公开(公告)号：US20060049812A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11179782

申请日：2005-07-12

Applicant: Alexandre Pons ,  Fabienne Grigis

Inventor： Alexandre Pons ,  Fabienne Grigis

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F1/575

Abstract: A low dropout voltage (LDO) regulator comprises an output stage (EtS) of the amplifier (AMP), which has a main output and n auxiliary outputs which can respectively deliver a main control voltage (VGPRINC) and n auxiliary control voltages (VG1, . . . , VGn); and a power stage (EtP) which has a main power transistor (PmosPrinc), controlled at its gate by the main control voltage (VGPRINC), and p power modules (module 1, . . . , module n) of identical layout with p less than or equal to n, respectively having p auxiliary power transistors (PMos1, . . . , PMosn) each controlled at their gate by p auxiliary control voltages (VG1, . . . , VGn). The number p is selected as a function of an intended maximum output current.

Abstract translation: 低压降电压（LDO）调节器包括放大器（AMP）的输出级（EtS），其具有主输出和n个辅助输出，其可以分别传递主控制电压（V SUB GPIN） 和N个辅助控制电压（V S1，...，V Gn N）; 以及功率级（EtP），其具有主功率晶体管（PmosPrinc），其主栅极受到主控制电压（V SUB）和p功率模块（模块1，...， 分别具有p个小于或等于n的p个相同布局的模块n），分别具有p个辅助功率晶体管（PMOS 1，...，PMosn），每个辅助功率晶体管（PMos 1，...，PMosn）通过p个辅助控制电压（V SUB G1 >，...，V＆gt; Gn）。 数字p被选择为预期的最大输出电流的函数。