公开(公告)号：US20090163005A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12322932

申请日：2009-02-09

申请人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sungjoo Lee ,  Ming Fu Li ,  Jagar Singh ,  Chunxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

发明人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sungjoo Lee ,  Ming Fu Li ,  Jagar Singh ,  Chunxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/7839

摘要： A method of fabricating an N-type Schottky barrier Source/Drain Transistor (N-SSDT) with ytterbium silicide (YbSi2-x) for source and drain is presented. The fabrication of YbSi2-x is compatible with the normal CMOS process but ultra-high vacuum, which is required for ErSi2-x fabrication, is not needed here. To prevent oxidation of ytterbium during ex situ annealing and to improve the film quality, a suitable capping layer stack has been developed.

摘要翻译： 提出了一种制造用于源极和漏极的镱硅化物（YbSi2-x）的N型肖特基势垒源极/漏极晶体管（N-SSDT）的方法。 YbSi2-x的制造与正常的CMOS工艺兼容，但是不需要ErSi2-x制造所需的超高真空。 为了防止在原位退火过程中镱的氧化并提高膜质量，已经开发了合适​​的覆盖层叠层。

公开(公告)号：US07504328B2

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：US11126031

申请日：2005-05-10

申请人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sungjoo Lee ,  Ming Fu Li ,  Jagar Singh ,  Chunxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

发明人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sungjoo Lee ,  Ming Fu Li ,  Jagar Singh ,  Chunxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/7839

摘要： A method of fabricating an N-type Schottky barrier Source/Drain Transistor (N-SSDT) with ytterbium silicide (YbSi2-x) for source and drain is presented. The fabrication of YbSi2-x is compatible with the normal CMOS process but ultra-high vacuum, which is required for ErSi2-x fabrication, is not needed here. To prevent oxidation of ytterbium during ex situ annealing and to improve the film quality, a suitable capping layer stack has been developed.

摘要翻译： 提出了一种制造用于源极和漏极的镱硅化物（YbSi2-x）的N型肖特基势垒源极/漏极晶体管（N-SSDT）的方法。 YbSi2-x的制造与正常的CMOS工艺兼容，但是不需要ErSi2-x制造所需的超高真空。 为了防止在原位退火过程中镱的氧化并提高膜质量，已经开发了合适​​的覆盖层叠层。

公开(公告)号：US20090179281A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12322604

申请日：2009-02-04

申请人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sungjoo Lee ,  Ming Fu Li ,  Jagar Singh ,  Chungxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

发明人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sungjoo Lee ,  Ming Fu Li ,  Jagar Singh ,  Chungxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/7839

摘要： An N-type Schottky barrier Source/Drain Transistor (N-SSDT) that uses ytterbium silicide (YbSi2-x) for the source and drain is described. The structure includes a suitable capping layer stack.

摘要翻译： 描述了使用镱硅化物（YbSi2-x）作为源极和漏极的N型肖特基势垒源极/漏极晶体管（N-SSDT）。 该结构包括合适的覆盖层堆叠。

公开(公告)号：US20050275033A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US11126031

申请日：2005-05-10

申请人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sung Lee ,  Ming Li ,  Jagar Singh ,  Chunxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

发明人： Shiyang Zhu ,  Jingde Chen ,  Sung Lee ,  Ming Li ,  Jagar Singh ,  Chunxiang Zhu ,  Dim-Lee Kwong

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/7839

摘要： A method of fabricating an N-type Schottky barrier Source/Drain Transistor (N-SSDT) with ytterbium silicide (YbSi2-x) for source and drain is presented. The fabrication of YbSi2-x is compatible with the normal CMOS process but ultra-high vacuum, which is required for ErSi2-x fabrication, is not needed here. To prevent oxidation of ytterbium during ex situ annealing and to improve the film quality, a suitable capping layer stack has been developed.

摘要翻译： 提出了一种用于源极和漏极制造具有镱硅化物（YbSi 2-x-x）的N型肖特基势垒源极/漏极晶体管（N-SSDT）的方法。 YbSi 2-x 的制造与正常的CMOS工艺兼容，但是在这里不需要对于ErSi 2-x N制造所需的超高真空。 为了防止在原位退火过程中镱的氧化并提高膜质量，已经开发了合适​​的覆盖层叠层。

公开(公告)号：US20050285208A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11149975

申请日：2005-06-10

申请人： Chi Ren ,  Hongyu Yu ,  Siu Hung Daniel Chan ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong

发明人： Chi Ren ,  Hongyu Yu ,  Siu Hung Daniel Chan ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842

