公开(公告)号：US07675786B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11898709

申请日：2007-09-14

申请人： Sang-jin Park ,  In-jun Hwang ,  Jae-woong Hyun ,  Yoon-dong Park ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-min Shin ,  Sang-moo Choi ,  Ju-hee Park

发明人： Sang-jin Park ,  In-jun Hwang ,  Jae-woong Hyun ,  Yoon-dong Park ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-min Shin ,  Sang-moo Choi ,  Ju-hee Park

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： A semiconductor memory device may include a semiconductor substrate, a control gate electrode recessed in the semiconductor substrate, a storage node layer between the control gate electrode and the semiconductor substrate, a tunneling insulating layer between the storage node layer and the semiconductor substrate, a blocking insulating layer between the storage node layer and the control gate electrode, and first and second channel regions surrounding the control gate electrode and separated by a pair of opposing separating insulating layers. A method of operating the semiconductor memory device may include programming data in the storage node layer by charge tunneling through the blocking insulating layer, thus achieving relatively high reliability and efficiency.

摘要翻译： 半导体存储器件可以包括半导体衬底，凹入半导体衬底中的控制栅电极，控制栅电极和半导体衬底之间的存储节点层，存储节点层和半导体衬底之间的隧穿绝缘层， 存储节点层和控制栅电极之间的绝缘层以及围绕控制栅电极并由一对相对的分隔绝缘层隔开的第一和第二沟道区。 操作半导体存储器件的方法可以包括通过阻塞绝缘层进行电荷隧穿而在存储节点层中编程数据，从而实现相对较高的可靠性和效率。

公开(公告)号：US20090071934A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12219987

申请日：2008-07-31

申请人： Sang-moo Choi ,  Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park

发明人： Sang-moo Choi ,  Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park

IPC分类号： B44C1/22 ,  B05D3/10 ,  C23C14/08 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： Crystalline aluminum oxide layers having increased energy band gap, charge trap memory devices including crystalline aluminum oxide layers and methods of manufacturing the same are provided. A method of forming an aluminum oxide layer having an increased energy band gap includes forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower film, introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and crystallizing the amorphous aluminum oxide layer including the H or OH.

摘要翻译： 提供具有增加的能带隙的结晶氧化铝层，包括结晶氧化铝层的电荷陷阱存储器件及其制造方法。 形成具有增加的能带隙的氧化铝层的方法包括在下膜上形成无定形氧化铝层，将氢（H）或羟基（OH）引入到无定形氧化铝层中，并使非晶态氧化铝 层包括H或OH。

公开(公告)号：US20090067247A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12232082

申请日：2008-09-10

申请人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol ,  Ki-hwan Choi ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

发明人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol ,  Ki-hwan Choi ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3413 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3486

摘要： A method of programming a nonvolatile memory device may include applying a program voltage to a memory cell. A supplementary pulse may be applied to the memory cell to facilitate thermalization of charges after the application of the program voltage. A recovery voltage may be applied to the memory cell after the application of the supplementary pulse. A program state of the memory cell may be verified using a verification voltage after the application of the recovery voltage.

摘要翻译： 非易失性存储器件的编程方法可以包括将程序电压施加到存储单元。 补充脉冲可以施加到存储器单元，以便在施加编程电压之后促进电荷的热化。 在施加补充脉冲之后，可以将复原电压施加到存储单元。 可以在施加恢复电压之后使用验证电压来验证存储器单元的编程状态。

公开(公告)号：US20090021979A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12007012

申请日：2008-01-04

申请人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

发明人： Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Sang-moo Choi

IPC分类号： G11C11/40 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/404 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/792

摘要： Provided are a gate stack, a capacitorless dynamic random access memory (DRAM) including the gate stack and methods of manufacturing and operating the same. The gate stack for a capacitorless DRAM may include a tunnel insulating layer on a substrate, a first charge trapping layer on the tunnel insulating layer, an interlayer insulating layer on the first charge trapping layer, a second charge trapping layer on the interlayer insulating layer, a blocking insulating layer on the second charge trapping layer, and a gate electrode on the blocking insulating layer. The capacitorless DRAM may include the gate stack on the substrate, and a source and a drain in the substrate on both sides of the gate stack.

摘要翻译： 提供了一种栅极堆叠，包括栅极堆叠的无电容动态随机存取存储器（DRAM）及其制造和操作的方法。 用于无电容器DRAM的栅极堆叠可以包括衬底上的隧道绝缘层，隧道绝缘层上的第一电荷俘获层，第一电荷俘获层上的层间绝缘层，层间绝缘层上的第二电荷俘获层， 第二电荷俘获层上的阻挡绝缘层，以及阻挡绝缘层上的栅电极。 无电容器DRAM可以包括衬底上的栅极堆叠，以及栅极叠层两侧的衬底中的源极和漏极。

公开(公告)号：US08062978B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12219987

申请日：2008-07-31

申请人： Sang-moo Choi ,  Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park

发明人： Sang-moo Choi ,  Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： Crystalline aluminum oxide layers having increased energy band gap, charge trap memory devices including crystalline aluminum oxide layers and methods of manufacturing the same are provided. A method of forming an aluminum oxide layer having an increased energy band gap includes forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower film, introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and crystallizing the amorphous aluminum oxide layer including the H or OH.

