公开(公告)号：US20090108257A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11927658

申请日：2007-10-29

申请人： Hai Cong ,  Yan San Li ,  Chun Hui Low ,  Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep ,  Liang Choo Hsia

发明人： Hai Cong ,  Yan San Li ,  Chun Hui Low ,  Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Test structures including test trenches are used to define critical dimension of trenches in a via level of an integrated circuit to produce substantially the same depth. The trenches are formed at the periphery of the IC to serve as guard rings.

摘要翻译： 包括测试沟槽的测试结构用于定义集成电路的通孔级中的沟槽的临界尺寸，以产生基本上相同的深度。 沟槽形成在IC的外围，用作保护环。