公开(公告)号：US08536623B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13571949

申请日：2012-08-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Jae-won Lee ,  Hyo-ji Choi

发明人： Jun-youn Kim ,  Jae-won Lee ,  Hyo-ji Choi

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) includes a substrate, an HEMT stack spaced apart from the substrate, and a pseudo-insulation layer (PIL) disposed between the substrate and the HEMT stack. The PIL layer includes at least two materials having different phases. The PIL layer defines an empty space that is wider at an intermediate portion than at an entrance of the empty space.

摘要翻译： 高电子迁移率晶体管（HEMT）包括衬底，与衬底间隔开的HEMT堆叠以及设置在衬底和HEMT堆叠之间的伪绝缘层（PIL）。 PIL层包括具有不同相的至少两种材料。 PIL层定义了一个空间，它在中间部分比在空间的入口处更宽。