摘要翻译： 提供具有增加的能带隙的结晶氧化铝层，包括结晶氧化铝层的电荷陷阱存储器件及其制造方法。 形成具有增加的能带隙的氧化铝层的方法包括在下膜上形成无定形氧化铝层，将氢（H）或羟基（OH）引入到无定形氧化铝层中，并使非晶态氧化铝 层包括H或OH。

公开(公告)号：US08000150B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12213323

申请日：2008-06-18

申请人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park

发明人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3468 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3481 ,  G11C2211/5621

摘要： A method of programming a memory device may include applying a program voltage to a memory cell of the memory device and consecutively applying a plurality of verifying voltages to the memory cell. The verifying voltages may be consecutively applied with a same voltage magnitude after applying the program voltage. The verifying voltages may be consecutively applied with sequentially decreasing magnitudes after applying the program voltage.

摘要翻译： 编程存储器件的方法可以包括将程序电压施加到存储器件的存储器单元并将多个验证电压连续地应用于存储器单元。 验证电压可以在施加编程电压之后以相同的电压幅度连续施加。 验证电压可以在施加编程电压之后依次降低幅值。

公开(公告)号：US20090050954A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12071351

申请日：2008-02-20

申请人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jung-hun Sung

发明人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jung-hun Sung

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/40117

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of manufacturing the non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a charge trap layer having a crystalline material. In the method, a tunneling insulating layer is formed on a substrate, and a crystalline charge trap layer is formed on the tunneling insulating layer.

摘要翻译： 提供了非易失性存储器件和制造非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括具有结晶材料的电荷陷阱层。 在该方法中，在基板上形成隧道绝缘层，在隧道绝缘层上形成结晶电荷陷阱层。

公开(公告)号：US20090027961A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12081569

申请日：2008-04-17

申请人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol

发明人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/10

摘要： A non-volatile memory cell programming method is provided. A memory cell programming method of programming 2-bit data in a memory cell having 4 threshold voltage distributions may comprise: a first program operation of programming a first bit of the 2-bit data in the memory cell by applying a first programming voltage to the memory cell; a second program operation of programming a second bit of the 2-bit data in the memory cell by applying a second programming voltage to the memory cell; and a stabilization operation of applying a stabilization voltage having an electric field opposite in polarity to an electric field formed by the first and second programming voltages to the memory cell after one of the first and second program operations that corresponds to a higher one of the first and second programming voltages is performed.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储单元编程方法。 一种用于在具有4个阈值电压分布的存储单元中编程2位数据的存储单元编程方法可以包括：通过向第一编程电压施加第一编程电压来对存储单元中的2位数据的第一位进行编程的第一编程操作 记忆体; 第二编程操作，通过向存储单元施加第二编程电压来对存储器单元中的2位数据的第二位进行编程; 以及在第一和第二编程操作中的一个对应于第一和第二编程电压中较高的一个的第一和第二编程操作之一之后，将具有与第一和第二编程电压形成的电场的极性相反的电场的稳定电压施加到存储单元的稳定操作 并执行第二编程电压。

公开(公告)号：US20080316820A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12213323

申请日：2008-06-18

申请人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park

发明人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3468 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3481 ,  G11C2211/5621

摘要： Provided is a method of programming a memory device. The method includes performing a program voltage applying operation; and performing a verifying operation, wherein a plurality of verifying operations are consecutively performed after a program voltage applying operation.

摘要翻译： 提供了一种对存储器件进行编程的方法。 该方法包括执行编程电压施加操作; 以及执行验证操作，其中在编程电压施加操作之后连续执行多个验证操作。

公开(公告)号：US20080142878A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11978577

申请日：2007-10-30

申请人： Sang-moo Choi ,  Young-Kwan Cha ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-Jin Park ,  Sang-min Shin ,  Ju-hee Park

发明人： Sang-moo Choi ,  Young-Kwan Cha ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-Jin Park ,  Sang-min Shin ,  Ju-hee Park

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/513 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/785

摘要： Provided are a charge trap memory device and a method of manufacturing the same. The charge trap memory device may comprise a gate structure including a plurality of metal oxide nanodots discontinuously arranged as a charge trap site on a substrate.

摘要翻译： 提供了一种电荷陷阱存储器件及其制造方法。 电荷陷阱存储器件可以包括栅极结构，其包括不连续地布置在衬底上的电荷陷阱位置的多个金属氧化物纳米点。