公开(公告)号：US06992346B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10807000

申请日：2004-03-23

申请人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Jongwan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

发明人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Jongwan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： H01L29/096

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91

摘要： A conductive contact plug extends through an opening in the dielectric layer to contact the substrate and includes a widened pad portion extending onto the dielectric layer adjacent the opening. An ohmic pattern is disposed on the pad portion of the plug, and a barrier pattern is disposed on the ohmic pattern. A concave first capacitor electrode is disposed on the barrier pattern and defines a cavity opening away from the substrate. A capacitor dielectric layer conforms to a surface of the first capacitor electrode and a second capacitor electrode is disposed on the capacitor dielectric layer opposite the first capacitor electrode. Sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug may be substantially coplanar, and the device may further include an etch stopper layer conforming to at least sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug. Related fabrication methods are described.

摘要翻译： 导电接触插塞延伸穿过电介质层中的开口以接触衬底并且包括延伸到邻近开口的电介质层上的加宽焊盘部分。 欧姆图案设置在插头的焊盘部分上，并且阻挡图案设置在欧姆图案上。 凹陷的第一电容器电极设置在阻挡图案上并且限定了远离基板的空腔。 电容器电介质层符合第一电容器电极的表面，并且第二电容器电极设置在与第一电容器电极相对的电容器电介质层上。 欧姆图案的侧壁，接触塞的阻挡图案和焊盘部分可以是基本上共面的，并且该器件还可以包括符合至少欧姆图案的侧壁，阻挡图案和焊盘部分的蚀刻停止层 接触插头。 描述相关的制造方法。

公开(公告)号：US07135422B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10884507

申请日：2004-07-02

申请人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Multi-layered structures formed using atomic-layer deposition processes include multiple metal oxide layers wherein the metal oxide layers are formed without the presence of interlayer oxide layers and may include different metal oxide compositions.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成的多层结构包括多个金属氧化物层，其中形成金属氧化物层而不存在层间氧化物层，并且可以包括不同的金属氧化物组合物。

公开(公告)号：US20060060907A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11273505

申请日：2005-11-14

申请人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

发明人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91

摘要： A conductive contact plug extends through an opening in the dielectric layer to contact the substrate and includes a widened pad portion extending onto the dielectric layer adjacent the opening. An ohmic pattern is disposed on the pad portion of the plug, and a barrier pattern is disposed on the ohmic pattern. A concave first capacitor electrode is disposed on the barrier pattern and defines a cavity opening away from the substrate. A capacitor dielectric layer conforms to a surface of the first capacitor electrode and a second capacitor electrode is disposed on the capacitor dielectric layer opposite the first capacitor electrode. Sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug may be substantially coplanar, and the device may further include an etch stopper layer conforming to at least sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug. Related fabrication methods are described.

摘要翻译： 导电接触插塞延伸穿过电介质层中的开口以接触衬底并且包括延伸到邻近开口的电介质层上的加宽焊盘部分。 欧姆图案设置在插头的焊盘部分上，并且阻挡图案设置在欧姆图案上。 凹陷的第一电容器电极设置在阻挡图案上并且限定了远离基板的空腔。 电容器电介质层符合第一电容器电极的表面，并且第二电容器电极设置在与第一电容器电极相对的电容器电介质层上。 欧姆图案的侧壁，接触塞的阻挡图案和焊盘部分可以是基本上共面的，并且该器件还可以包括符合至少欧姆图案的侧壁，阻挡图案和焊盘部分的蚀刻停止层 接触插头。 描述相关的制造方法。

公开(公告)号：US20050009369A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10884507

申请日：2004-07-02

申请人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L27/108 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Multi-layered structures formed using atomic-layer deposition processes include multiple metal oxide layers wherein the metal oxide layers are formed without the presence of interlayer oxide layers and may include different metal oxide compositions.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成的多层结构包括多个金属氧化物层，其中形成金属氧化物层而不存在层间氧化物层，并且可以包括不同的金属氧化物组合物。

公开(公告)号：US20050031495A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10844136

申请日：2004-05-12

申请人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/30 ,  B01B1/00 ,  B01J4/02 ,  B01L3/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

摘要： Liquid chemical delivery systems are provided which include a liquid chemical storage canister, a pressurized gas source that feeds a pressurized gas into the storage canister, a vaporizer that may be used to vaporize the liquid chemical supplied from the storage canister, a delivery line that connects the storage canister to the vaporizer, a liquid mass flow controller that controls the flow rate of the liquid chemical through the delivery line, a reaction chamber that is connected to the vaporizer, and a liquid chemical recycling element that collects at least some of the chemical flowing through the system during periods when the liquid chemical delivery system is isolated from the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了液体化学输送系统，其包括液体化学品储存罐，将加压气体进料到储存罐中的加压气体源，可用于蒸发从储存罐供应的液体化学品的蒸发器，连接 储存罐到蒸发器，液体质量流量控制器，其通过输送管线控制液体化学品的流速;连接到蒸发器的反应室;以及液体化学品循环元件，其收集至少一些化学物质 在液体化学品输送系统与反应室隔离的期间流经系统。

公开(公告)号：US20090050210A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12258818

