公开(公告)号：US06671306B1

公开(公告)日：2003-12-30

申请号：US09296059

申请日：1999-04-21

申请人： Alfred Forchel ,  Martin Kamp

发明人： Alfred Forchel ,  Martin Kamp

IPC分类号： H01S522

CPC分类号： H01S5/12

摘要： A semiconductor laser (22) with a semiconductor substrate (11), a laser layer (13) arranged on the semiconductor substrate, a waveguide ridge (15) arranged at a distance from the laser layer, and a strip-shaped lattice structure (23) arranged in parallel to the laser layer is disclosed. The lattice structure (23) includes two structural regions (24, 25) which are arranged on both sides of the waveguide ridge (15) and are formed at a distance from the laser layer (13) above the laser layer (13). A process for the production of such a semiconductor laser is also disclosed.

摘要翻译： 具有半导体衬底（11）的半导体激光器（22），布置在半导体衬底上的激光层（13），与激光层一定距离设置的波导脊（15）和带状晶格结构（23 ）平行于激光层布置。 晶格结构（23）包括布置在波导脊（15）的两侧并且形成在激光层（13）上方与激光层（13）一定距离处的两个结构区域（24,25）。 还公开了一种用于制造这种半导体激光器的方法。

公开(公告)号：US06846689B2

公开(公告)日：2005-01-25

申请号：US10677903

申请日：2003-10-02

申请人： Alfred Forchel ,  Martin Kamp

发明人： Alfred Forchel ,  Martin Kamp

IPC分类号： H01S5/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01S5/12

摘要： A semiconductor laser (22) with a semiconductor substrate (11), a laser layer (13) arranged on the semiconductor substrate, a waveguide ridge (15) arranged at a distance from the laser layer, and a strip-shaped lattice structure (23) arranged in parallel to the laser layer is disclosed. The lattice structure (23) includes two structural regions (24, 25) which are arranged on both sides of the waveguide ridge (15) and are formed at a distance from the laser layer (13) above the laser layer (13). A process for the production of such a semiconductor laser is also disclosed.

摘要翻译： 具有半导体衬底（11）的半导体激光器（22），布置在半导体衬底上的激光层（13），与激光层一定距离设置的波导脊（15）和带状晶格结构（23 ）平行于激光层布置。 晶格结构（23）包括布置在波导脊（15）的两侧并且形成在激光层（13）上方与激光层（13）一定距离处的两个结构区域（24,25）。 还公开了一种用于制造这种半导体激光器的方法。

公开(公告)号：US20050129084A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10734104

申请日：2003-12-11

申请人： Martin Kamp ,  Martin Muller

发明人： Martin Kamp ,  Martin Muller

IPC分类号： H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40 ,  H01S5/00 ,  H01S3/08

CPC分类号： H01S5/12 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4031

摘要： The present invention relates to laser diodes with single mode emission at high output powers, as well as to structures and processes facilitating simple manufacture of such a devices. The invention includes a semiconductor laser (10) with a semiconductor substrate (11), a laser layer (13) arranged on the semiconductor substrate, an array of waveguide ridges (18) arranged at a distance from the laser layer, and several strip-shaped lattice structures (23) arranged on the flat surface between the waveguide ridges. The lattice structure (23) is formed on an insulating or barrier layer (26) at a distance from the laser layer above the laser layer (13). Processes for the production of such a semiconductor laser are also disclosed.

摘要翻译： 本发明涉及在高输出功率下具有单模发射的激光二极管，以及促进简单制造这种器件的结构和工艺。 本发明包括具有半导体衬底（11）的半导体激光器（10），布置在半导体衬底上的激光层（13），与激光层一定距离设置的一组波导脊（18） （23），布置在波导脊之间的平坦表面上。 晶格结构（23）形成在与激光层（13）上方的激光层相距一定距离的绝缘或阻挡层（26）上。 还公开了用于制造这种半导体激光器的工艺。

公开(公告)号：US07177335B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US10734104

申请日：2003-12-11

申请人： Martin Kamp ,  Martin Müller

发明人： Martin Kamp ,  Martin Müller

IPC分类号： H01S3/13 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/12 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4031

摘要： The present invention relates to laser diodes with single mode emission at high output powers, as well as to structures and processes facilitating simple manufacture of such a devices. The invention includes a semiconductor laser (10) with a semiconductor substrate (11), a laser layer (13) arranged on the semiconductor substrate, an array of waveguide ridges (18) arranged at a distance from the laser layer, and several strip-shaped lattice structures (23) arranged on the flat surface between the waveguide ridges. The lattice structure (23) is formed on an insulating or barrier layer (26) at a distance from the laser layer above the laser layer (13). Processes for the production of such a semiconductor laser are also disclosed.

摘要翻译： 本发明涉及在高输出功率下具有单模发射的激光二极管，以及促进简单制造这种器件的结构和工艺。 本发明包括具有半导体衬底（11）的半导体激光器（10），布置在半导体衬底上的激光层（13），与激光层一定距离设置的一组波导脊（18） （23），布置在波导脊之间的平坦表面上。 晶格结构（23）形成在与激光层（13）上方的激光层相距一定距离的绝缘或阻挡层（26）上。 还公开了用于制造这种半导体激光器的工艺。