公开(公告)号：US20060231524A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11422031

申请日：2006-06-02

申请人： Wei Liu ,  Jim He ,  Sang Ahn ,  Meihua Shen ,  Hichem M'Saad ,  Wendy Yeh ,  Christopher Bencher

发明人： Wei Liu ,  Jim He ,  Sang Ahn ,  Meihua Shen ,  Hichem M'Saad ,  Wendy Yeh ,  Christopher Bencher

IPC分类号： C23F1/00 ,  B44C1/22 ,  G03C5/00 ,  H01L21/302 ,  C03C25/68

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146

摘要： A method of etching a substrate is provided. The method of etching a substrate includes transferring a pattern into the substrate using a double patterned amorphous carbon layer on the substrate as a hardmask. Optionally, a non-carbon based layer is deposited on the amorphous carbon layer as a capping layer before the pattern is transferred into the substrate.

摘要翻译： 提供蚀刻基板的方法。 蚀刻基板的方法包括使用基板上的双图案化非晶碳层作为硬掩模将图案转印到基板中。 任选地，在将图案转移到基底内之前，将非碳基层沉积在无定形碳层上作为覆盖层。

公开(公告)号：US20060192150A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11414649

申请日：2006-04-27

申请人： Alexandros Demos ,  Khaled Elsheref ,  Yuri Trachuk ,  Tom Cho ,  Girish Dixit ,  Hichem M'Saad ,  Derek Witty

发明人： Alexandros Demos ,  Khaled Elsheref ,  Yuri Trachuk ,  Tom Cho ,  Girish Dixit ,  Hichem M'Saad ,  Derek Witty

IPC分类号： G21K5/10 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J37/317 ,  H01J2237/0041

摘要： Embodiments in accordance with the present invention relate to a number of techniques, which may be applied alone or in combination, to reduce charge damage of substrates exposed to electron beam radiation. In one embodiment, charge damage is reduced by establishing a robust electrical connection between the exposed substrate and ground. In another embodiment, charge damage is reduced by modifying the sequence of steps for activating and deactivating the electron beam source to reduce the accumulation of charge on the substrate. In still another embodiment, a plasma is struck in the chamber containing the e-beam treated substrate, thereby removing accumulated charge from the substrate. In a further embodiment of the present invention, the voltage of the anode of the e-beam source is reduced in magnitude to account for differences in electron conversion efficiency exhibited by different cathode materials.

摘要翻译： 根据本发明的实施例涉及可以单独或组合应用的多种技术，以减少暴露于电子束辐射的衬底的电荷损伤。 在一个实施例中，通过在暴露的基板和地之间建立牢固的电连接来减小电荷损伤。 在另一个实施例中，通过修改用于激活和去激活电子束源的步骤顺序来减少电荷损伤，以减少电荷在衬底上的累积。 在另一个实施例中，在包含电子束处理的衬底的室中撞击等离子体，从而从衬底去除积聚的电荷。 在本发明的另一个实施例中，电子束源的阳极的电压的大小被减小以考虑到由不同的阴极材料表现的电子转换效率的差异。

公开(公告)号：US20060093756A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US10981430

申请日：2004-11-03

申请人： Nagarajan Rajagopalan ,  Li-Qun Xia ,  Mihaela Balseanu ,  Thomas Nowak ,  Ranjana Shah ,  Huiwen Xu ,  Chad Peterson ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Li-Qun Xia ,  Mihaela Balseanu ,  Thomas Nowak ,  Ranjana Shah ,  Huiwen Xu ,  Chad Peterson ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： B05D1/36

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

摘要： A method for seasoning a deposition chamber wherein the chamber components and walls are densely coated with a material that does not contain carbon prior to deposition of an organo-silicon material on a substrate. An optional carbon-containing layer may be deposited therebetween. A chamber cleaning method using low energy plasma and low pressure to remove residue from internal chamber surfaces is provided and may be combined with the seasoning process.

摘要翻译： 一种用于调节沉积室的方法，其中在将有机硅材料沉积在基底上之前，室部件和壁被不含碳的材料致密地涂覆。 可以在其间沉积任选的含碳层。 提供了使用低能量等离子体和低压以从内部室表面除去残余物的室清洁方法，并且可以与调味过程组合。

公开(公告)号：US20050277302A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US11139436

申请日：2005-05-27

申请人： Son Nguyen ,  Hichem M'Saad ,  Bok Kim

发明人： Son Nguyen ,  Hichem M'Saad ,  Bok Kim

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/312 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/325 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods are provided for depositing a doped barrier layer material having a low dielectric constant. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a barrier layer on the substrate by introducing a processing gas comprising an organosilicon compound, at least one dopant containing gas, hydrogen gas, and, optionally, an inert gas into a processing chamber, reacting the processing gas to deposit the barrier layer, and depositing a first dielectric layer adjacent the barrier layer. The organosilicon compound may comprise a phenylsilane containing compound or an aliphatic organosilicon compound. The processing gas may further comprise an oxygen containing compound, a nitrogen containing compound, or both.

