以形成一已圖案化內層絕緣層；形成一氮化層於上述已圖案化內層絕緣層上；同時蝕刻上述氮化層及上述基板，藉以獲得一位於上述已圖案化內層絕緣層之側邊上的間隔物及一在上述基板中具有一預定深度之溝槽；形成一導電層於上述溝槽上；以及平坦化上述導電層，藉以形成上述閘極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种在一半导体组件上形成一闸极之方法。上述方法包括下列步骤：连续地形成一闸极绝缘层及一内层绝缘层于一基板上；将上述内层绝缘层图案化成一预定结构，借以形成一已图案化内层绝缘层；形成一氮化层于上述已图案化内层绝缘层上；同时蚀刻上述氮化层及上述基板，借以获得一位于上述已图案化内层绝缘层之侧边上的间隔物及一在上述基板中具有一预定深度之沟槽；形成一导电层于上述沟槽上；以及平坦化上述导电层，借以形成上述闸极。

公开(公告)号：TWI232548B

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：TW092123474

申请日：2003-08-26

Applicant: 麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 盧安 C. 崔恩 LUAN C. TRAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78 ,  Y10S438/919 ,  Y10S438/975

Abstract: 本發明揭示一種具有一對銦摻雜並由硼包圍之分區之通道區的半導體結構。一對電晶體結構位於該等通道區上，由一隔離區分隔。該等電晶體的閘極較其下之分區寬。本發明還揭示一種具有沿閘極側壁分佈之絕緣隔離層的電晶體結構的半導體結構。各電晶體結構係位於該等隔離層下延伸之一對源極/汲極區域之間。僅在各該電晶體結構之一側，一源極/汲極延伸部分使該源極/汲極區域在該等電晶體結構之下延伸得更遠。本發明還揭示形成半導體結構的方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种具有一对铟掺杂并由硼包围之分区之信道区的半导体结构。一对晶体管结构位于该等信道区上，由一隔离区分隔。该等晶体管的闸极较其下之分区宽。本发明还揭示一种具有沿闸极侧壁分布之绝缘隔离层的晶体管结构的半导体结构。各晶体管结构系位于该等隔离层下延伸之一对源极/汲极区域之间。仅在各该晶体管结构之一侧，一源极/汲极延伸部分使该源极/汲极区域在该等晶体管结构之下延伸得更远。本发明还揭示形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：TWI231547B

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：TW091136446

申请日：2002-12-17

Applicant: 東部電子股份有限公司 DONGBU ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 朴正浩 JEONG HO PARK

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/6659

Abstract: 本發明為提供一種半導體元件之短通道電晶體的製造方法，其特徵為包含下列步驟：在半導體基板上，依序形成第1氧化層、第1氮化層、第2氧化層和第2氮化層；在第2氮化層上，形成規定形狀的第1罩幕；利用第1罩幕，蝕刻前述第2氮化層和第2氧化層；除去第1罩幕；在結果物上形成第1間隔壁層之後，全面蝕刻第1間隔壁層，在前述殘留下來的第2氧化層和第2氮化層側面，形成第1間隔壁，同時在全面蝕刻時，將前述第1間隔壁作為罩幕，蝕刻第1氧化層；在前述構造中露出來的半導體基板上，依序形成閘極絕緣層和閘極傳導體之後，將殘留下來的第2氮化層利用作為化學機械研磨(CMP)的阻絕層(Stop Layer) ，進行化學機械研磨，以形成閘極傳導體；濕蝕刻殘留下來的第2氮化層、第2氧化層、第1氮化層和第1間隔壁；將閘極傳導體作為罩幕，對基板的前面實施LDD植入，以形成LDD；在包含LDD的基板前面，形成第2間隔壁層之後，全面蝕刻前述第2間隔壁層，在閘極傳導體的側面，形成第2間隔壁；將包含第2間隔壁的閘極傳導體，作為罩幕，對基板前面實施源極/汲極植入，以形成源極/汲極區域；除去殘留下來的第1氧化層；以及在閘極傳導體和源極/汲極區域，形成自行對準矽化物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为提供一种半导体组件之短信道晶体管的制造方法，其特征为包含下列步骤：在半导体基板上，依序形成第1氧化层、第1氮化层、第2氧化层和第2氮化层；在第2氮化层上，形成规定形状的第1罩幕；利用第1罩幕，蚀刻前述第2氮化层和第2氧化层；除去第1罩幕；在结果物上形成第1间隔壁层之后，全面蚀刻第1间隔壁层，在前述残留下来的第2氧化层和第2氮化层侧面，形成第1间隔壁，同时在全面蚀刻时，将前述第1间隔壁作为罩幕，蚀刻第1氧化层；在前述构造中露出来的半导体基板上，依序形成闸极绝缘层和闸极传导体之后，将残留下来的第2氮化层利用作为化学机械研磨(CMP)的阻绝层(Stop Layer) ，进行化学机械研磨，以形成闸极传导体；湿蚀刻残留下来的第2氮化层、第2氧化层、第1氮化层和第1间隔壁；将闸极传导体作为罩幕，对基板的前面实施LDD植入，以形成LDD；在包含LDD的基板前面，形成第2间隔壁层之后，全面蚀刻前述第2间隔壁层，在闸极传导体的侧面，形成第2间隔壁；将包含第2间隔壁的闸极传导体，作为罩幕，对基板前面实施源极/汲极植入，以形成源极/汲极区域；除去残留下来的第1氧化层；以及在闸极传导体和源极/汲极区域，形成自行对准硅化物。

