公开(公告)号：TWI318503B

公开(公告)日：2009-12-11

申请号：TW095101187

申请日：2006-01-12

Applicant: 富士通微電子股份有限公司

Inventor： 清水義明 ,  鈴木久雄

IPC: H03K

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K3/012

Abstract: 一種位準移位電路以一種較佳方式來維持一電晶體對一輸入信號之致動與閒置回應。該位準移位電路包括一移位電路，用於將具有一第一電壓之一輸入信號，轉換為具有較該第一電壓高之一第二電壓的一輸出信號。該電壓產生電路包括一控制電壓產生電路，用於產生一般具有與一電源供應器之電壓無關的固定電壓位準之控制電壓、與一偏壓產生電路。該偏壓產生電路產生偏壓藉此該移位電路之節點電壓會實質與該控制電壓相等。 A level shift circuit for sustaining the activation and inactivation response of a transistor with respect to an input signal inapreferablemanner. The level shift circuit includes a shift circuit for converting an input signal having a first voltage to an output signal having a second voltage that is higher than the first voltage. The voltage generation circuit includes a control voltage generation circuit, for generating control voltage having a generally constant voltage level irrespective of the level of a power supply voltage, and a bias genera-Lion circuit. The bias generation circuit generates bias voltage so that the node voltage of the shift circuit is substantially equalized with the control voltage. 【創作特點】 發明概要
該位準移位電路21中，該電壓產生電路24產生之偏壓VB相依於該電源供應器電壓VD2之電壓位準。因此，該電源供應器電壓VD2降低會降低該偏壓VB。該偏壓VB降低會降低流過該等電晶體Tr45與Tr46之汲極的電流。參照第4圖，當施用於該等電晶體Tr45與Tr46之汲極的電壓(第4圖之節點電壓Vna與Vnb)較一預定的特定電壓低時，該等NMOS電晶體之操作速度會下降。結果是，該等電晶體Tr45與Tr46無法以完全的產能來使用(第4圖中，當該電源供應器電壓VD2降低至電壓VD2’時，該等節點電壓Vna與Vnb會變得較該特定電壓Vr低)。這會降低該等NMOS電晶體Tr45與Tr46對該輸入信號IN之致動與閒置回應。
本發明提供一種位準移位電路，以一種較佳方式來維持一電晶體對一輸入信號之致動與閒置回應。
