公开(公告)号：US20080227639A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11834317

申请日：2007-08-06

申请人： Wei Wu ,  Peter Hajdukiewicz ,  Qi Wang

发明人： Wei Wu ,  Peter Hajdukiewicz ,  Qi Wang

IPC分类号： A01N57/20 ,  C12N15/11 ,  C12N5/10 ,  A01P13/00 ,  A01H5/00

CPC分类号： C12N15/8286 ,  C07K14/415 ,  C12N15/8227 ,  C12N15/8243 ,  C12N15/8247 ,  C12N15/8274 ,  C12N15/8279

摘要： The present invention provides non-coding regulatory element polynucleotide molecules isolated from the Metallothionein gene of Oryza sativa and useful for expressing transgenes in plants. The invention further discloses compositions, polynucleotide constructs, transformed host cells, transgenic plants and seeds containing the Oryza sativa regulatory polynucleotide sequences, and methods for preparing and using the same.

摘要翻译： 本发明提供从水稻的金属硫蛋白基因中分离的非编码调节元件多核苷酸分子，可用于在植物中表达转基因。 本发明还公开了组合物，多核苷酸构建体，转化的宿主细胞，转基因植物和含有水稻调节多核苷酸序列的种子，以及制备和使用该方法。

公开(公告)号：US20080182753A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11634314

申请日：2006-12-05

申请人： Peter Hajdukiewicz ,  Qi Wang ,  Wei Wu

发明人： Peter Hajdukiewicz ,  Qi Wang ,  Wei Wu

IPC分类号： A01N57/18 ,  C12N15/29 ,  C12N5/10 ,  A01P13/00 ,  A01H5/00

CPC分类号： C12N15/8227 ,  C12N15/8231 ,  C12N15/8233 ,  C12N15/8234 ,  C12N15/8235 ,  Y02E50/343

摘要： The present invention provides non-coding regulatory element polynucleotide molecules isolated from Oryza sativa and useful for expressing transgenes in plants, in particular root tissues. The invention further discloses compositions, polynucleotide constructs, transformed host cells, transgenic plants and seeds containing the Oryza sativa regulatory polynucleotide sequences, and methods for preparing and using the same.

摘要翻译： 本发明提供从水稻分离的非编码调节元件多核苷酸分子，并且可用于在植物，特别是根组织中表达转基因。 本发明还公开了组合物，多核苷酸构建体，转化的宿主细胞，转基因植物和含有水稻调节多核苷酸序列的种子，以及制备和使用该方法。

公开(公告)号：US20080135931A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US12032123

申请日：2008-02-15

申请人： Ashok Challa ,  Alan Elbanhawy ,  Thomas E. Grebs ,  Nathan L. Kraft ,  Dean E. Probst ,  Rodney S. Ridlay ,  Steven P. Sapp ,  Qi Wang ,  Chongman Yun ,  J.G. Lee ,  Peter H. Wilson ,  Joseph A. Yedinak ,  J.Y. Jung ,  H.C. Jang ,  Babak S. Sanl ,  Richard Stokes ,  Gary M. Dolny ,  John Mytych ,  Becky Losee ,  Adam Selsley ,  Robert Herrick ,  James J. Murphy ,  Gordon K. Madson ,  Bruce D. Marchant ,  Christopher L. Rexer ,  Christopher B. Kocon ,  Debra S. Woolsey