摘要翻译： 提供了用于沉积具有低介电常数的掺杂阻挡层材料的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括通过将包含有机硅化合物，至少一种含有气体的掺杂剂，氢气和任选的惰性气体的处理气体引入到衬底上来沉积阻挡层， 处理室，使处理气体反应以沉积阻挡层，以及沉积与阻挡层相邻的第一介电层。 有机硅化合物可以包含含苯基硅烷的化合物或脂族有机硅化合物。 处理气体还可以包含含氧化合物，含氮化合物或两者。

公开(公告)号：US20050250348A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US10840754

申请日：2004-05-06

申请人： Li-Qun Xia ,  Huiwen Xu ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad ,  Dustin Ho ,  Juan Rocha-Alvarez

发明人： Li-Qun Xia ,  Huiwen Xu ,  Derek Witty ,  Hichem M'Saad ,  Dustin Ho ,  Juan Rocha-Alvarez

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76826 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829

摘要： A method of processing a substrate including depositing a low dielectric constant film comprising silicon, carbon, and oxygen on the substrate and depositing an oxide rich cap on the low dielectric constant film is provided. The low dielectric constant film is deposited from a gas mixture comprising an organosilicon compound and an oxidizing gas in the presence of RF power in a chamber. The RF power and a flow of the organosilicon compound and the oxidizing gas are continued in the chamber after the deposition of the low dielectric constant film at flow rates sufficient to deposit an oxide rich cap on the low dielectric constant film.

摘要翻译： 提供一种处理衬底的方法，包括在衬底上沉积包含硅，碳和氧的低介电常数膜并在低介电常数膜上沉积氧化物富盖。 在室内存在RF功率的情况下，从包含有机硅化合物和氧化气体的气体混合物中沉积低介电常数膜。 在低介电常数薄膜以低于在低介电常数膜上沉积富含氧化物的盖子的流速下沉积后，室内继续进行RF功率和有机硅化合物和氧化气体的流动。

公开(公告)号：US06521546B1

公开(公告)日：2003-02-18

申请号：US09593851

申请日：2000-06-14

申请人： Michael Barnes ,  Hichem M'Saad ,  Huong Thanh Nguyen ,  Farhad Moghadam

发明人： Michael Barnes ,  Hichem M'Saad ,  Huong Thanh Nguyen ,  Farhad Moghadam

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02131 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629

摘要： A method of forming an integrated circuit using a fluoro-organosilicate layer is disclosed. The fluoro-organosilicate layer is formed by applying an electric field to a gas mixture comprising a fluoro-organosilane compound and an oxidizing gas. The fluoro-organosilicate layer is compatible with integrated circuit fabrication processes. In one integrated circuit fabrication process, the fluoro-organosilicate layer is used as a hardmask. In another integrated circuit fabrication process, the fluoro-organosilicate layer is incorporated into a damascene structure.

摘要翻译： 公开了一种使用氟 - 有机硅酸盐层形成集成电路的方法。 通过向包含氟 - 有机硅烷化合物和氧化气体的气体混合物施加电场而形成氟 - 有机硅酸盐层。 氟 - 有机硅酸盐层与集成电路制造工艺兼容。 在一个集成电路制造工艺中，氟 - 有机硅酸盐层用作硬掩模。 在另一集成电路制造工艺中，氟 - 有机硅酸盐层被结合到镶嵌结构中。

公开(公告)号：US6121161A

公开(公告)日：2000-09-19

申请号：US233366

申请日：1999-01-19

申请人： Kent Rossman ,  Turgut Sahin ,  Hichem M'Saad ,  Romuald Nowak

发明人： Kent Rossman ,  Turgut Sahin ,  Hichem M'Saad ,  Romuald Nowak

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/4401 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404

摘要： A method and apparatus for controlling the introduction of contaminates into a deposition chamber that occur naturally within the chamber components. The CVD chamber is "seasoned" with a protective layer after a dry clean operation and before a substrate is introduced into the chamber. The deposited seasoning layer has a lower diffusion rate for typical contaminants in relation to the chamber component materials and covers the chamber component, reducing the likelihood that the naturally occurring contaminants will interfere with subsequent processing steps. After deposition of the seasoning layer is complete, the chamber is used for one to n substrate deposition steps before being cleaned by another clean operation as described above and then reseasoned.

