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公开(公告)号：TW201741873A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105116537
申请日：2016-05-26
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor： 張堯宗 , CHANG, YAO-TSUNG
IPC: G06F9/312
CPC classification number: H03K19/17748 , G01R31/318597 , H03K19/17744
Abstract: 一種燒錄系統，包括上位機、第一訊號轉換模組以及計算模組。該上位機用於將待燒錄訊號轉換為第一匯流排訊號。該計算模組包括第二訊號轉換模組以及第一燒錄介面。當該計算模組正常工作時，該第二訊號轉換模組將該第一匯流排訊號轉換為第一時鐘訊號及第一資料訊號輸出至該第一燒錄介面；當該計算模組燒錄失敗導致該第二訊號轉換模組無法處理該第一匯流排訊號或該計算模組未設置程式時，該第一訊號轉換模組將該第一匯流排訊號轉換為第二時鐘訊號以及第二資料訊號輸出至該第一燒錄介面。
Abstract in simplified Chinese: 一种刻录系统，包括上位机、第一信号转换模块以及计算模块。该上位机用于将待刻录信号转换为第一总线信号。该计算模块包括第二信号转换模块以及第一刻录界面。当该计算模块正常工作时，该第二信号转换模块将该第一总线信号转换为第一时钟信号及第一数据信号输出至该第一刻录界面；当该计算模块刻录失败导致该第二信号转换模块无法处理该第一总线信号或该计算模块未设置进程时，该第一信号转换模块将该第一总线信号转换为第二时钟信号以及第二数据信号输出至该第一刻录界面。
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2.发明专利自１６個輸入選擇４個信號 SELECTING FOUR SIGNALS FROM SIXTEEN INPUTS 审中-公开自１６个输入选择４个信号 SELECTING FOUR SIGNALS FROM SIXTEEN INPUTS
公开(公告)号：TW201246787A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101114278
申请日：2012-04-20
Applicant: 微晶片科技公司
CPC classification number: H03K19/1737 , H03K19/17744
Abstract: 一種用於在一裝置中自複數個(y個)信號選擇複數個輸入信號之設備具有一切換矩陣,該切換矩陣具有複數個n對1多工器,其中每一n對1多工器係指派給該y個信號中之n者之一不同輸入集合,其中該等n對1多工器中之每一者之每一輸入信號集合之少於n個輸入信號之一子集亦係另一n對1多工器之一輸入信號子集。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于在一设备中自复数个(y个)信号选择复数个输入信号之设备具有一切换矩阵,该切换矩阵具有复数个n对1多任务器,其中每一n对1多任务器系指派给该y个信号中之n者之一不同输入集合,其中该等n对1多任务器中之每一者之每一输入信号集合之少于n个输入信号之一子集亦系另一n对1多任务器之一输入信号子集。
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3.发明专利
公开(公告)号：TW200605166A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094118027
申请日：2005-06-01
Applicant: 艾斯克公司 EASIC CORPORATION
Inventor： 凡 歐貝克 OR-BACH, ZVI , 派翠卡 艾弗瑞 AVRAM, PETRICA , 羅密歐 雅克布 IACOBUT, ROMEO , 雅卓安 阿波斯多 APOSTOL, ADRIAN , 維夫 沃曼 WURMAN, ZE'EV , 亞當 雷文索 LEVENTHAL, ADAM , 理查 維曼 ZEMAN, RICHARD
IPC: H01L
CPC classification number: H03K19/1776 , G01R31/3172 , G01R31/318516 , H01L24/06 , H01L2224/05554 , H01L2924/14 , H03K19/17732 , H03K19/17736 , H03K19/1774 , H03K19/17744 , H03K19/17796 , H01L2924/00
Abstract: 一種可架構的邏輯陣列，包括：包含有檢查表的多個邏輯格；覆於多個邏輯格上之可定製的金屬及通道連接層；多個裝置可定製的I／O格；多個架構可定製的RAM區塊；具可定製內容的ROM區塊；以及具有可定製之I／O的微處理器，用以架構及測試該陣列，其中的定製全是在單一的通道層上完成。
Abstract in simplified Chinese: 一种可架构的逻辑数组，包括：包含有检查表的多个逻辑格；覆于多个逻辑格上之可定制的金属及信道连接层；多个设备可定制的I／O格；多个架构可定制的RAM区块；具可定制内容的ROM区块；以及具有可定制之I／O的微处理器，用以架构及测试该数组，其中的定制全是在单一的信道层上完成。
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公开(公告)号：TWI606394B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105116537
申请日：2016-05-26
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor： 張堯宗 , CHANG, YAO-TSUNG
IPC: G06F9/312
CPC classification number: H03K19/17748 , G01R31/318597 , H03K19/17744
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公开(公告)号：TWI590386B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102114836
申请日：2013-04-25
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , G05B19/04
CPC classification number: H03K19/0013 , H01L27/0688 , H01L27/1156 , H01L27/11803 , H01L27/1225 , H03K19/094 , H03K19/17744
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公开(公告)号：TWI389167B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW094118027
申请日：2005-06-01
Applicant: 艾斯克公司 , EASIC CORPORATION
Inventor： 凡 歐貝克 , OR-BACH, ZVI , 派翠卡 艾弗瑞 , AVRAM, PETRICA , 羅密歐 雅克布 , IACOBUT, ROMEO , 雅卓安 阿波斯多 , APOSTOL, ADRIAN , 維夫 沃曼 , WURMAN, ZE'EV , 亞當 雷文索 , LEVENTHAL, ADAM , 理查 維曼 , ZEMAN, RICHARD