发明人： Ashok Challa ,  Alan Elbanhawy ,  Thomas E. Grebs ,  Nathan L. Kraft ,  Dean E. Probst ,  Rodney S. Ridlay ,  Steven P. Sapp ,  Qi Wang ,  Chongman Yun ,  J.G. Lee ,  Peter H. Wilson ,  Joseph A. Yedinak ,  J.Y. Jung ,  H.C. Jang ,  Babak S. Sanl ,  Richard Stokes ,  Gary M. Dolny ,  John Mytych ,  Becky Losee ,  Adam Selsley ,  Robert Herrick ,  James J. Murphy ,  Gordon K. Madson ,  Bruce D. Marchant ,  Christopher L. Rexer ,  Christopher B. Kocon ,  Debra S. Woolsey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49816 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7831 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H02M3/00 ,  H02M3/33592 ,  H02M7/48 ,  Y02B70/1475 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor power device includes a drift region of a first conductivity type, a well region extending above the drift region and having a second conductivity type opposite the first conductivity type, an active trench extending through the well region and into the drift region, source regions having the first conductivity type formed in the well region adjacent the active trench, and a first termination trench extending below the well region and disposed at an outer edge of an active region of the device. The sidewalls and bottom of the active trench are lined with dielectric material, and substantially filled with a first conductive layer forming an upper electrode and a second conductive layer forming a lower electrode, the upper electrode being disposed above the lower electrode and separated therefrom by inter-electrode dielectric material. The first termination trench can be lined with a layer of dielectric material that is thicker than the dielectric material lining the sidewalls of the active trench, and is substantially filled with conductive material.

摘要翻译： 半导体功率器件包括第一导电类型的漂移区域，在漂移区域上方延伸并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区域，延伸穿过阱区域并进入漂移区域的有源沟槽，源极区域 具有形成在邻近有源沟槽的阱区中的第一导电类型，以及在阱区下延伸并设置在器件的有源区的外边缘处的第一端接沟槽。 有源沟槽的侧壁和底部衬有介电材料，并且基本上填充有形成上电极的第一导电层和形成下电极的第二导电层，上电极设置在下电极之上， 电介质材料。 第一端接沟槽可以衬有一层电介质材料，其比在有源沟槽侧壁上的电介质材料更厚，并且基本上填充有导电材料。

公开(公告)号：US20080112220A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11984145

申请日：2007-11-14

申请人： Kwang-jin Lee ,  Won-Seok Lee ,  Qi Wang ,  Hye-Jin Kim ,  Joon Yong Choi

发明人： Kwang-jin Lee ,  Won-Seok Lee ,  Qi Wang ,  Hye-Jin Kim ,  Joon Yong Choi

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C7/1078 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/225 ,  G11C16/10

摘要： A non-volatile semiconductor memory device may include a memory cell array that may include a plurality of memory transistors; a input circuit that may control a voltage level of an internal reference voltage and a delay time of an internal clock signal in response to an MRS trim code or an electric fuse trim code, and that may generate a first buffered input signal; a column gate that may gate the first buffered input signal in response to a decoded column address signal; and a sense amplifier that may amplify an output signal of the memory cell array to output to the column gate, and that may receive an output signal of the column gate to output to the memory cell array. The non-volatile semiconductor memory device may properly buffer an input signal of a small swing range.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器件可以包括可以包括多个存储晶体管的存储单元阵列; 输入电路，其可以响应于MRS修剪代码或电熔丝修剪代码来控制内部参考电压的电压电平和内部时钟信号的延迟时间，并且可以产生第一缓冲输入信号; 列门，其可以响应于解码列地址信号而选通第一缓冲输入信号; 以及读出放大器，其可以放大存储单元阵列的输出信号以输出到列门，并且可以接收列门的输出信号以输出到存储器单元阵列。 非易失性半导体存储器件可以适当地缓冲小摆动范围的输入信号。

公开(公告)号：US07365241B2

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US11436903

申请日：2006-05-18

申请人： Qi Wang ,  Tanya Fagaly ,  Ronald Bassuner ,  Jihong Liang ,  Tim N. Oulmassov ,  John Dabrowski

发明人： Qi Wang ,  Tanya Fagaly ,  Ronald Bassuner ,  Jihong Liang ,  Tim N. Oulmassov ,  John Dabrowski

IPC分类号： C12N15/09 ,  C12N15/82 ,  A01H5/00

CPC分类号： C12N15/8254

摘要： The present invention relates to the field of plant genetic engineering. More specifically, the present invention relates to seed specific gene expression. The present invention provides promoters capable of transcribing heterologous nucleic acid sequences in seeds, and methods of modifying, producing, and using the same.

