公开(公告)号：TW508669B

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW089125321

申请日：2001-03-13

Applicant: 印芬龍科技北美股份有限公司 ,  國際商業機器股份有限公司

Inventor： 裘那坦E 伐特密 ,  蘇亞納拉樣海格德 ,  布萊恩S 李 ,  巫立克古倫寧 ,  喇加拉歐賈咪 ,  赫慕特H 提窩斯

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238 ,  H01L27/10864 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  Y10S438/931

Abstract: 本發明係關於一種製造垂直電晶體之閘極氧化物的方法。在第一步驟中在基板中形成溝渠，該溝渠自基板之上表面延伸，且具有溝渠底部和溝渠側壁。該溝渠側壁包含 晶面和 晶面。其次，在該溝渠側壁上形成一具有均勻厚度之犧牲層。在形成犧牲層之後，將氮離子佈植穿透該犧牲層，使使氮離子植入該溝渠側壁之 晶面，但不會植入該溝渠側壁之 晶面。然後移除該犧牲層，及氧化該溝渠側壁，以形成該閘極氧化物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种制造垂直晶体管之闸极氧化物的方法。在第一步骤中在基板中形成沟渠，该沟渠自基板之上表面延伸，且具有沟渠底部和沟渠侧壁。该沟渠侧壁包含<100>晶面和<110>晶面。其次，在该沟渠侧壁上形成一具有均匀厚度之牺牲层。在形成牺牲层之后，将氮离子布植穿透该牺牲层，使使氮离子植入该沟渠侧壁之<110>晶面，但不会植入该沟渠侧壁之<100>晶面。然后移除该牺牲层，及氧化该沟渠侧壁，以形成该闸极氧化物。

公开(公告)号：TW531848B

公开(公告)日：2003-05-11

申请号：TW090102884

申请日：2001-03-20

Applicant: 印芬龍科技北美股份有限公司 ,  國際商業機器股份有限公司

Inventor： 海慕特荷斯特堤斯 ,  布萊恩S 李 ,  烏里克葛林 ,  雷傑米 ,  約翰費托米爾

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/10876

Abstract: 依照本發明，用以在基板上生長介電層之方法包括下列步驟：提供具有至少兩個結晶之平面(平面(100)和(110))之基板(102)，至少兩個結晶之平面可經歷不同之介電層生長速率。將第一介電層(124)生長在至少兩個結晶之平面上以致使第一介電層具有第一厚度在第一結晶之平面上及第二厚度在第二結晶之平面上。就第一介電層而論，第一厚度較第二厚度較厚。將摻雜劑(126)植入通過第一介電層。將較大數目的摻雜劑植入基板中通過第一介電層的第二厚度較通過第一厚度之數量多。然後，移除第一介電層。將第二介電層(130)生長在與所移除之第一介電層相同位置上。第二介電層具有第一厚度在第一結晶之平面上及第二厚度在第二結晶之平面上。由於植入摻雜劑，第二介電層的第一厚度和第二厚度其厚度較接近於第一介電層的第一厚度和第二厚度。

Abstract in simplified Chinese: 依照本发明，用以在基板上生长介电层之方法包括下列步骤：提供具有至少两个结晶之平面(平面(100)和(110))之基板(102)，至少两个结晶之平面可经历不同之介电层生长速率。将第一介电层(124)生长在至少两个结晶之平面上以致使第一介电层具有第一厚度在第一结晶之平面上及第二厚度在第二结晶之平面上。就第一介电层而论，第一厚度较第二厚度较厚。将掺杂剂(126)植入通过第一介电层。将较大数目的掺杂剂植入基板中通过第一介电层的第二厚度较通过第一厚度之数量多。然后，移除第一介电层。将第二介电层(130)生长在与所移除之第一介电层相同位置上。第二介电层具有第一厚度在第一结晶之平面上及第二厚度在第二结晶之平面上。由于植入掺杂剂，第二介电层的第一厚度和第二厚度其厚度较接近于第一介电层的第一厚度和第二厚度。