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    FIELD ENHANCED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (FE-ICP) REACTOR
    121.
    发明申请
    FIELD ENHANCED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (FE-ICP) REACTOR 有权
    现场增强电感耦合等离子体（FE-ICP）反应器

    公开(公告)号：US20100025384A1

    公开(公告)日：2010-02-04

    申请号：US12182342

    申请日：2008-07-30

    申请人： VALENTIN N. TODOROW ,  Samer Banna ,  Kartik Ramaswamy ,  Michael D. Willwerth

    发明人： VALENTIN N. TODOROW ,  Samer Banna ,  Kartik Ramaswamy ,  Michael D. Willwerth

    IPC分类号： B23K9/02 ,  B23K9/00

    CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321

    摘要： Embodiments of field enhanced inductively coupled plasma reactors and methods of use of same are provided herein. In some embodiments, a field enhanced inductively coupled plasma processing system may include a process chamber having a dielectric lid and a plasma source assembly disposed above the dielectric lid. The plasma source assembly includes one or more coils configured to inductively couple RF energy into the process chamber to form and maintain a plasma therein, one or more electrodes configured to capacitively couple RF energy into the process chamber to form the plasma therein, wherein the one or more electrodes are electrically coupled to one of the one or more coils, and an RF generator coupled to the one or more inductive coils and the one or more electrodes. In some embodiments, a heater element may be disposed between the dielectric lid and the plasma source assembly.

    摘要翻译： 本文提供了场增强电感耦合等离子体反应器的实施例及其使用方法。 在一些实施例中，场增强感应耦合等离子体处理系统可包括具有电介质盖和设置在电介质盖上方的等离子体源组件的处理室。 等离子体源组件包括一个或多个线圈，其配置成将RF能量感应耦合到处理室中以在其中形成和维持等离子体，一个或多个电极被配置为将RF能量电容耦合到处理室中以在其中形成等离子体，其中， 或多个电极电耦合到所述一个或多个线圈中的一个，以及耦合到所述一个或多个感应线圈和所述一个或多个电极的RF发生器。 在一些实施例中，加热器元件可以设置在电介质盖和等离子体源组件之间。

    ETCHING LOW-K DIELECTRIC OR REMOVING RESIST WITH A FILTERED IONIZED GAS
    125.
    发明申请
    ETCHING LOW-K DIELECTRIC OR REMOVING RESIST WITH A FILTERED IONIZED GAS 审中-公开
    用过滤的气体蚀刻低K电介质或去除电阻

    公开(公告)号：US20100270262A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：US12765855

    申请日：2010-04-22

    申请人： Hiroji HANAWA ,  Kartik Ramaswamy

    发明人： Hiroji HANAWA ,  Kartik Ramaswamy

    IPC分类号： C23F1/02 ,  H01B13/00

    CPC分类号： G03F7/427 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

    摘要： A method of etching a low-k dielectric on, or removing resist from, a substrate. In the method, the substrate is placed in a process zone. An ionized gas is generated in a gas ionization zone above the process zone, by introducing a process gas into a gas ionization zone, maintaining the process gas at a pressure of less than about 0.1 mTorr, and coupling RF energy to the process gas to form an ionized gas. The ionized gas is passed through an ion filter to form a filtered ionized gas. The substrate is exposed to the filtered ionized gas to etch the low-k dielectric layer on the substrate or to remove or clean remnant resist on the substrate.

    摘要翻译： 蚀刻基底上的低k电介质或去除抗蚀剂的方法。 在该方法中，将基板放置在处理区中。 在工艺区域上方的气体离子化区域中产生电离气体，通过将工艺气体引入气体离子化区域，将工艺气体保持在小于约0.1mTorr的压力，并将RF能量耦合到工艺气体以形成 电离气体。 电离气体通过离子过滤器以形成过滤的电离气体。 将衬底暴露于经过滤的电离气体以蚀刻衬底上的低k电介质层或去除或清洁衬底上的残余抗蚀剂。