摘要翻译： 本发明涉及植物遗传工程领域。 更具体地，本发明涉及种子特异性基因表达。 本发明提供能够转录种子中的异源核酸序列的启动子，以及修饰，产生和使用它们的方法。

公开(公告)号：US20080066202A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11856958

申请日：2007-09-18

申请人： Toni Armstrong ,  Kenneth Barton ,  Laura Crow ,  Larry Gilbertson ,  Shihshieh Huang ,  Yong Huang ,  Brian Martinell ,  Michael Petersen ,  Kenneth Piller ,  Qi Wang ,  Xudong Ye

发明人： Toni Armstrong ,  Kenneth Barton ,  Laura Crow ,  Larry Gilbertson ,  Shihshieh Huang ,  Yong Huang ,  Brian Martinell ,  Michael Petersen ,  Kenneth Piller ,  Qi Wang ,  Xudong Ye

IPC分类号： C12N15/84 ,  C12N15/82

CPC分类号： C12N15/8205 ,  C12N15/8209 ,  C12N15/8263 ,  C12N15/8265 ,  C12N15/8289

摘要： The compositions and methods are provided that enhance the selection of transgenic plants having two T-DNA molecules integrated into a plant genome at different physical and genetic loci. The compositions are DNA constructs that comprise novel arrangements of T-DNA molecules containing genes of interest, positive selectable marker genes, and conditional lethal genes. The methods disclosed herein comprises transforming a plant cell to comprise the DNA constructs of the present invention, regenerating the plant cell into a plant and identifying independant transgene loci, where the selectable marker genes or transgenic elements can be segregated in the progeny.

摘要翻译： 提供的组合物和方法增强了在不同物理和遗传基因座处整合到植物基因组中的具有两个T-DNA分子的转基因植物的选择。 组合物是包含含有感兴趣的基因，阳性选择标记基因和条件致死基因的T-DNA分子的新配置的DNA构建体。 本文公开的方法包括将植物细胞转化为包含本发明的DNA构建体，将植物细胞再生成植物并鉴定独立的转基因基因座，其中可选择标记基因或转基因元件可以在后代中分离。

公开(公告)号：US20070238263A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11400731

申请日：2006-04-06

申请人： Hamza Yilmaz ,  Qi Wang ,  Minhua Li ,  Chung-Lin Wu

发明人： Hamza Yilmaz ,  Qi Wang ,  Minhua Li ,  Chung-Lin Wu

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/28 ,  H01L29/78603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665

摘要： A method of bonding a semiconductor substrate to a metal substrate is disclosed. In some embodiments the method includes forming a semiconductor device in a semiconductor substrate, the semiconductor device comprising a first surface. The method further includes obtaining a metal substrate. The metal substrate is bonded to the first surface of the semiconductor device, wherein at least a portion of the metal substrate forms an electrical terminal for the semiconductor device.

摘要翻译： 公开了将半导体衬底接合到金属衬底的方法。 在一些实施例中，该方法包括在半导体衬底中形成半导体器件，该半导体器件包括第一表面。 该方法还包括获得金属基底。 金属基板结合到半导体器件的第一表面，其中金属基板的至少一部分形成用于半导体器件的电端子。

公开(公告)号：US07280879B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US10850686

申请日：2004-05-20

申请人： Martin Chen ,  Shailesh P. Mane ,  Gaurav Sharma ,  Qi Wang ,  Dallan Clancy ,  Mario Günter Rothenburg ,  Uwe Kohler

发明人： Martin Chen ,  Shailesh P. Mane ,  Gaurav Sharma ,  Qi Wang ,  Dallan Clancy ,  Mario Günter Rothenburg ,  Uwe Kohler

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F9/45 ,  G06F17/50 ,  G05B13/02 ,  G06F7/60

CPC分类号： G06Q10/04

摘要： A method and apparatus for computer modeling the production process is disclosed. An integrated product and process engineering system may be a computer modeling system that models both a generic production process and a specific individual production process. The integrated product and process engineering system may store a time dependent process parameter related to the production process, having uploaded them via an interface. The time dependent process parameters may be retrieve and displayed to the user on a display using a remote function call enabled function module. The time dependent process parameters may be uploaded from an external system or revised using a remote function call enabled function module.