公开(公告)号：TWI230440B

公开(公告)日：2005-04-01

申请号：TW093104619

申请日：2004-02-24

Applicant: 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 高衛 GAO, WEI ,  約翰 康利二世 CONLEY, JR., JOHN F. ,  大野芳睦 ONO, YOSHI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一具有金屬間之雙閘MOSFET及用以在此種MOSFET中設定臨界電壓之方法。該方法包括：在第一和第二通道區上面形成閘氧化層；在閘氧化層上面形成具有第一厚度的第一金屬層；在具有第一厚度的第一金屬層上面形成具有第二厚度的第二金屬層；在第一通道區上面選擇性去除第二金屬層；形成第三金屬層；在第一通道區上面建立具有反應於第一和第三金屬層的厚度之閘功函數的第一MOSFET；及在第二通道區上面建立具有反應於第一、第二、及第三金屬層的厚度之組合的閘功函數並且與第一MOSFET互補之第二MOSFET。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一具有金属间之双闸MOSFET及用以在此种MOSFET中设置临界电压之方法。该方法包括：在第一和第二信道区上面形成闸氧化层；在闸氧化层上面形成具有第一厚度的第一金属层；在具有第一厚度的第一金属层上面形成具有第二厚度的第二金属层；在第一信道区上面选择性去除第二金属层；形成第三金属层；在第一信道区上面创建具有反应于第一和第三金属层的厚度之闸功函数的第一MOSFET；及在第二信道区上面创建具有反应于第一、第二、及第三金属层的厚度之组合的闸功函数并且与第一MOSFET互补之第二MOSFET。

公开(公告)号：TW200402884A

公开(公告)日：2004-02-16

申请号：TW092116950

申请日：2003-06-23

Applicant: 瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： 伊藤康悦 YASUYOSHI ITOH ,  上野修一 SHUICHI UENO ,  古田陽雄 HARUO FURUTA ,  味香夏夫 NATSUO AJIKA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本發明之目的是提供半導體裝置及其製造方法，即使在非揮發性記憶器之定標(scaling)之進展情況，亦可以在一個之記憶單元保持多個位元之資訊。本發明之解決手段是在MONOS電晶體之通道部份形成溝TR1。然後，使閘極絕緣膜120中之氮化矽膜122中之包夾溝TR1之源極側部份和汲極側部份，可以用來保持電荷CH1，CH2使之具有作為第1和第2電荷保持部之功能，使用此種構成時，在捕捉電荷CH1後再捕捉電荷CH2之情況時，閘極電極130中之溝TR1內之部份130a擔任屏蔽之任務。假如對閘極電極130施加固定電位時，由於電荷CH1感應之電場EF1之影響不會影響到第2電荷保持部，所以不會妨礙電荷CH2之捕捉。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的是提供半导体设备及其制造方法，即使在非挥发性记忆器之定标(scaling)之进展情况，亦可以在一个之记忆单元保持多个比特之信息。本发明之解决手段是在MONOS晶体管之信道部份形成沟TR1。然后，使闸极绝缘膜120中之氮化硅膜122中之包夹沟TR1之源极侧部份和汲极侧部份，可以用来保持电荷CH1，CH2使之具有作为第1和第2电荷保持部之功能，使用此种构成时，在捕捉电荷CH1后再捕捉电荷CH2之情况时，闸极电极130中之沟TR1内之部份130a担任屏蔽之任务。假如对闸极电极130施加固定电位时，由于电荷CH1感应之电场EF1之影响不会影响到第2电荷保持部，所以不会妨碍电荷CH2之捕捉。

公开(公告)号：TW200402779A

公开(公告)日：2004-02-16

申请号：TW092116580

申请日：2003-06-18

Applicant: 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 劉偉 WEI LIU ,  托史坦B 里爾 THORSTEN B. LILL ,  大衛S L 慕 DAVID S.L. MUI ,  克里斯多夫丹尼斯班奇爾 CHRISTOPHER DENNIS BENCHER