本發明之一觀點是一種位準移位電路，包括將一輸入信號轉換為一輸出信號之一移位電路，該輸入信號於一參考電壓與一第一電壓之間移位，該輸出信號於該參考電壓與較該第一電壓高的一第二電壓之間移位。該移位電路包括一第一N通道MOS電晶體，其具有一汲極、供以該參考電壓之一源極、與接收該輸入信號之一閘極。一第二N通道MOS電晶體具有一汲極、供以該參考電壓之一源極、與接收一反換輸入信號之一閘極，該反換輸入信號是該輸入信號之反換版本。一第三N通道MOS電晶體具有一汲極、連接至該第一N通道MOS電晶體之汲極的一源極、與接收一偏壓之一閘極。一第一節點於該第三N通道MOS電晶體之源極與該第一N通道MOS電晶體之汲極間定義。一第四N通道MOS電晶體具有一汲極、連接至該第二N通道MOS電晶體之汲極的一源極、與接收該偏壓之一閘極。一第二節點於該第四N通道MOS電晶體之源極與該第二N通道MOS電晶體之汲極間定義。一第一P通道MOS電晶體具有一閘極、接收該第二電壓之一源極、與連接至該第三N通道MOS電晶體之汲極的一汲極。一第二P通道MOS電晶體具有一閘極、接收該第二電壓之一源極、與連接至該第四N通道MOS電晶體之汲極的一汲極。該第一P通道MOS電晶體之閘極連接至該第二P通道MOS電晶體之汲極，而該第二P通道MOS電晶體之閘極連接至該第一P通道MOS電晶體之汲極。一電壓產生電路產生供應至該移位電路之偏壓。該電壓產生電路包括一控制電壓產生電路，用於產生一般具有與該第二電壓之位準無關的固定位準之一控制電壓。連接至該控制電壓產生電路之一偏壓產生電路產生該偏壓，藉此該第一節點之電壓與該第二節點之電壓會實質與該控制電壓相同。
本發明之另一觀點是設有一位準移位電路之一種半導體裝置，該位準移位電路包括將一輸入信號轉換為一輸出信號之一移位電路，該輸入信號於一參考電壓與一第一電壓之間移位，該輸出信號於該參考電壓與較該第一電壓高的一第二電壓之間移位。該移位電路包括一第一N通道MOS電晶體，其具有一汲極、供以該參考電壓之一源極、與接收該輸入信號之一閘極。一第二N通道MOS電晶體具有一汲極、供以該參考電壓之一源極、與接收一反換輸入信號之一閘極，該反換輸入信號是該輸入信號之反換版本。一第三N通道MOS電晶體具有一汲極、連接至該第一N通道MOS電晶體之汲極的一源極、與接收一偏壓之一閘極。一第一節點於該第三N通道MOS電晶體之源極與該第一N通道MOS電晶體之汲極間定義。一第四N通道MOS電晶體具有一汲極、連接至該第二N通道MOS電晶體之汲極的一源極、與接收該偏壓之一閘極。一第二節點於該第四N通道MOS電晶體之源極與該第二N通道MOS電晶體之汲極間定義。一第一P通道MOS電晶體具有一閘極、接收該第二電壓之一源極、與連接至該第三N通道MOS電晶體之汲極的一汲極。一第二P通道MOS電晶體具有一閘極、接收該第二電壓之一源極、與連接至該第四N通道MOS電晶體之汲極的一汲極。該第一P通道MOS電晶體之閘極連接至該第二P通道MOS電晶體之汲極，而該第二P通道MOS電晶體之閘極連接至該第一P通道MOS電晶體之汲極。一電壓產生電路產生供應至該移位電路之偏壓。該電壓產生電路包括一控制電壓產生電路，用於產生一般具有與該第二電壓之位準無關的固定位準之一控制電壓。連接至該控制電壓產生電路之一偏壓產生電路產生該偏壓，藉此該第一節點之電壓與該第二節點之電壓會實質與該控制電壓相同。
本發明之其他觀點與益處將從下列說明，連同經由示範本發明之原則來繪示的伴隨圖式而更加明顯。
圖式簡單說明
本發明連同其物件與優點，可參照目前較佳實施例以及伴隨圖式之下列說明，而得到最佳的了解，其中：第1圖是一習知技術的一位準移位電路之示意電路圖；第2圖是一根據本發明之一較佳實施例，一位準移位電路之示意電路圖；第3圖是一顯示第2圖之位準移位電路之特性的圖形；而第4圖是一顯示第1圖之位準移位電路之特性的圖形。

