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公开(公告)号：TW524875B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW089111644
申请日：2000-06-14
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
Inventor： 珍妮 凱莎菈
CPC classification number: C23C16/4481 , H01L21/67017
Abstract: 本發明係有關一種裝置及方法，將一反應物源中之氣相反應物餵送入一氣相反應室。在該方法中，在周遭溫度下為一液體或固體之反應物係在一反應物源中在一汽化溫度下汽化，而該汽化反應物餵送入反應室內。依據本發明，反應物源及反應室是設於可各別清空之各別容器中。利用本發明可在不用中斷反應室之真空下，改變及載入新的反應化學物。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种设备及方法，将一反应物源中之气相反应物喂送入一气相反应室。在该方法中，在周遭温度下为一液体或固体之反应物系在一反应物源中在一汽化温度下汽化，而该汽化反应物喂送入反应室内。依据本发明，反应物源及反应室是设于可各别清空之各别容器中。利用本发明可在不用中断反应室之真空下，改变及加载新的反应化学物。
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公开(公告)号：TW556314B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW091101473
申请日：2002-01-29
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明係關於一種用以藉原子層澱積法在底質上製造導電性貴金屬薄膜的方法。根據本發明，此方法包含將具表面的底質引至反應槽中並將已蒸汽化的貴金屬先質規律地通入反應槽中。藉由使已蒸汽化的先質與底質表面接觸，在底質上形成金屬先質的分子層。下一步驟中，含分子態氧的氣體脈衝進入反應槽。氧將貴金屬氧化物還原至元素態。因此，藉由利用金屬先質和氧之間的反應，可以使高品質金屬薄膜澱積。本發明在製造其構造中有縱橫比高的通道和溝槽、局部區域高或其他類似表面結構而使得表面粗糙之導電層方面特別有利。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种用以藉原子层淀积法在底质上制造导电性贵金属薄膜的方法。根据本发明，此方法包含将具表面的底质引至反应槽中并将已蒸汽化的贵金属先质规律地通入反应槽中。借由使已蒸汽化的先质与底质表面接触，在底质上形成金属先质的分子层。下一步骤中，含分子态氧的气体脉冲进入反应槽。氧将贵金属氧化物还原至元素态。因此，借由利用金属先质和氧之间的反应，可以使高品质金属薄膜淀积。本发明在制造其构造中有纵横比高的信道和沟槽、局部区域高或其他类似表面结构而使得表面粗糙之导电层方面特别有利。
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公开(公告)号：TW496907B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW089107028
申请日：2000-04-14
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
Inventor： 史文 林德佛斯
IPC: C23C
CPC classification number: C30B25/14 , C23C16/405 , C23C16/45502 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C30B25/02 , C30B25/08
Abstract: 一種以ALCVD製程而增長薄膜至一基底之方法以及裝置。該裝置包含一反應艙室，使基底可沈積其中；多數個與該反應艙室接通之入口通道，該入口通道係適合於採用薄膜生長製程，而以蒸汽相脈衝之形式，而將反應物饋送至該反應艙室中；至少一與該反應艙室接通之一出口通道，該出口通道係適合於將反應物產品以及來自於該反應空間之過量反應物予以外流；以及一預反應艙室，立即建構於反應艙室之上游，該預反應艙室係形成一第一反應區，其中連續蒸汽相之反應物可以蒸汽相而相互作用，而形成一固態產品，而該形成第二反應區之該反應艙室可在導致薄膜之ALCVD生長之狀況下，而被操作。
Abstract in simplified Chinese: 一种以ALCVD制程而增长薄膜至一基底之方法以及设备。该设备包含一反应舱室，使基底可沉积其中；多数个与该反应舱室接通之入口信道，该入口信道系适合于采用薄膜生长制程，而以蒸汽相脉冲之形式，而将反应物馈送至该反应舱室中；至少一与该反应舱室接通之一出口信道，该出口信道系适合于将反应物产品以及来自于该反应空间之过量反应物予以外流；以及一预反应舱室，立即建构于反应舱室之上游，该预反应舱室系形成一第一反应区，其中连续蒸汽相之反应物可以蒸汽相而相互作用，而形成一固态产品，而该形成第二反应区之该反应舱室可在导致薄膜之ALCVD生长之状况下，而被操作。
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公开(公告)号：TW567584B
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW090108955
申请日：2001-04-13
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
Inventor： 麥堤 普科納
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/405 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31641 , H01L29/517 , H01M8/1253 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 本發明有關一種藉由ALD式方法於基材上製造氧化物薄膜的方法。根據該種方法，將至少一種金屬來源材料及至少一種氧來源材料之氣相脈衝交替她進料至反應空間中，並與該基材接觸。根據本發明，交替地使用釔源材料及鋯源材料作為金屬來源材料，以於基材上形成經釔安定化之氧化鋯(YSL)薄膜。