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583

Abstract: 一種製造特徵結構於一縮小尺寸的基材上之方法。該等特徵結構是藉由界定一第一罩幕於該基材的區域上而形成的。該第一罩幕係使用石版印刷術製造的。一第二罩幕然後被保形地（conformably））形成在該第一罩幕的一或多個側壁上。該等特徵結構係藉由將該第一罩幕去除，然後用該第二罩幕作為一蝕刻罩幕來蝕刻該基材而被形成在該基材上。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造特征结构于一缩小尺寸的基材上之方法。该等特征结构是借由界定一第一罩幕于该基材的区域上而形成的。该第一罩幕系使用石版印刷术制造的。一第二罩幕然后被保形地（conformably））形成在该第一罩幕的一或多个侧壁上。该等特征结构系借由将该第一罩幕去除，然后用该第二罩幕作为一蚀刻罩幕来蚀刻该基材而被形成在该基材上。

公开(公告)号：TW508751B

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW090108868

申请日：2001-04-13

Applicant: 特許半導體製造公司

Inventor： 潘陽 ,  詹姆斯李雍盟 ,  林楊曠 ,  耶魯漢卡拉瑪雷瑪 ,  張齊漢 ,  陳蘭 ,  吉薩魁克 ,  拉維聖代依薩

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種用於一MOS元件之升高源極/汲極(S/D)之製造方法，一具有一閘極開口及源極/汲極開口的第一絕緣層係形成覆蓋於一基板上，在閘極開口及源極/汲極(S/D)開口之間的第一絕緣層為間隔塊，形成一LDD光阻罩幕，此LDD光阻罩幕具有開口覆蓋於源極/汲極開口上，植入離子穿過源極/汲極開口，以在基板上形成第一輕摻雜汲極區，然後移除LDD光阻罩幕，在閘極開口及源極/汲極開口中的基板上形成一第一介電層，在源極/汲極開口中的閘極開口及升高源極/汲極(S/D)塊形成一閘極，移除間隔塊，以形成間隔塊開口，將離子植入穿過該間隔塊開口，而形成第二LDD區域，在間隔塊開口中形成第二間隔塊，栓塞開口係形成穿過該升高源極/汲極(S/D)塊，接觸窗栓塞係形成於栓塞開口中，本發明的第一及第二LDD、接觸窗栓塞及升高源極/汲極(S/D)區可減少短通道效應(SCE)。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于一MOS组件之升高源极/汲极(S/D)之制造方法，一具有一闸极开口及源极/汲极开口的第一绝缘层系形成覆盖于一基板上，在闸极开口及源极/汲极(S/D)开口之间的第一绝缘层为间隔块，形成一LDD光阻罩幕，此LDD光阻罩幕具有开口覆盖于源极/汲极开口上，植入离子穿过源极/汲极开口，以在基板上形成第一轻掺杂汲极区，然后移除LDD光阻罩幕，在闸极开口及源极/汲极开口中的基板上形成一第一介电层，在源极/汲极开口中的闸极开口及升高源极/汲极(S/D)块形成一闸极，移除间隔块，以形成间隔块开口，将离子植入穿过该间隔块开口，而形成第二LDD区域，在间隔块开口中形成第二间隔块，栓塞开口系形成穿过该升高源极/汲极(S/D)块，接触窗栓塞系形成于栓塞开口中，本发明的第一及第二LDD、接触窗栓塞及升高源极/汲极(S/D)区可减少短信道效应(SCE)。

公开(公告)号：TW506000B

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：TW090125318

申请日：2001-10-12

Applicant: 海力士半導體股份有限公司

Inventor： 張世億 ,  宣俊協 ,  崔亨福

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明係有關於一種形成高集積MOS電晶體之波紋狀金屬閘電極之方法，能夠容易地除去虛擬多晶矽層；述之方法包括：在晶圓上形成虛擬閘絕緣層，以及虛擬閘之多晶矽層之步驟；在晶圓上形成一內層絕緣層之步驟；磨光內層絕緣層以虛擬多晶矽層之上表面露出之步驟；以及將顯露出來之虛擬多晶矽層以旋轉蝕刻製程進行濕式蝕刻者。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种形成高集积MOS晶体管之波纹状金属闸电极之方法，能够容易地除去虚拟多晶硅层；述之方法包括：在晶圆上形成虚拟闸绝缘层，以及虚拟闸之多晶硅层之步骤；在晶圆上形成一内层绝缘层之步骤；磨光内层绝缘层以虚拟多晶硅层之上表面露出之步骤；以及将显露出来之虚拟多晶硅层以旋转蚀刻制程进行湿式蚀刻者。