公开(公告)号：US07566608B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11285555

申请日：2005-11-22

申请人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Methods of forming a zirconium hafnium oxide thin layer on a semiconductor substrate by supplying tetrakis(ethylmethylamino)zirconium ([Zr{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAZ) and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium ([Hf{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAH) to a substrate are provided. The TEMAZ and the TEMAH may be reacted with an oxidizing agent. The thin layer including zirconium hafnium oxide may be used for a gate insulation layer in a gate structure, a dielectric layer in a capacitor, or a dielectric layer in a flash memory device.

摘要翻译： 通过供应四（乙基甲基氨基）锆（[Zr（N（C 2 H 5）（CH 3）} 4]，TEMAZ）和四（乙基甲基氨基）铪（[Hf（N（C 2 H 5））的方式在半导体衬底上形成氧化锆铪薄膜 ）（CH 3）} 4]，TEMAH）。 TEMAZ和TEMAH可与氧化剂反应。 包括氧化铪的薄层可以用于栅极结构中的栅极绝缘层，电容器中的电介质层或闪存器件中的介电层。

公开(公告)号：US20060063346A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11149708

申请日：2005-06-10

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a reactant is provided onto the substrate to form a preliminary layer. Atoms in the preliminary layer are partially removed from the preliminary layer using plasma formed from an inert gas such as an argon gas, a xenon gas or a krypton gas, or an inactive gas such as an oxygen gas, a nitrogen gas or a nitrous oxide gas to form a desired layer. Processes for forming the desired layer may be simplified. A highly integrated semiconductor device having improved reliability may be economically manufactured so that time and costs required for the manufacturing of the semiconductor device may be reduced.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装载到室中之后，将反应物提供到衬底上以形成预备层。 使用由诸如氩气，氙气或氪气等惰性气体形成的等离子体或氧气，氮气或一氧化二氮等惰性气体，从预备层中部分除去原料中的原子 气体形成所需层。 可以简化用于形成所需层的工艺。 可以经济地制造具有提高的可靠性的高度集成的半导体器件，从而可以减少制造半导体器件所需的时间和成本。

公开(公告)号：US20060014384A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11140552

申请日：2005-05-27

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a first reactant is provided onto the substrate. The first reactant is partially chemisorbed on the substrate. A second reactant is introduced into the chamber to form a preliminary layer on the substrate by chemically reacting the second reactant with the chemisorbed first reactant. Impurities in the preliminary layer and unreacted reactants are simultaneously removed using a plasma for removing impurities to thereby form the layer on the substrate. The impurities in the layer may be effectively removed so that the layer may have reduced leakage current.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装入腔室之后，在衬底上提供第一反应物。 第一反应物被部分化学吸附在基材上。 将第二反应物引入室中以通过使第二反应物与化学吸附的第一反应物发生化学反应在衬底上形成预备层。 使用用于除去杂质的等离子体同时除去预备层中的杂质和未反应的反应物，从而在基板上形成层。 可以有效地去除层中的杂质，使得该层可能具有减小的漏电流。

公开(公告)号：US20050170601A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11059449

申请日：2005-02-17

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor including a dielectric structure, a lower electrode may be formed on a substrate. The dielectric structure may be formed on the lower electrode, and may include a first thin film, which may improve a morphology of the dielectric structure, and a second thin film, which may have at least one of an EOT larger than that of the first thin film and a dielectric constant higher than that of the first thin film. An upper electrode may be formed on the dielectric structure, and the dielectric structure may have an improved morphology and/or a higher dielectric constant.

摘要翻译： 可以在基板上形成包括电介质结构的电容器，下部电极。 电介质结构可以形成在下电极上，并且可以包括可以改善电介质结构的形态的第一薄膜和可以具有大于第一薄膜的EOT中的至少一个的第二薄膜 薄膜和比第一薄膜高的介电常数。 可以在电介质结构上形成上电极，并且电介质结构可以具有改进的形态和/或更高的介电常数。

公开(公告)号：US07425493B2

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：US11059449

申请日：2005-02-17

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor including a dielectric structure, a lower electrode may be formed on a substrate. The dielectric structure may be formed on the lower electrode, and may include a first thin film, which may improve a morphology of the dielectric structure, and a second thin film, which may have at least one of an EOT larger than that of the first thin film and a dielectric constant higher than that of the first thin film. An upper electrode may be formed on the dielectric structure, and the dielectric structure may have an improved morphology and/or a higher dielectric constant.