摘要： A gate electrode for semiconductor devices, the gate electrode comprising a mixture of a metal having a work function of about 4 eV or less and a metal nitride.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的栅电极，所述栅电极包括功函数为约4eV或更小的金属和金属氮化物的混合物。

公开(公告)号：US20080224236A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12020815

申请日：2008-01-28

申请人： Chi Ren ,  Hongyu Yu ,  Siu Hung Daniel Chan ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong

发明人： Chi Ren ,  Hongyu Yu ,  Siu Hung Daniel Chan ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842

摘要： A gate electrode for semiconductor devices, the gate electrode comprising a mixture of a metal having a work function of about 4 eV or less and a metal nitride.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的栅电极，所述栅电极包括功函数为约4eV或更小的金属和金属氮化物的混合物。

公开(公告)号：US20050205947A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10802563

申请日：2004-03-17

申请人： Hong Yu ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong ,  Lakshmi Bera

发明人： Hong Yu ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong ,  Lakshmi Bera

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

摘要： This invention relates to a semiconductor device making use of a highly thermal robust metal electrode as gate material. In particular, the development of Hafnium Nitride as a metal gate electrode (or a part of the metal gate stack) is taught and its manufacturing steps of fabrication with different embodiments are shown.

摘要翻译： 本发明涉及利用高度耐热的金属电极作为栅极材料的半导体器件。 特别地，教导了作为金属栅极电极（或金属栅极叠层的一部分）的氮化铪的开发，并且示出了其具有不同实施例的制造的制造步骤。

公开(公告)号：US07514360B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US10802563

申请日：2004-03-17

申请人： Hong Yu Yu ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong ,  Lakshmi Kanta Bera

发明人： Hong Yu Yu ,  Ming-Fu Li ,  Dim-Lee Kwong ,  Lakshmi Kanta Bera

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

摘要： This invention relates to a semiconductor device making use of a highly thermal robust metal electrode as gate material. In particular, the development of Hafnium Nitride as a metal gate electrode (or a part of the metal gate stack) is taught and its manufacturing steps of fabrication with different embodiments are shown.

摘要翻译： 本发明涉及利用高度耐热的金属电极作为栅极材料的半导体器件。 特别地，教导了作为金属栅极电极（或金属栅极叠层的一部分）的氮化铪的开发，并且示出了其具有不同实施例的制造的制造步骤。

公开(公告)号：US20060260676A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11438077

申请日：2006-05-18

申请人： Fei Gao ,  CheeWee Liu ,  Sungjoo Lee ,  Dim-Lee Kwong

发明人： Fei Gao ,  CheeWee Liu ,  Sungjoo Lee ,  Dim-Lee Kwong

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A photodetector and a method of manufacturing the photodetector are provided. The photodetector comprises a first semiconductor layer; a dielectric layer formed on the first semiconductor layer, the dielectric layer comprising a plurality of openings; a second semiconductor layer formed on the dielectric layer, such that portions of the second semiconductor layer are in contact with the first semiconductor layer at the openings; wherein regions of structural disorder with dislocations exist at interfaces between the first and second semiconductor layers at the openings.

摘要翻译： 提供光电检测器和制造光电检测器的方法。 光电检测器包括第一半导体层; 形成在所述第一半导体层上的电介质层，所述电介质层包括多个开口; 形成在电介质层上的第二半导体层，使得第二半导体层的部分在开口处与第一半导体层接触; 其中具有位错的结构紊乱区域存在于开口处的第一和第二半导体层之间的界面处。

公开(公告)号：US20060286802A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11382875

申请日：2006-05-11

申请人： HongYu Yu ,  Chen JingDe ,  Li Mingfu ,  Dim-Lee Kwong ,  Serge Biesemans ,  Jorge Kittl

发明人： HongYu Yu ,  Chen JingDe ,  Li Mingfu ,  Dim-Lee Kwong ,  Serge Biesemans ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/785

摘要： Low work function metals for use as gate electrode in nMOS devices are provided. The low work function metals include alloys of lanthanide(s), metal and semiconductor. In particular, an alloy of nickel-ytterbium (NiYb) is used to fully silicide (FUSI) a silicon gate. The resulting nickel-ytterbium-silicon gate electrode has a work function of about 4.22 eV.

摘要翻译： 提供了用作nMOS器件中的栅电极的低功函数金属。 低功函数金属包括镧系元素，金属和半导体的合金。 特别地，使用镍 - 镱（NiYb）的合金来完全硅化（FUSI）硅栅极。 所得的镍镱硅栅电极具有约4.22eV的功函数。