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H03K19/1776 , G01R31/3172 , G01R31/318516 , H01L24/06 , H01L2224/05554 , H01L2924/14 , H03K19/17732 , H03K19/17736 , H03K19/1774 , H03K19/17744 , H03K19/17796 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201308601A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101116652
申请日：2012-05-10
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI
IPC: H01L29/78 , H01L21/363
CPC classification number: H03K19/0013 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K19/0008 , H03K19/17736 , H03K19/17744
Abstract: 本發明提供一種可編程邏輯裝置，其包括藉由邏輯開關彼此連接的邏輯塊，其中所述可編程開關包括氧化物半導體電晶體。由於氧化物半導體電晶體能夠高能力地保持與其連接的電晶體的閘極電極電位，所以具有極低的截止電流的氧化物半導體電晶體能夠用作非揮發性記憶體。藉由將氧化物半導體電晶體用作非揮發性記憶體，即使在停止電源電位的供給的情況下，也可以保持用於控制邏輯塊的連接的配置資料。因此，可以省略裝置啟動時重新寫入配置資料的步驟，由此可以降低裝置的耗電量。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可编程逻辑设备，其包括借由逻辑开关彼此连接的逻辑块，其中所述可编程开关包括氧化物半导体晶体管。由于氧化物半导体晶体管能够高能力地保持与其连接的晶体管的闸极电极电位，所以具有极低的截止电流的氧化物半导体晶体管能够用作非挥发性内存。借由将氧化物半导体晶体管用作非挥发性内存，即使在停止电源电位的供给的情况下，也可以保持用于控制逻辑块的连接的配置数据。因此，可以省略设备启动时重新写入配置数据的步骤，由此可以降低设备的耗电量。
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公开(公告)号：TWI589115B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW101114278
申请日：2012-04-20
Applicant: 微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
Inventor： 奇爾瑟 凱文 李 , KILZER, KEVIN LEE , 史迪曼 尚恩 , STEEDMAN, SEAN , 茲丹尼克 傑洛德S , ZDENEK, JERROLD S. , 迪爾波特 維維安N , DELPORT, VIVIEN N. , 倫德史特姆 查克 , LUNDSTRUM, ZEKE , 杜溫哈吉 芬尼 , DUVENHAGE, FANIE
CPC classification number: H03K19/1737 , H03K19/17744
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公开(公告)号：TWI472157B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW097104619
申请日：2008-02-05
Applicant: 高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
Inventor： 瑪萊克赫斯拉維 貝南 , MALEKKHOSRAVI, BEHNAM , 伍達德 丹尼爾J. , WOODARD, DANIEL J. , 威斯特 大衛I. , WEST, DAVID IAN
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/17744
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公开(公告)号：TW533553B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW091110857
申请日：2002-05-23
Applicant: 旺宏電子股份有限公司
CPC classification number: H03K19/17772 , G11C16/0475 , H03K19/17736 , H03K19/17744 , H03K19/1778
Abstract: 一種單電晶體之非揮發性可程式切換器，其具有四種操作狀態以控制電路單元與被動單元之連接，後者包括匯流排線及輸入／輸出銲墊。此四狀態包括容許訊號以第一方向傳送的第一單向狀態，以與第一方向相反之第二方向傳送的第二單向狀態，雙向傳送的第三狀態，以及阻斷傳送之高阻抗第四狀態(開路狀態)。此可程式切換器係由一非揮發可程式電晶體所構成，包括耦接至第一及第二節點之一的汲極，耦接至另一者的源極，耦接至一供能導體的閘極，以及一資料儲存結構。其中，非揮發可程式電晶體係為一電荷程式化元件(如SONOS元件)，其包含氧化層(或其他絕緣層)之間的氮化矽層或他種電荷捕捉層。此電晶體可儲存4個狀態，其一是細胞中訊號向第一方向傳送，其二是向相反之第二方向傳送，其三是雙向傳送，其四則阻斷傳送(即開路)。前述供能導體係與一充電泵耦接，其係在積體電路進行邏輯操作時提供一升高電壓，使得經過該可程式切換器之電壓損耗降至最低或0。在使用電荷可程式元件之實施例中，尚有一程式化電路系統耦接至第一第二節點及供能導體，以對電荷儲存結構提供注入或排出電子所需之電壓，從而程式化此電荷可程式化元件。如果積體電路中所使用之電壓對欲連線之電路元件的設計規則而言是過高的，則可再包括一耐高電壓結構。
Abstract in simplified Chinese: 一种单晶体管之非挥发性可进程切换器，其具有四种操作状态以控制电路单元与被动单元之连接，后者包括总线线及输入／输出焊垫。此四状态包括容许信号以第一方向发送的第一单向状态，以与第一方向相反之第二方向发送的第二单向状态，双向发送的第三状态，以及阻断发送之高阻抗第四状态(开路状态)。此可进程切换器系由一非挥发可进程晶体管所构成，包括耦接至第一及第二节点之一的汲极，耦接至另一者的源极，耦接至一供能导体的闸极，以及一数据存储结构。其中，非挥发可进程晶体管系为一电荷进程化组件(如SONOS组件)，其包含氧化层(或其他绝缘层)之间的氮化硅层或他种电荷捕捉层。此晶体管可存储4个状态，其一是细胞中信号向第一方向发送，其二是向相反之第二方向发送，其三是双向发送，其四则阻断发送(即开路)。前述供能导体系与一充电泵耦接，其系在集成电路进行逻辑操作时提供一升高电压，使得经过该可进程切换器之电压损耗降至最低或0。在使用电荷可进程组件之实施例中，尚有一进程化电路系统耦接至第一第二节点及供能导体，以对电荷存储结构提供注入或排出电子所需之电压，从而进程化此电荷可进程化组件。如果集成电路中所使用之电压对欲连接之电路组件的设计守则而言是过高的，则可再包括一耐高电压结构。
