公开(公告)号：US09382615B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US13802382

申请日：2013-03-13

Applicant: ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： Miia Mäntymäki ,  Jani Hämäläinen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45534

Abstract: A vapor deposition process for forming a thin film on a substrate in a reaction chamber where the process includes contacting the substrate with a fluoride precursor. The process results in the formation of a lithium fluoride thin film.

Abstract translation: 一种用于在反应室中的基底上形成薄膜的气相沉积工艺，其中所述方法包括使基底与氟化物前体接触。 该方法导致形成氟化锂薄膜。

公开(公告)号：US09394609B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US14621218

申请日：2015-02-12

Applicant: ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： Miia Mäntymäki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC: C23C16/22 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527

Abstract: Methods are provided for depositing thin films by vapor deposition using two different metal halide reactants. In some embodiments aluminum fluoride thin films are deposited by atomic layer deposition methods in which a substrate is alternately and sequentially contacted with a first metal halide reactant comprising aluminum, such as AlCl3, and a second metal halide reactant comprising fluorine, such as TiF4.

Abstract translation: 提供了通过使用两种不同的金属卤化物反应物的气相沉积来沉积薄膜的方法。 在一些实施例中，通过原子层沉积方法沉积氟化铝薄膜，其中基底与包含诸如AlCl 3的铝的第一金属卤化物反应物和包含氟的第二金属卤化物反应物如TiF 4交替并顺序地接触。

公开(公告)号：US20150225853A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：US14621218

申请日：2015-02-12

Applicant: ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： Miia Mäntymäki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527

Abstract: Methods are provided for depositing thin films by vapor deposition using two different metal halide reactants. In some embodiments aluminum fluoride thin films are deposited by atomic layer deposition methods in which a substrate is alternately and sequentially contacted with a first metal halide reactant comprising aluminum, such as AlCl3, and a second metal halide reactant comprising fluorine, such as TiF4.

Abstract translation: 提供了通过使用两种不同的金属卤化物反应物的气相沉积来沉积薄膜的方法。 在一些实施例中，通过原子层沉积方法沉积氟化铝薄膜，其中基底与包含诸如AlCl 3的铝的第一金属卤化物反应物和包含氟的第二金属卤化物反应物如TiF 4交替并顺序地接触。

公开(公告)号：US20140106070A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US13802382

申请日：2013-03-13

Applicant: ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： Miia Mäntymäki ,  Jani Hämäläinen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC: C23C16/08

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45534

Abstract: A vapor deposition process for forming a thin film on a substrate in a reaction chamber where the process includes contacting the substrate with a fluoride precursor. The process results in the formation of a lithium fluoride thin film.

Abstract translation: 一种用于在反应室中的基底上形成薄膜的气相沉积工艺，其中所述方法包括使基底与氟化物前体接触。 该方法导致形成氟化锂薄膜。

公开(公告)号：US09909211B2

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：US15186249

申请日：2016-06-17

Applicant: ASM IP Holding B.V.

Inventor： Miia Mäntymäki ,  Jani Hämäläinen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45534

Abstract: A vapor deposition process for forming a thin film on a substrate in a reaction chamber where the process includes contacting the substrate with a fluoride precursor. The process results in the formation of a lithium fluoride thin film.

公开(公告)号：US20160369397A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：US15186249

申请日：2016-06-17

Applicant: ASM IP Holding B.V.

Inventor： Miia Mäntymäki ,  Jani Hämäläinen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45534

Abstract: A vapor deposition process for forming a thin film on a substrate in a reaction chamber where the process includes contacting the substrate with a fluoride precursor. The process results in the formation of a lithium fluoride thin film.

Abstract translation: 一种用于在反应室中的基底上形成薄膜的气相沉积工艺，其中所述方法包括使基底与氟化物前体接触。 该方法导致形成氟化锂薄膜。