Abstract in simplified Chinese: 一种位准移位电路以一种较佳方式来维持一晶体管对一输入信号之致动与闲置回应。该位准移位电路包括一移位电路，用于将具有一第一电压之一输入信号，转换为具有较该第一电压高之一第二电压的一输出信号。该电压产生电路包括一控制电压产生电路，用于产生一般具有与一电源供应器之电压无关的固定电压位准之控制电压、与一偏压产生电路。该偏压产生电路产生偏压借此该移位电路之节点电压会实质与该控制电压相等。 A level shift circuit for sustaining the activation and inactivation response of a transistor with respect to an input signal inapreferablemanner. The level shift circuit includes a shift circuit for converting an input signal having a first voltage to an output signal having a second voltage that is higher than the first voltage. The voltage generation circuit includes a control voltage generation circuit, for generating control voltage having a generally constant voltage level irrespective of the level of a power supply voltage, and a bias genera-Lion circuit. The bias generation circuit generates bias voltage so that the node voltage of the shift circuit is substantially equalized with the control voltage. 【创作特点】 发明概要 该位准移位电路21中，该电压产生电路24产生之偏压VB相依于该电源供应器电压VD2之电压位准。因此，该电源供应器电压VD2降低会降低该偏压VB。该偏压VB降低会降低流过该等晶体管Tr45与Tr46之汲极的电流。参照第4图，当施用于该等晶体管Tr45与Tr46之汲极的电压(第4图之节点电压Vna与Vnb)较一预定的特定电压低时，该等NMOS晶体管之操作速度会下降。结果是，该等晶体管Tr45与Tr46无法以完全的产能来使用(第4图中，当该电源供应器电压VD2降低至电压VD2’时，该等节点电压Vna与Vnb会变得较该特定电压Vr低)。这会降低该等NMOS晶体管Tr45与Tr46对该输入信号IN之致动与闲置回应。 本发明提供一种位准移位电路，以一种较佳方式来维持一晶体管对一输入信号之致动与闲置回应。 本发明之一观点是一种位准移位电路，包括将一输入信号转换为一输出信号之一移位电路，该输入信号于一参考电压与一第一电压之间移位，该输出信号于该参考电压与较该第一电压高的一第二电压之间移位。该移位电路包括一第一N信道MOS晶体管，其具有一汲极、供以该参考电压之一源极、与接收该输入信号之一闸极。一第二N信道MOS晶体管具有一汲极、供以该参考电压之一源极、与接收一反换输入信号之一闸极，该反换输入信号是该输入信号之反换版本。一第三N信道MOS晶体管具有一汲极、连接至该第一N信道MOS晶体管之汲极的一源极、与接收一偏压之一闸极。一第一节点于该第三N信道MOS晶体管之源极与该第一N信道MOS晶体管之汲极间定义。一第四N信道MOS晶体管具有一汲极、连接至该第二N信道MOS晶体管之汲极的一源极、与接收该偏压之一闸极。一第二节点于该第四N信道MOS晶体管之源极与该第二N信道MOS晶体管之汲极间定义。一第一P信道MOS晶体管具有一闸极、接收该第二电压之一源极、与连接至该第三N信道MOS晶体管之汲极的一汲极。一第二P信道MOS晶体管具有一闸极、接收该第二电压之一源极、与连接至该第四N信道MOS晶体管之汲极的一汲极。该第一P信道MOS晶体管之闸极连接至该第二P信道MOS晶体管之汲极，而该第二P信道MOS晶体管之闸极连接至该第一P信道MOS晶体管之汲极。一电压产生电路产生供应至该移位电路之偏压。该电压产生电路包括一控制电压产生电路，用于产生一般具有与该第二电压之位准无关的固定位准之一控制电压。连接至该控制电压产生电路之一偏压产生电路产生该偏压，借此该第一节点之电压与该第二节点之电压会实质与该控制电压相同。 本发明之另一观点是设有一位准移位电路之一种半导体设备，该位准移位电路包括将一输入信号转换为一输出信号之一移位电路，该输入信号于一参考电压与一第一电压之间移位，该输出信号于该参考电压与较该第一电压高的一第二电压之间移位。该移位电路包括一第一N信道MOS晶体管，其具有一汲极、供以该参考电压之一源极、与接收该输入信号之一闸极。一第二N信道MOS晶体管具有一汲极、供以该参考电压之一源极、与接收一反换输入信号之一闸极，该反换输入信号是该输入信号之反换版本。一第三N信道MOS晶体管具有一汲极、连接至该第一N信道MOS晶体管之汲极的一源极、与接收一偏压之一闸极。一第一节点于该第三N信道MOS晶体管之源极与该第一N信道MOS晶体管之汲极间定义。一第四N信道MOS晶体管具有一汲极、连接至该第二N信道MOS晶体管之汲极的一源极、与接收该偏压之一闸极。一第二节点于该第四N信道MOS晶体管之源极与该第二N信道MOS晶体管之汲极间定义。一第一P信道MOS晶体管具有一闸极、接收该第二电压之一源极、与连接至该第三N信道MOS晶体管之汲极的一汲极。一第二P信道MOS晶体管具有一闸极、接收该第二电压之一源极、与连接至该第四N信道MOS晶体管之汲极的一汲极。该第一P信道MOS晶体管之闸极连接至该第二P信道MOS晶体管之汲极，而该第二P信道MOS晶体管之闸极连接至该第一P信道MOS晶体管之汲极。一电压产生电路产生供应至该移位电路之偏压。该电压产生电路包括一控制电压产生电路，用于产生一般具有与该第二电压之位准无关的固定位准之一控制电压。连接至该控制电压产生电路之一偏压产生电路产生该偏压，借此该第一节点之电压与该第二节点之电压会实质与该控制电压相同。 本发明之其他观点与益处将从下列说明，连同经由示范本发明之原则来绘示的伴随图式而更加明显。 图式简单说明 本发明连同其对象与优点，可参照目前较佳实施例以及伴随图式之下列说明，而得到最佳的了解，其中：第1图是一习知技术的一位准移位电路之示意电路图；第2图是一根据本发明之一较佳实施例，一位准移位电路之示意电路图；第3图是一显示第2图之位准移位电路之特性的图形；而第4图是一显示第1图之位准移位电路之特性的图形。

