公开(公告)号：US08659118B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13194721

申请日：2011-07-29

申请人： Gabriele Bettineschi ,  Uwe Seidel ,  Wolfgang Walter ,  Michael Schrenk ,  Hubert Werthmann

发明人： Gabriele Bettineschi ,  Uwe Seidel ,  Wolfgang Walter ,  Michael Schrenk ,  Hubert Werthmann

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L23/5256 ,  H01L2224/13

摘要： A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, an anorganic isolation layer on the semiconductor substrate and a metallization layer on the anorganic isolation layer. The metallization layer comprises a fuse structure. At least in an area of the fuse structure the metallization layer and the anorganic isolation layer have a common interface.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的无机隔离层和有机隔离层上的金属化层。 金属化层包括熔丝结构。 至少在熔丝结构的区域中，金属化层和有机隔离层具有共同的界面。

公开(公告)号：US20130026601A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13194721

申请日：2011-07-29

申请人： Gabriele Bettineschi ,  Uwe Seidel ,  Wolfgang Walter ,  Michael Schrenk ,  Hubert Werthmann

发明人： Gabriele Bettineschi ,  Uwe Seidel ,  Wolfgang Walter ,  Michael Schrenk ,  Hubert Werthmann

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L23/5256 ,  H01L2224/13

摘要： A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, an anorganic isolation layer on the semiconductor substrate and a metallization layer on the anorganic isolation layer. The metallization layer comprises a fuse structure. At least in an area of the fuse structure the metallization layer and the anorganic isolation layer have a common interface.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的无机隔离层和有机隔离层上的金属化层。 金属化层包括熔丝结构。 至少在熔丝结构的区域中，金属化层和有机隔离层具有共同的界面。