公开(公告)号：US20100009514A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12417114

申请日：2009-04-02

申请人： Myung Lae LEE ,  Jong Hyun Lee ,  Sung Sik Yun ,  Dae Hun Jeong ,  Gunn Hwang ,  Chang Auck Choi ,  Chang Han Je ,  Jae Yong An

发明人： Myung Lae LEE ,  Jong Hyun Lee ,  Sung Sik Yun ,  Dae Hun Jeong ,  Gunn Hwang ,  Chang Auck Choi ,  Chang Han Je ,  Jae Yong An

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

摘要： A method of fabricating a micro-vertical structure is provided. The method includes bonding a second crystalline silicon (Si) substrate onto a first crystalline Si substrate by interposing an insulating layer pattern and a cavity, etching the second crystalline Si substrate using a deep reactive ion etch (DRIE) process along a [111] crystal plane vertical to the second crystalline Si substrate, and etching an etched vertical surface of the second crystalline Si substrate using a crystalline wet etching process to improve the surface roughness and flatness of the etched vertical surface. As a result, no morphological defects occur on the etched vertical surface. Also, footings do not occur at an etch end-point due to the insulating layer pattern. In addition, the micro-vertical structure does not float in the air but is fixed to the first crystalline Si substrate, thereby facilitating subsequent processes.

摘要翻译： 提供一种制造微垂直结构的方法。 该方法包括通过插入绝缘层图案和空腔将第二晶体硅（Si）衬底接合到第一晶体Si衬底上，使用沿[111]晶体的深反应离子蚀刻（DRIE）工艺蚀刻第二晶体Si衬底 垂直于第二晶体Si衬底，并且使用结晶湿蚀刻工艺蚀刻第二晶体Si衬底的蚀刻垂直表面，以改善蚀刻垂直表面的表面粗糙度和平坦度。 结果，蚀刻的垂直表面上没有形成形态缺陷。 此外，由于绝缘层图案，在蚀刻终点处不发生基脚。 此外，微垂直结构不会浮在空气中，而是固定在第一晶体Si衬底上，从而有助于后续工艺。

公开(公告)号：US07745308B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12417114

申请日：2009-04-02

申请人： Myung Lae Lee ,  Jong Hyun Lee ,  Sung Sik Yun ,  Dae Hun Jeong ,  Gunn Hwang ,  Chang Auck Choi ,  Chang Han Je ,  Jae Yong An

发明人： Myung Lae Lee ,  Jong Hyun Lee ,  Sung Sik Yun ,  Dae Hun Jeong ,  Gunn Hwang ,  Chang Auck Choi ,  Chang Han Je ,  Jae Yong An

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

摘要： A method of fabricating a micro-vertical structure is provided. The method includes bonding a second crystalline silicon (Si) substrate onto a first crystalline Si substrate by interposing an insulating layer pattern and a cavity, etching the second crystalline Si substrate using a deep reactive ion etch (DRIE) process along a [111] crystal plane vertical to the second crystalline Si substrate, and etching an etched vertical surface of the second crystalline Si substrate using a crystalline wet etching process to improve the surface roughness and flatness of the etched vertical surface. As a result, no morphological defects occur on the etched vertical surface. Also, footings do not occur at an etch end-point due to the insulating layer pattern. In addition, the micro-vertical structure does not float in the air but is fixed to the first crystalline Si substrate, thereby facilitating subsequent processes.

摘要翻译： 提供一种制造微垂直结构的方法。 该方法包括通过插入绝缘层图案和空腔将第二晶体硅（Si）衬底接合到第一晶体Si衬底上，使用沿[111]晶体的深反应离子蚀刻（DRIE）工艺蚀刻第二晶体Si衬底 垂直于第二晶体Si衬底，并且使用结晶湿蚀刻工艺蚀刻第二晶体Si衬底的蚀刻垂直表面，以改善蚀刻垂直表面的表面粗糙度和平坦度。 结果，蚀刻的垂直表面上没有形成形态缺陷。 此外，由于绝缘层图案，在蚀刻终点处不发生基脚。 此外，微垂直结构不会浮在空气中，而是固定在第一晶体Si衬底上，从而有助于后续工艺。