公开(公告)号：US20090231778A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12402031

申请日：2009-03-11

申请人： Shigeru Hiura ,  Hiroaki Yamazaki ,  Tamio Ikehashi

发明人： Shigeru Hiura ,  Hiroaki Yamazaki ,  Tamio Ikehashi

IPC分类号： H01G5/16 ,  B81B7/02 ,  B81B7/04

CPC分类号： H01P1/127 ,  H01H59/0009

摘要： A high frequency MEMS 1 as a high frequency electrical element has a silicon substrate 2 wholly formed with an insulation film, a first signal line 4 provided on the silicon substrate 2, a second signal line 5 provided on the silicon substrate 2, the second signal line 5 crossing the first signal line 4 within a first region above the silicon substrate 2, and a dielectric film 9 interposed between the first signal line 4 and the second signal line 5, and provided on one of the first signal line 4 and the second signal line 5, within the first region, the first signal line 4 and the second signal line 5 being relatively movable in directions for a contacting approach and a mutual spacing in between.

摘要翻译： 作为高频电气元件的高频MEMS1具有完全由绝缘膜形成的硅基板2，设置在硅基板2上的第一信号线4，设置在硅基板2上的第二信号线5，第二信号 线5在硅衬底2上方的第一区域内与第一信号线4交叉，以及介于第一信号线4和第二信号线5之间的电介质膜9，并且设置在第一信号线4和第二信号线4之一上 信号线5在第一区域内，第一信号线4和第二信号线5在接触方向的方向和相互间的相互间隔相对移动。

公开(公告)号：US07473991B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US11614426

申请日：2006-12-21

申请人： Shigeru Hiura ,  Takaya Kitahara ,  Masanori Kinugasa ,  Akira Takiba ,  Masaru Mizuta ,  Kiyoyasu Shibata

发明人： Shigeru Hiura ,  Takaya Kitahara ,  Masanori Kinugasa ,  Akira Takiba ,  Masaru Mizuta ,  Kiyoyasu Shibata

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/114 ,  H03H1/0007 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device of an embodiment of the invention has a package substrate, and a semiconductor chip mounted on the package substrate. The semiconductor chip has an output section, and a filter section for decreasing the electromagnetic noise generated from the data communication path. The output section outputs a data signal into the data communication path, and has a buffer amplifier section for compensating the data signal.

摘要翻译： 本发明实施例的半导体器件具有封装基板和安装在封装基板上的半导体芯片。 半导体芯片具有输出部分和用于减小从数据通信路径产生的电磁噪声的滤波器部分。 输出部分将数据信号输出到数据通信路径中，并具有用于补偿数据信号的缓冲放大器部分。

公开(公告)号：US20070164788A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11614426

申请日：2006-12-21

申请人： Shigeru HIURA ,  Takaya Kitahara ,  Masanori Kinugasa ,  Akira Takiba ,  Masaru Mizuta ,  Kiyoyasu Shibata

发明人： Shigeru HIURA ,  Takaya Kitahara ,  Masanori Kinugasa ,  Akira Takiba ,  Masaru Mizuta ,  Kiyoyasu Shibata

IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03L5/00 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/114 ,  H03H1/0007 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device of an embodiment of the invention has a package substrate, and a semiconductor chip mounted on the package substrate. The semiconductor chip has an output section, and a filter section for decreasing the electromagnetic noise generated from the data communication path. The output section outputs a data signal into the data communication path, and has a buffer amplifier section for compensating the data signal.

摘要翻译： 本发明实施例的半导体器件具有封装基板和安装在封装基板上的半导体芯片。 半导体芯片具有输出部分和用于减小从数据通信路径产生的电磁噪声的滤波器部分。 输出部分将数据信号输出到数据通信路径中，并具有用于补偿数据信号的缓冲放大器部分。