Abstract in simplified Chinese: 本发明有关一种借由ALD式方法于基材上制造氧化物薄膜的方法。根据该种方法，将至少一种金属来源材料及至少一种氧来源材料之气相脉冲交替她进料至反应空间中，并与该基材接触。根据本发明，交替地使用钇源材料及锆源材料作为金属来源材料，以于基材上形成经钇安定化之氧化锆(YSL)薄膜。
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公开(公告)号：TW546400B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW089127892
申请日：2000-12-26
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/54 , C30B25/08 , C30B25/14 , Y10S117/90 , Y10T117/10
Abstract: 本發明與經由將基底交替重複地曝露於氣相作用物的表面反應，以在基底表面成長薄膜的裝置有關，該裝置包括一包括至少一個具有緊密密封結構的處理室(2)，至少一個反應室，其結構適合容納到該處理室(2)的內部，且包括一至少部分可移動的反應空間(3)，進氣裝置(16)連接到該反應空間(3)，以將該作用物饋入該反應空間(3)，以及排氣裝置(12)，也連接到該反應空間(3)，用以排放該反應空間(3)中超量的作用物及反應氣體。配置至少一個裝載室(1)，與該處理室(2)共同操作，以允許該反應空間(3)或其部分能移入該處理室(2)，及從該處理室(2)中移出，此外，裝載室的操作壓力可以控制，與該處理室(2)無關。
Abstract in simplified Chinese: 本发明与经由将基底交替重复地曝露于气相作用物的表面反应，以在基底表面成长薄膜的设备有关，该设备包括一包括至少一个具有紧密密封结构的处理室(2)，至少一个反应室，其结构适合容纳到该处理室(2)的内部，且包括一至少部分可移动的反应空间(3)，进气设备(16)连接到该反应空间(3)，以将该作用物馈入该反应空间(3)，以及排气设备(12)，也连接到该反应空间(3)，用以排放该反应空间(3)中超量的作用物及反应气体。配置至少一个装载室(1)，与该处理室(2)共同操作，以允许该反应空间(3)或其部分能移入该处理室(2)，及从该处理室(2)中移出，此外，装载室的操作压力可以控制，与该处理室(2)无关。
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公开(公告)号：TW527433B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW089107029
申请日：2000-04-14
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45544 , C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/165
Abstract: 本發明係有關一種生長薄膜於一基底上之裝置，藉將該基底外露於蒸汽相反應物之交替的表面反應，藉該等表面反應而將一薄膜形成於該基底上。該裝置包合一真空容器(1)，及一反應室(2)。反應室(2)具有一反應空間，基底可轉移入其內，且具有進料道(6)，供用於該薄膜生長程序中之反應物餵入其內，及出口道(4)，用於排出氣體反應產品及過剩的反應物。根據本發明，反應室包含一底部(9，10)，相對該真空容器(1)之內部以固定方式安裝，及一可移動部分(18)適於以可密封及閉合方式抵接反應室之該底部。本發明可改良基底容載室之清潔度，及減少基底被污染之程度。本裝置旨在藉半導體層結構及顯示單元之ALE方法來製造薄膜。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种生长薄膜于一基底上之设备，藉将该基底外露于蒸汽相反应物之交替的表面反应，藉该等表面反应而将一薄膜形成于该基底上。该设备包合一真空容器(1)，及一反应室(2)。反应室(2)具有一反应空间，基底可转移入其内，且具有进料道(6)，供用于该薄膜生长进程中之反应物喂入其内，及出口道(4)，用于排出气体反应产品及过剩的反应物。根据本发明，反应室包含一底部(9，10)，相对该真空容器(1)之内部以固定方式安装，及一可移动部分(18)适于以可密封及闭合方式抵接反应室之该底部。本发明可改良基底容载室之清洁度，及减少基底被污染之程度。本设备旨在藉半导体层结构及显示单元之ALE方法来制造薄膜。
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公开(公告)号：TW500826B
公开(公告)日：2002-09-01
申请号：TW089121351
申请日：2000-10-12
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
Inventor： 凱-艾瑞克 艾勒斯
IPC: C23C
CPC classification number: C30B29/38 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/4488 , C23C16/45525 , C30B25/02 , C30B29/02 , C30B29/36 , H01L21/28568 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L2221/1078