公开(公告)号：TWI313967B

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：TW093108463

申请日：2004-03-29

Applicant: 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 李浩榮 LEE, HO-YOUNG

IPC: H03K

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 本發明揭露一種準位移位裝置,用於高頻操作。準位移位裝置包括第一至第五電晶體。第一電晶體之閘極連接到輸入信號,其源極連接到在低壓値之電壓節點,以及其汲極連接到輸出信號。第二電晶體之閘極連接到輸入信號,其源極連接到在低壓値之電壓節點,以及其汲極連接到輸出信號的反相版本。第三電晶體之閘極連接到第二電晶體的汲極,以及其汲極連接到第一電晶體的汲極。第四電晶體之閘極連接到第一電晶體的汲極,其汲極連接到第二電晶體的汲極,以及其源極連接至在第一高電壓値之電壓供應。第五電晶體之閘極連接到輸入信號,其源極連接到在第一高電壓値之電壓供應,以及其汲極連接到第三電晶體的來源。輸入信號擺盪在第二高電壓値和低壓値之間,並且輸出信號擺盪在第一高電壓値和低壓値之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种准位移位设备,用于高频操作。准位移位设备包括第一至第五晶体管。第一晶体管之闸极连接到输入信号,其源极连接到在低压値之电压节点,以及其汲极连接到输出信号。第二晶体管之闸极连接到输入信号,其源极连接到在低压値之电压节点,以及其汲极连接到输出信号的反相版本。第三晶体管之闸极连接到第二晶体管的汲极,以及其汲极连接到第一晶体管的汲极。第四晶体管之闸极连接到第一晶体管的汲极,其汲极连接到第二晶体管的汲极,以及其源极连接至在第一高电压値之电压供应。第五晶体管之闸极连接到输入信号,其源极连接到在第一高电压値之电压供应,以及其汲极连接到第三晶体管的来源。输入信号摆荡在第二高电压値和低压値之间,并且输出信号摆荡在第一高电压値和低压値之间。

公开(公告)号：TWI264871B

公开(公告)日：2006-10-21

申请号：TW094110460

申请日：2005-04-01

Applicant: 智原科技股份有限公司 FARADAY TECHNOLOGY CORP.