摘要翻译： 一种用于控制污染物引入到腔室部件内自然发生的沉积室的方法和装置。 在干燥清洁操作之后并且在将基板引入室之前，CVD室被保护层“经过调节”。 沉积的调味剂层对于典型的污染物相对于室组分材料具有较低的扩散速率并且覆盖室组分，降低了天然存在的污染物将干扰后续处理步骤的可能性。 在调味层的沉积完成之后，将该室用于一至n个衬底沉积步骤，然后通过如上所述的另一个清洁操作进行清洁，然后再次进行处理。

公开(公告)号：US08129290B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US11400275

申请日：2006-04-07

申请人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835

摘要： High tensile stress in a deposited layer such as silicon nitride, may be achieved utilizing one or more techniques, employed alone or in combination. High tensile stress may be achieved by forming a silicon-containing layer on a surface by exposing the surface to a silicon-containing precursor gas in the absence of a plasma, forming silicon nitride by exposing said silicon-containing layer to a nitrogen-containing plasma, and then repeating these steps to increase a thickness of the silicon nitride created thereby. High tensile stress may also be achieved by exposing a surface to a silicon-containing precursor gas in a first nitrogen-containing plasma, treating the material with a second nitrogen-containing plasma, and then repeating these steps to increase a thickness of the silicon nitride formed thereby. In another embodiment, tensile film stress is enhanced by deposition with porogens that are liberated upon subsequent exposure to UV radiation or plasma treatment.

摘要翻译： 沉积层如氮化硅中的高拉伸应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来实现。 可以通过在不存在等离子体的情况下将表面暴露于含硅前体气体而在表面上形成含硅层来形成高拉伸应力，通过将含硅层暴露于含氮等离子体而形成氮化硅 ，然后重复这些步骤以增加由此产生的氮化硅的厚度。 也可以通过在第一含氮等离子体中将表面暴露于含硅前体气体，用第二含氮等离子体处理该材料，然后重复这些步骤以增加氮化硅的厚度来实现高拉伸应力 由此形成。 在另一个实施方案中，拉伸膜应力通过在随后暴露于UV辐射或等离子体处理时释放的孔原子沉积而增强。

公开(公告)号：US07777197B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11425974

申请日：2006-06-22

申请人： Amir Al-Bayati ,  Lester A. D'Cruz ,  Alexandros T. Demos ,  Dale R. Dubois ,  Khaled A. Elsheref ,  Naoyuki Iwasaki ,  Hichem M'Saad ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Ashish Shah ,  Takashi Shimizu

发明人： Amir Al-Bayati ,  Lester A. D'Cruz ,  Alexandros T. Demos ,  Dale R. Dubois ,  Khaled A. Elsheref ,  Naoyuki Iwasaki ,  Hichem M'Saad ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Ashish Shah ,  Takashi Shimizu

IPC分类号： G01N23/00

CPC分类号： H01J37/317 ,  B23K15/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/026 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/3156 ,  H01J2237/316 ,  H01J2237/3165 ,  H01L21/67115

摘要： Methods and apparatus for electron beam treatment of a substrate are provided. An electron beam apparatus that includes a vacuum chamber, at least one thermocouple assembly in communication with the vacuum chamber, a heating device in communication with the vacuum chamber, and combinations thereof are provided. In one embodiment, the vacuum chamber comprises an electron source wherein the electron source comprises a cathode connected to a high voltage source, an anode connected to a low voltage source, and a substrate support. In another embodiment, the vacuum chamber comprises a grid located between the anode and the substrate support. In one embodiment the heating device comprises a first parallel light array and a second light array positioned such that the first parallel light array and the second light array intersect. In one embodiment the thermocouple assembly comprises a temperature sensor made of aluminum nitride.

摘要翻译： 提供了用于基板的电子束处理的方法和装置。 提供了一种电子束装置，其包括真空室，至少一个与真空室连通的热电偶组件，与真空室连通的加热装置及其组合。 在一个实施例中，真空室包括电子源，其中电子源包括连接到高电压源的阴极，连接到低电压源的阳极和衬底支撑件。 在另一个实施例中，真空室包括位于阳极和基板支撑件之间的格栅。 在一个实施例中，加热装置包括第一平行光阵列和第二光阵列，其定位成使得第一平行光阵列和第二光阵列相交。 在一个实施例中，热电偶组件包括由氮化铝制成的温度传感器。

公开(公告)号：US07732342B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11398146

申请日：2006-04-05

申请人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Isabelita Rolfox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Isabelita Rolfox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3185

摘要： Compressive stress in a film of a semiconductor device may be controlled utilizing one or more techniques, employed alone or in combination. A first set of embodiments increase silicon nitride compressive stress by adding hydrogen to the deposition chemistry, and reduce defects in a device fabricated with a high compressive stress silicon nitride film formed in the presence of hydrogen gas. A silicon nitride film may comprise an initiation layer formed in the absence of a hydrogen gas flow, underlying a high stress nitride layer formed in the presence of a hydrogen gas flow. A silicon nitride film formed in accordance with an embodiment of the present invention may exhibit a compressive stress of 2.8 GPa or higher.

摘要翻译： 半导体器件的膜中的压缩应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来控制。 第一组实施例通过向沉积化学品加入氢而增加氮化硅压缩应力，并且减少在氢气存在下形成的高压缩应力氮化硅膜制造的器件中的缺陷。 氮化硅膜可以包括在不存在氢气流的情况下形成的起始层，位于在氢气流的存在下形成的高应力氮化物层的下面。 根据本发明的实施方案形成的氮化硅膜可以表现出2.8GPa或更高的压缩应力。