公开(公告)号：US06824937B1

公开(公告)日：2004-11-30

申请号：US10161450

申请日：2002-05-31

申请人： Chris Haidinyak

发明人： Chris Haidinyak

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G06T7/001 ,  G03F1/36 ,  G03F1/44 ,  G03F1/68 ,  G06T2207/30148

摘要： For determining optimum optical proximity corrections (OPCs) for a mask pattern, mask areas are formed on a reticle with each mask area having the mask pattern of polygons that are modified with respective OPCs perturbations. A respective patterned area is fabricated on a semiconductor wafer from each mask area of the reticle. A respective microscopy image of each respective patterned area is generated to determine a respective error function for each mask area by comparing a desired image of the mask pattern and the respective microscopy image. The optimum OPCs are determined as the respective OPCs perturbations corresponding to one of the mask areas having the respective error function that is a minimum of the mask areas.

摘要翻译： 为了确定用于掩模图案的最佳光学邻近校正（OPC），掩模区域形成在掩模版上，每个掩模区域具有用相应的OPCs扰动修改的多边形的掩模图案。 在半导体晶片上从掩模版的每个掩模区域制造相应的图案化区域。 通过比较掩模图案的期望图像和相应的显微镜图像，产生每个相应图案化区域的相应显微镜图像以确定每个掩模区域的相应误差函数。 将最佳OPC确定为对应于具有作为掩模区域的最小值的相应误差函数的掩模区域之一的相应OPCs扰动。