公开(公告)号：US20140124782A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14073079

申请日：2013-11-06

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Jung-kyu JUNG ,  Taeyon LEE ,  Yoondong PARK ,  Hyunseok LEE

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L27/14665 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/109

Abstract: An image sensor may include a first layer on a substrate and including a chalcogenide-containing material, and a detection part connected to the first layer and configured to detect a variation in electric characteristics of the first layer. The chalcogenide-containing material may include one of AxByS1-x-y, AxByTe1-x-y, and AxBySe1-x-y, where 0

Abstract translation: 图像传感器可以包括在基板上的第一层，并且包括含硫族化物的材料，以及连接到第一层并被配置为检测第一层的电特性的变化的检测部。 含硫族化物的材料可以包括AxByS1-xy，AxByTe1-xy和AxBySe1-xy中的一种，其中0