Inventor： 吳志宏 WU, CHIH HUNG ,  魏盟哲 WEG, MENG JER

IPC: H03K

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 本發明係有關於一種可程式位準轉換器，其特徵包括一第一P型場效電晶體、一第一N型場效電晶體、一第二P型場效電晶體、一第二N型場效電晶體、以及一可程式裝置。該第一P型場效電晶體，耦接於一第一電源線及一非反向輸出節點之間，且具有一閘極電極耦接至一反向輸出節點。該第一N型場效電晶體，耦接於該非反向輸出節點及一接地線之間，且具有一閘極電極作為一反向輸入節點。該第二P型場效電晶體耦接於該第一電源線及該反向輸出節點之間，且具有一閘極電極耦接至該非反向輸出節點。該第二N型場效電晶體，耦接於該反向輸出節點與該接地線之間，該第二N型場效電晶體具有一閘極電極作為一非反向輸入節點。該可程式裝置，耦接於該第一電源線及該非反向輸出節點之間，包括至少一第三P型場效電晶體；其中，當該第一P型場效電晶體導通時，該第一可程式裝置可被程式化，用以決定是否將該第三P型場效電晶體並連該第一P型場效電晶體，以改變該第一電源線及該輸出節點間的有效阻抗。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种可进程位准转换器，其特征包括一第一P型场效应管、一第一N型场效应管、一第二P型场效应管、一第二N型场效应管、以及一可进程设备。该第一P型场效应管，耦接于一第一电源线及一非反向输出节点之间，且具有一闸极电极耦接至一反向输出节点。该第一N型场效应管，耦接于该非反向输出节点及一接地线之间，且具有一闸极电极作为一反向输入节点。该第二P型场效应管耦接于该第一电源线及该反向输出节点之间，且具有一闸极电极耦接至该非反向输出节点。该第二N型场效应管，耦接于该反向输出节点与该接地线之间，该第二N型场效应管具有一闸极电极作为一非反向输入节点。该可进程设备，耦接于该第一电源线及该非反向输出节点之间，包括至少一第三P型场效应管；其中，当该第一P型场效应管导通时，该第一可进程设备可被进程化，用以决定是否将该第三P型场效应管并连该第一P型场效应管，以改变该第一电源线及该输出节点间的有效阻抗。

公开(公告)号：TW200637145A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095103323

申请日：2006-01-27

Applicant: 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 中尾友昭 NAKAO, TOMOAKI

IPC: H03K ,  G09G

CPC classification number: G09G3/3685 ,  G09G3/20 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0289 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2330/021 ,  H03K3/356113 ,  H03K19/01855

Abstract: 本發明係一種位準移位電路及使用其之顯示元件驅動電路，其係將P通道型MOS電晶體以第1控制信號，將通道N型MOS電晶體以第2控制信號，分別控制。第1控制信號與第2控制信號係互相獨立。由以資料信號及第3控制信號作為輸入之NOR電路生成第2控制信號。以其他MOS電晶體之閘極電容構成取樣第1電位及GND電位之負載電容。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种位准移位电路及使用其之显示组件驱动电路，其系将P信道型MOS晶体管以第1控制信号，将信道N型MOS晶体管以第2控制信号，分别控制。第1控制信号与第2控制信号系互相独立。由以数据信号及第3控制信号作为输入之NOR电路生成第2控制信号。以其他MOS晶体管之闸极电容构成采样第1电位及GND电位之负载电容。

公开(公告)号：TW200607234A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：TW094110460

申请日：2005-04-01

Applicant: 智原科技股份有限公司 FARADAY TECHNOLOGY CORP.