申请日：2008-10-27

申请人： Han-Mei Choi ,  Thomas Jongwon Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Thomas Jongwon Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： G05D7/06 ,  B01F3/04 ,  G05D11/00

CPC分类号： C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

摘要： Liquid chemical delivery systems are provided which include a liquid chemical storage canister, a pressurized gas source that feeds a pressurized gas into the storage canister, a vaporizer that may be used to vaporize the liquid chemical supplied from the storage canister, a delivery line that connects the storage canister to the vaporizer, a liquid mass flow controller that controls the flow rate of the liquid chemical through the delivery line, a reaction chamber that is connected to the vaporizer, and a liquid chemical recycling element that collects at least some of the chemical flowing through the system during periods when the liquid chemical delivery system is isolated from the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了液体化学输送系统，其包括液体化学品储存罐，将加压气体进料到储存罐中的加压气体源，可用于蒸发从储存罐供应的液体化学品的蒸发器，连接 储存罐到蒸发器，液体质量流量控制器，其通过输送管线控制液体化学品的流速;连接到蒸发器的反应室;以及液体化学品循环元件，其收集至少一些化学物质 在液体化学品输送系统与反应室隔离的期间流经系统。

公开(公告)号：US20060063346A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11149708

申请日：2005-06-10

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a reactant is provided onto the substrate to form a preliminary layer. Atoms in the preliminary layer are partially removed from the preliminary layer using plasma formed from an inert gas such as an argon gas, a xenon gas or a krypton gas, or an inactive gas such as an oxygen gas, a nitrogen gas or a nitrous oxide gas to form a desired layer. Processes for forming the desired layer may be simplified. A highly integrated semiconductor device having improved reliability may be economically manufactured so that time and costs required for the manufacturing of the semiconductor device may be reduced.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装载到室中之后，将反应物提供到衬底上以形成预备层。 使用由诸如氩气，氙气或氪气等惰性气体形成的等离子体或氧气，氮气或一氧化二氮等惰性气体，从预备层中部分除去原料中的原子 气体形成所需层。 可以简化用于形成所需层的工艺。 可以经济地制造具有提高的可靠性的高度集成的半导体器件，从而可以减少制造半导体器件所需的时间和成本。

公开(公告)号：US20060014384A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11140552

申请日：2005-05-27

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a first reactant is provided onto the substrate. The first reactant is partially chemisorbed on the substrate. A second reactant is introduced into the chamber to form a preliminary layer on the substrate by chemically reacting the second reactant with the chemisorbed first reactant. Impurities in the preliminary layer and unreacted reactants are simultaneously removed using a plasma for removing impurities to thereby form the layer on the substrate. The impurities in the layer may be effectively removed so that the layer may have reduced leakage current.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装入腔室之后，在衬底上提供第一反应物。 第一反应物被部分化学吸附在基材上。 将第二反应物引入室中以通过使第二反应物与化学吸附的第一反应物发生化学反应在衬底上形成预备层。 使用用于除去杂质的等离子体同时除去预备层中的杂质和未反应的反应物，从而在基板上形成层。 可以有效地去除层中的杂质，使得该层可能具有减小的漏电流。

公开(公告)号：US20060138523A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11311143

申请日：2005-12-20

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： Example embodiments of the present invention disclose a non-volatile semiconductor memory device, which may include a dielectric layer having an enhanced dielectric constant. A tunnel oxide layer pattern and a floating gate may be sequentially formed on a substrate. A dielectric layer pattern including metal oxide doped with Group III transition metals may be formed on the floating gate using a pulsed laser deposition process. The dielectric layer pattern having an increased dielectric constant may be formed of metal oxide doped with a transition metal such as scandium, yttrium, or lanthanum.

摘要翻译： 本发明的示例实施例公开了一种非易失性半导体存储器件，其可以包括具有增强介电常数的介电层。 可以在衬底上依次形成隧道氧化物层图案和浮栅。 可以使用脉冲激光沉积工艺在浮栅上形成包括掺杂有III族过渡金属的金属氧化物的电介质层图案。 具有增加的介电常数的电介质层图案可以由掺杂有过渡金属如钪，钇或镧的金属氧化物形成。

公开(公告)号：US07338863B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US11311143

申请日：2005-12-20

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： Example embodiments of the present invention disclose a non-volatile semiconductor memory device, which may include a dielectric layer having an enhanced dielectric constant. A tunnel oxide layer pattern and a floating gate may be sequentially formed on a substrate. A dielectric layer pattern including metal oxide doped with Group III transition metals may be formed on the floating gate using a pulsed laser deposition process. The dielectric layer pattern having an increased dielectric constant may be formed of metal oxide doped with a transition metal such as scandium, yttrium, or lanthanum.

摘要翻译： 本发明的示例实施例公开了一种非易失性半导体存储器件，其可以包括具有增强介电常数的介电层。 可以在衬底上依次形成隧道氧化物层图案和浮栅。 可以使用脉冲激光沉积工艺在浮栅上形成包括掺杂有III族过渡金属的金属氧化物的电介质层图案。 具有增加的介电常数的电介质层图案可以由掺杂有过渡金属如钪，钇或镧的金属氧化物形成。