公开(公告)号：US20070138507A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11303776

申请日：2005-12-16

申请人： Elizabeth Glass ,  Olin Hartin ,  Haldane Henry ,  Philippe Jamet ,  Lisa Zhang ,  Michael Pelczynski

发明人： Elizabeth Glass ,  Olin Hartin ,  Haldane Henry ,  Philippe Jamet ,  Lisa Zhang ,  Michael Pelczynski

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7784

摘要： A method of fabricating an enhancement mode semiconductor device comprises providing a compound semiconductor substrate, epitaxially growing on the substrate a first portion of a buffer, the first portion including gallium arsenide (GaAs), growing a second portion of the buffer, the second portion including a high V/III ratio and high aluminum (Al) mole fraction aluminum gallium arsenide (AlGaAs), and epitaxially growing a stack of compound semiconductor layers on the buffer. An enhancement mode semiconductor device is then formed in the stack.

摘要翻译： 一种制造增强型半导体器件的方法包括提供化合物半导体衬底，在衬底上外延生长缓冲器的第一部分，第一部分包括砷化镓（GaAs），生长缓冲器的第二部分，第二部分包括 高V / III比和高铝（Al）摩尔分数的砷化镓铝（AlGaAs），并且在缓冲器上外延生长一叠化合物半导体层。 然后在堆叠中形成增强型半导体器件。