摘要翻译： 公开了一种用于计算机模拟生产过程的方法和装置。 集成的产品和过程工程系统可以是模拟通用生产过程和特定单个生产过程的计算机建模系统。 集成产品和过程工程系统可以存储与生产过程相关的时间依赖过程参数，并通过接口上传它们。 使用启用远程功能调用功能的模块可以在显示器上检索和显示时间相关过程参数。 时间依赖过程参数可以从外部系统上传或使用启用远程功能调用功能模块进行修改。

公开(公告)号：US20070133808A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11638442

申请日：2006-12-14

申请人： Kun Li ,  Qi Wang

发明人： Kun Li ,  Qi Wang

IPC分类号： H04L9/30 ,  H04L9/00 ,  H04K1/00

CPC分类号： H04L9/0841 ,  H04L63/045 ,  H04L63/06 ,  H04L63/061

摘要： A method for allocating session key across gatekeepers in a direct-routing mode, including the following steps: a caller's GK and a callee's GK allocate a session key for a caller and a callee between through a Diffie-Hellman (DH) negotiation. The method of the present invention can allocate the session key even when the caller does not support the DH negotiation, therefore it has a wide range of applications.

摘要翻译： 一种用于以直接路由模式分配关守的会话密钥的方法，包括以下步骤：呼叫者的GK和被叫者的GK通过Diffie-Hellman（DH）协商来为呼叫者和被叫者分配会话密钥。 本发明的方法即使在呼叫者不支持DH协商的情况下也可以分配会话密钥，因此具有广泛的应用。

公开(公告)号：US20070074022A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11491006

申请日：2006-07-21

申请人： Qi Wang ,  Xiaosong Lei ,  Chaohui Ma ,  Haifeng Wang ,  Bo Wu ,  Haiyang Liu ,  Qin Zhang

发明人： Qi Wang ,  Xiaosong Lei ,  Chaohui Ma ,  Haifeng Wang ,  Bo Wu ,  Haiyang Liu ,  Qin Zhang

IPC分类号： H04L9/00

CPC分类号： H04L63/061 ,  H04L29/06027 ,  H04L63/08 ,  H04L63/0884 ,  H04L65/1009 ,  H04M7/0078

摘要： The present invention provides a method for providing message transmission in H.323 communication system. The method includes: the first endpoint and second endpoint confirming authentication information through a GK; according to said authentication information, the first endpoint and second endpoint exchanging message directly. Since H.235 protocol of ITU-T describes the authentication and privacy technique used in H.323 systems and provides security service for message transmission in GK-routed model, the present invention can guarantee the security of the authentication information. The functions of middle entities need not to be modified for applying the method provided by the present invention because Diffie-Hellman key exchange technology is adopted in this method. The present invention increases the network scalability of the symmetric key system by adopting negotiation mode. The present invention designates and improves the security framework of message transmission in direct-routed model of H.323 system, thereby improving the security of H.323 system.

摘要翻译： 本发明提供了一种在H.323通信系统中提供消息传输的方法。 该方法包括：第一端点和第二端点通过GK确认认证信息; 根据所述验证信息，第一端点和第二端点直接交换消息。 由于ITU-T的H.235协议描述了H.323系统中使用的认证和隐私技术，并为GK路由模型中的消息传输提供安全服务，本发明可以保证认证信息的安全性。 由于本方法采用Diffie-Hellman密钥交换技术，中间实体的功能不需要修改，适用于本发明提供的方法。 本发明通过采用协商模式提高对称密钥系统的网络可扩展性。 本发明指定并改进了H.323系统直接路由模型中消息传输的安全框架，从而提高了H.323系统的安全性。