Abstract: 本發明係有關於一種轉變ALD製程中之化學原料的方法，一種利用ALD製程以沈積過渡金屬氮化物薄膜的方法，以及供用於此類製程之裝置。根據本發明，過渡金屬原料物質係藉由將金屬原料物質加以汽化，將汽化後之金屬原料物質導入還原區而還原，其中該還原區包括保持在一經加溫之溫度的固體還原劑。然後，使該金屬原料物質與固體或液體還原劑接觸，以將該金屬原料物質轉化為具有足以作汽相輸送之高蒸氣壓的，經還原之金屬化合物以及反應副產物。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种转变ALD制程中之化学原料的方法，一种利用ALD制程以沉积过渡金属氮化物薄膜的方法，以及供用于此类制程之设备。根据本发明，过渡金属原料物质系借由将金属原料物质加以汽化，将汽化后之金属原料物质导入还原区而还原，其中该还原区包括保持在一经加温之温度的固体还原剂。然后，使该金属原料物质与固体或液体还原剂接触，以将该金属原料物质转化为具有足以作汽相输送之高蒸气压的，经还原之金属化合物以及反应副产物。
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公开(公告)号：TW548239B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW089122263
申请日：2000-10-23
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/403 , C23C16/45553 , H01L51/5253
Abstract: 一種用以藉由使用ALD法於底質上製造氧化鋁薄膜的方法，其步驟包含：可蒸發的有機鋁化合物結合於生長底質上，和結合的有機鋁化合物轉化成氧化鋁。根據本發明 ，結合的有機鋁化合物藉由與除了水以外的反應性的氧蒸汽來源接觸而轉化成氧化鋁，及生長期間內，底質溫度維持低於190℃。藉由本發明，可於低溫製得品質優良的膜。此具有緻密結構的介電薄膜可用於無法忍受高溫的鈍化表面。這樣的表面是，如，聚合物膜。此外，如果使用不含水的氧來源，亦能鈍化對水敏感的表面。
Abstract in simplified Chinese: 一种用以借由使用ALD法于底质上制造氧化铝薄膜的方法，其步骤包含：可蒸发的有机铝化合物结合于生长底质上，和结合的有机铝化合物转化成氧化铝。根据本发明 ，结合的有机铝化合物借由与除了水以外的反应性的氧蒸汽来源接触而转化成氧化铝，及生长期间内，底质温度维持低于190℃。借由本发明，可于低温制得品质优良的膜。此具有致密结构的介电薄膜可用于无法忍受高温的钝化表面。这样的表面是，如，聚合物膜。此外，如果使用不含水的氧来源，亦能钝化对水敏感的表面。
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公开(公告)号：TW541351B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW089121352
申请日：2000-10-12
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
IPC: C23C
CPC classification number: C30B29/38 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , C30B25/02 , C30B29/02 , C30B29/36 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 本發明係關於一種藉原子層沉積(ALD)型方法使過渡金屬氮化物薄膜沉積的方法。根據此方法，金屬來源材料、能夠還原金屬來源材料的還原劑和能夠與已還原的金屬來源材料反應之氮來源材料的蒸汽相脈衝交替且連續進入反應空間，並與底質接觸。根據本發明，所用還原劑是在與金屬來源材料反應時能夠形成氣態反應副產物的硼化合物。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种藉原子层沉积(ALD)型方法使过渡金属氮化物薄膜沉积的方法。根据此方法，金属来源材料、能够还原金属来源材料的还原剂和能够与已还原的金属来源材料反应之氮来源材料的蒸汽相脉冲交替且连续进入反应空间，并与底质接触。根据本发明，所用还原剂是在与金属来源材料反应时能够形成气态反应副产物的硼化合物。
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公开(公告)号：TW524876B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW089127893
申请日：2000-12-26
Applicant: ASM微相化學股份有限公司
Inventor： 凡諾 奇爾皮
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/45546 , C30B25/14 , Y10S206/832
Abstract: 本發明與經由將基底(4)曝露於氣相作用物之交替重複的表面反應中，以在基底(4)表面成長薄膜的裝置有關，該裝置包括一包括反應空間的反應室，進氣裝置連接到反應空間，將該薄膜成長處理所使用的作用物饋入反應空間，以及，排氣裝置連接到反應空間，用以將超量的作用物及氣體反應生成物排出反應空間，反應空間內至少可適配一片基底(4)，以及，第二表面通配在反應空間內，配置在該基底(4)成長薄膜之表面的對面，與該基底(4)支援成長薄膜的表面間配置一距離。該基底(4)支援薄膜成長表面與面對配置的另一表面配置在該反應室中，該相對的表面在作用物的流動方向有一張角(11)，因此，該相對表面在進氣端間的距離小於在排氣端。
Abstract in simplified Chinese: 本发明与经由将基底(4)曝露于气相作用物之交替重复的表面反应中，以在基底(4)表面成长薄膜的设备有关，该设备包括一包括反应空间的反应室，进气设备连接到反应空间，将该薄膜成长处理所使用的作用物馈入反应空间，以及，排气设备连接到反应空间，用以将超量的作用物及气体反应生成物排出反应空间，反应空间内至少可适配一片基底(4)，以及，第二表面通配在反应空间内，配置在该基底(4)成长薄膜之表面的对面，与该基底(4)支持成长薄膜的表面间配置一距离。该基底(4)支持薄膜成长表面与面对配置的另一表面配置在该反应室中，该相对的表面在作用物的流动方向有一张角(11)，因此，该相对表面在进气端间的距离小于在排气端。
