-
1.发明专利用以形成含有襯墊間隙壁之FET矽化物閘極結構的方法 METHOD OF FORMING FET SILICIDE GATE STRUCTURES INCORPORATING INNER SPACERS 失效用以形成含有衬垫间隙壁之FET硅化物闸极结构的方法 METHOD OF FORMING FET SILICIDE GATE STRUCTURES INCORPORATING INNER SPACERS公开(公告)号：TW200525748A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW094100105
申请日：2005-01-03
Inventor： 辜維特 KU, VICTOR , 史提根安 STEEGEN, AN , 萬杏真 WANN, HSING JEN C. , 翁廣宏 WONG, KWONG HON
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/28194 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/6656
Abstract: 茲提供一種用於製造一半導體元件之一閘極結構的方法，其中該閘極結構具有一內間隙物。使用一取代閘極製程時，係將一閘極區中之材料移除以暴露一部分基材；接著於該經暴露之部分基材上形成一閘極介電層；以及於該閘極介電層及該介電材料上形成一內間隙物層。繼而於於該內間隙物層上形成一矽層。該結構接著平坦化，以使該矽層之部分及該內間隙物層存留於該閘極區中。接著由該矽層形成一矽化物閘極結構，該矽化物閘極結構係藉該內間隙物層與環繞該閘極之介電材料分隔。該半導體元件可包括其間具一介面之一第一閘極區及一第二閘極區，並以該內間隙物層覆蓋該介面。當該元件具兩閘極區時可於兩閘極區中進行製程，以形成利用一內間隙物分隔成兩結構之矽化物結構。
Abstract in simplified Chinese: 兹提供一种用于制造一半导体组件之一闸极结构的方法，其中该闸极结构具有一内间隙物。使用一取代闸极制程时，系将一闸极区中之材料移除以暴露一部分基材；接着于该经暴露之部分基材上形成一闸极介电层；以及于该闸极介电层及该介电材料上形成一内间隙物层。继而于于该内间隙物层上形成一硅层。该结构接着平坦化，以使该硅层之部分及该内间隙物层存留于该闸极区中。接着由该硅层形成一硅化物闸极结构，该硅化物闸极结构系藉该内间隙物层与环绕该闸极之介电材料分隔。该半导体组件可包括其间具一界面之一第一闸极区及一第二闸极区，并以该内间隙物层覆盖该界面。当该组件具两闸极区时可于两闸极区中进行制程，以形成利用一内间隙物分隔成两结构之硅化物结构。
-
2.发明专利具有金屬閘電極及矽化物接觸之FET閘極結構 FET GATE STRUCTURE WITH METAL GATE ELECTRODE AND SILICIDE CONTACT 失效具有金属闸电极及硅化物接触之FET闸极结构 FET GATE STRUCTURE WITH METAL GATE ELECTRODE AND SILICIDE CONTACT
公开(公告)号：TW200525750A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW094100100
申请日：2005-01-03
Inventor： 辜維特 KU, VICTOR , 史提根安 STEEGEN, AN , 萬杏真 WANN, HSING JEN C.
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/66583 , H01L21/28079 , H01L21/28247 , H01L21/823835 , H01L29/66545
Abstract: 本發明提供一種用以製造一半導體元件中之單一金屬或雙金屬取代閘極結構的方法，其中該結構包括一接觸於閘極區域之矽化物接觸。一偽閘極結構與犧牲閘極介電質係被移除，以暴露出一部分基材；接著一閘極介電質係形成於其上方。一金屬層係形成於該閘極介電質與該介電質材料上方。該金屬層可利於做為一覆蓋住一裝置晶圓之覆蓋金屬層。接著，一矽層係形成於該金屬層上方，其中該矽層亦可以做為一覆蓋層。然後，執行一平坦化或回蝕刻製程，使得該介電質材料之頂部表面暴露出，而該金屬層之其他部分及該矽層殘留於閘極區域中並具有與該介電質材料之頂部表面共平面之表面。之後，形成一矽化物接觸，其中該矽化物接觸係接觸於閘極區域中之該金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用以制造一半导体组件中之单一金属或双金属取代闸极结构的方法，其中该结构包括一接触于闸极区域之硅化物接触。一伪闸极结构与牺牲闸极介电质系被移除，以暴露出一部分基材；接着一闸极介电质系形成于其上方。一金属层系形成于该闸极介电质与该介电质材料上方。该金属层可利于做为一覆盖住一设备晶圆之覆盖金属层。接着，一硅层系形成于该金属层上方，其中该硅层亦可以做为一覆盖层。然后，运行一平坦化或回蚀刻制程，使得该介电质材料之顶部表面暴露出，而该金属层之其他部分及该硅层残留于闸极区域中并具有与该介电质材料之顶部表面共平面之表面。之后，形成一硅化物接触，其中该硅化物接触系接触于闸极区域中之该金属层。