Inventor： 吳志宏 WU, CHIH HUNG ,  魏盟哲 WEG, MENG JER

IPC: H03K

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 本發明係有關於一種可程式位準轉換器，其特徵包括一第一P型場效電晶體、一第一N型場效電晶體、一第二P型場效電晶體、一第二N型場效電晶體、以及一可程式裝置。該第一P型場效電晶體，耦接於一第一電源線及一非反向輸出節點之間，且具有一閘極電極耦接至一反向輸出節點。該第一N型場效電晶體，耦接於該非反向輸出節點及一接地線之間，且具有一閘極電極作為一反向輸入節點。該第二P型場效電晶體耦接於該第一電源線及該反向輸出節點之間，且具有一閘極電極耦接至該非反向輸出節點。該第二N型場效電晶體，耦接於該反向輸出節點與該接地線之間，該第二N型場效電晶體具有一閘極電極作為一非反向輸入節點。該可程式裝置，耦接於該第一電源線及該非反向輸出節點之間，包括至少一第三P型場效電晶體；其中，當該第一P型場效電晶體導通時，該第一可程式裝置可被程式化，用以決定是否將該第三P型場效電晶體並連該第一P型場效電晶體，以改變該第一電源線及該輸出節點間的有效阻抗。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种可进程位准转换器，其特征包括一第一P型场效应管、一第一N型场效应管、一第二P型场效应管、一第二N型场效应管、以及一可进程设备。该第一P型场效应管，耦接于一第一电源线及一非反向输出节点之间，且具有一闸极电极耦接至一反向输出节点。该第一N型场效应管，耦接于该非反向输出节点及一接地线之间，且具有一闸极电极作为一反向输入节点。该第二P型场效应管耦接于该第一电源线及该反向输出节点之间，且具有一闸极电极耦接至该非反向输出节点。该第二N型场效应管，耦接于该反向输出节点与该接地线之间，该第二N型场效应管具有一闸极电极作为一非反向输入节点。该可进程设备，耦接于该第一电源线及该非反向输出节点之间，包括至少一第三P型场效应管；其中，当该第一P型场效应管导通时，该第一可进程设备可被进程化，用以决定是否将该第三P型场效应管并连该第一P型场效应管，以改变该第一电源线及该输出节点间的有效阻抗。

公开(公告)号：TW200605505A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：TW094119043

申请日：2005-06-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳重輝 CHEN, CHUNG-HUI

IPC: H03K

CPC classification number: H03K17/102 ,  H03K3/356113 ,  H03K17/063

Abstract: 一種數位電位轉換器，用以將輸入訊號由低振幅轉換至高振幅。此數位電位轉換器包括用以拉高輸入訊號至較高電位之驅動訊號的訊號驅動電路。此驅動訊號用來驅動輸出電路，此輸出電路產生具有高電壓電源之振幅之輸出信號。此輸出電路改善了輸入驅動訊號的效能。另外加入訊號步進器，用以分兩段拉高輸出電壓，使效能更加改善。

Abstract in simplified Chinese: 一种数码电位转换器，用以将输入信号由低振幅转换至高振幅。此数码电位转换器包括用以拉高输入信号至较高电位之驱动信号的信号驱动电路。此驱动信号用来驱动输出电路，此输出电路产生具有高电压电源之振幅之输出信号。此输出电路改善了输入驱动信号的性能。另外加入信号步进器，用以分两段拉高输出电压，使性能更加改善。

公开(公告)号：TW200539575A

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：TW093129586

申请日：2004-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳克明 CHEN, KER-MIN ,  陳國基 CHEN, KUO-JI

IPC: H03L

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K17/102

Abstract: 本發明係關於一積體電路裝置及其製程方法，尤其是有關於一具有交叉閂鎖(cross–latched)電壓位準轉換器(voltage level shifter)的積體電路。該積體電路用於電壓位準轉換，包含一輸入／輸出端，以及一輸入／輸出電路，耦接於該輸出端，包含複數裝置，運作於一供應偏壓下，用以將電壓位準在一核心電壓範圍與一萬於該核心電壓範圍的一輸入／輸出電壓範圍之間轉換。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一集成电路设备及其制程方法，尤其是有关于一具有交叉闩锁(cross–latched)电压位准转换器(voltage level shifter)的集成电路。该集成电路用于电压位准转换，包含一输入／输出端，以及一输入／输出电路，耦接于该输出端，包含复数设备，运作于一供应偏压下，用以将电压位准在一内核电压范围与一万于该内核电压范围的一输入／输出电压范围之间转换。

公开(公告)号：TW200527817A

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：TW093102572

申请日：2004-02-05

Applicant: 聯陽半導體股份有限公司 INTEGRATED TECHNOLOGY EXPRESS INC.

Inventor： 胡頂立 HU, TING LI

IPC: H03K

CPC classification number: H03K5/151 ,  H03K3/356113

Abstract: 本發明揭露一種正反式相位邏輯訊號組產生裝置，包括一單端轉正反式訊號電路、一第一級電路以及一差動放大器。其中單端轉正反式訊號電路，用以接受一單端訊號的輸入，並將其轉換成一第一正反式訊號組以輸出。第一級電路，用以接受該第一正反式訊號組之輸入並執行一回授控制，以得到一第二正反式訊號組。而差動放大器，用以接受該第二正反式訊號組之輸入，並輸出一組差動訊號。其中，該組差動訊號中之二訊號為對稱，並具有相同之上升時間與下降時間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种正反式相位逻辑信号组产生设备，包括一单端转正反式信号电路、一第一级电路以及一差动放大器。其中单端转正反式信号电路，用以接受一单端信号的输入，并将其转换成一第一正反式信号组以输出。第一级电路，用以接受该第一正反式信号组之输入并运行一回授控制，以得到一第二正反式信号组。而差动放大器，用以接受该第二正反式信号组之输入，并输出一组差动信号。其中，该组差动信号中之二信号为对称，并具有相同之上升时间与下降时间。

公开(公告)号：TWI237947B

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：TW091114916

申请日：2002-07-05

Applicant: 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.

Inventor： 野口幸宏 YUKIHIRO NOGUCHI ,  松本昭一郎 SHOICHIRO MATSUMOTO

IPC: H03K

CPC classification number: H03K19/01855 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0289 ,  H03K3/356113 ,  H03K3/356147 ,  H03K19/018521

Abstract: 本發明提供一種位準轉換電路，其中，位準轉換部(101)之p通道MOSFET(11)之源極係與接收電源電位VDD之電源端子相連接，源極係與輸出節點NO連接，而閘極則與輸入節點12相連接。N通道MOSFET(12)之源極與輸入節點11相連接，汲極與輸出節點NO相連接，而閘極則與接收電源電位VDD之電源端子相連接。輸入訊號CLK1，CLK2係以互補方式變化，而該等訊號之高位準與低位準之電位差，係小於電源電位VDD與接地電位間之電位差。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种位准转换电路，其中，位准转换部(101)之p信道MOSFET(11)之源极系与接收电源电位VDD之电源端子相连接，源极系与输出节点NO连接，而闸极则与输入节点12相连接。N信道MOSFET(12)之源极与输入节点11相连接，汲极与输出节点NO相连接，而闸极则与接收电源电位VDD之电源端子相连接。输入信号CLK1，CLK2系以互补方式变化，而该等信号之高位准与低位准之电位差，系小于电源电位VDD与接地电位间之电位差。

公开(公告)号：TWI236799B

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：TW093130223

申请日：2004-10-06

Applicant: 英飛凌上元股份有限公司 INFINEON-ADMTEK CO., LTD.

Inventor： 張清榮 CHANG, CHING RONG

IPC: H03K

CPC classification number: H03K19/018528 ,  H03K3/356113

Abstract: 一位準轉換器器，包含一電流鏡電路、一組由輸入訊號及輸入之反相訊號控制之開關電路，一開關元件以及一位準維持器單元。透過輸出訊號來關閉開關元件，藉此消除直流電流。利用位準維持單元使得輸出位準為全擺幅，同時解決了直流電流以及輸出位準的問題。

Abstract in simplified Chinese: 一位准转换器器，包含一电流镜电路、一组由输入信号及输入之反相信号控制之开关电路，一开关组件以及一位准维持器单元。透过输出信号来关闭开关组件，借此消除直流电流。利用位准维持单元使得输出位准为全摆幅，同时解决了直流电流以及输出位准的问题。