摘要翻译： 可以在基板上形成包括电介质结构的电容器，下部电极。 电介质结构可以形成在下电极上，并且可以包括可以改善电介质结构的形态的第一薄膜和可以具有大于第一薄膜的EOT中的至少一个的第二薄膜 薄膜和比第一薄膜高的介电常数。 可以在电介质结构上形成上电极，并且电介质结构可以具有改进的形态和/或更高的介电常数。

公开(公告)号：US07402491B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11261737

申请日：2005-10-28

申请人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/11521

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device can include forming a tunnel oxide layer on a substrate, forming a floating gate on the tunnel oxide layer and forming a dielectric layer pattern on the floating gate using an ALD process. The dielectric layer pattern can include a metal precursor that includes zirconium and an oxidant. A control gate can be formed on the dielectric layer pattern. The semiconductor device can include the dielectric layer pattern provided herein.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成隧道氧化物层，在隧道氧化物层上形成浮栅，并使用ALD工艺在浮栅上形成电介质层图案。 介电层图案可以包括包含锆和氧化剂的金属前体。 可以在电介质层图案上形成控制栅极。 半导体器件可以包括本文提供的电介质层图案。

公开(公告)号：US07279392B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US11046876

申请日：2005-02-01

申请人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/00

CPC分类号： C23C16/45529 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： A thin film structure and a capacitor using the film structure and methods for forming the same. The thin film structure may include a first film formed on a substrate using a first reactant and an oxidant for oxidizing the first reactant. A second film may be formed on the first film to suppress crystallization of the first film. A capacitor may include a dielectric layer, which may further include the first thin film and the second thin film.

摘要翻译： 薄膜结构和使用该薄膜结构的电容器及其形成方法。 薄膜结构可以包括使用第一反应物和用于氧化第一反应物的氧化剂在基底上形成的第一膜。 可以在第一膜上形成第二膜以抑制第一膜的结晶。 电容器可以包括电介质层，其可以进一步包括第一薄膜和第二薄膜。

公开(公告)号：US08492251B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13596339

申请日：2012-08-28

申请人： Jong-Hoon Kang ,  Bong-Jin Kuh ,  Tae-Gon Kim ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Chul Kim ,  Eun-Young Jo

发明人： Jong-Hoon Kang ,  Bong-Jin Kuh ,  Tae-Gon Kim ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Chul Kim ,  Eun-Young Jo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045

摘要： A thin layer structure includes a substrate, a blocking pattern that exposes part of an upper surface of the substrate, and a single crystalline semiconductor layer on the part of the upper surface of the substrate exposed by the pattern and in which all outer surfaces of the single crystalline semiconductor layer have a crystallographic orientation. The thin layer structure is formed by an SEG process in which the temperature is controlled to prevent migration of atoms in directions towards the central portion of the upper surface of the substrate. Thus, sidewall surfaces of the layer will not be constituted by facets.

摘要翻译： 薄层结构包括衬底，暴露衬底的上表面的一部分的阻挡图案以及在衬底的上表面部分上的单晶半导体层，其中所述衬底的所有外表面 单晶半导体层具有<100>晶体取向。 薄层结构由SEG工艺形成，其中控制温度以防止原子沿着朝向衬底上表面的中心部分的方向迁移。 因此，该层的侧壁表面将不由小平面构成。

公开(公告)号：US08815697B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13478450

申请日：2012-05-23

申请人： Jun-Ho Yoon ,  Bong-Jin Kuh ,  Ki-Chul Kim ,  Gyung-Jin Min ,  Tae-Jin Park ,  Sang-Ryol Yang ,  Jung-Min Oh ,  Sang-Yoon Woo ,  Young-Sub Yoo ,  Ji-Eun Lee ,  Jong-Sung Lim ,  Yong-Moon Jang ,  Han-Mei Choi ,  Je-Woo Han

发明人： Jun-Ho Yoon ,  Bong-Jin Kuh ,  Ki-Chul Kim ,  Gyung-Jin Min ,  Tae-Jin Park ,  Sang-Ryol Yang ,  Jung-Min Oh ,  Sang-Yoon Woo ,  Young-Sub Yoo ,  Ji-Eun Lee ,  Jong-Sung Lim ,  Yong-Moon Jang ,  Han-Mei Choi ,  Je-Woo Han

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L27/108 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10852

摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor device having a capacitor. The method includes forming a composite layer, including sequentially stacking on a substrate alternating layers of first through nth sacrificial layers and first through nth supporting layers. A plurality of openings that penetrate the composite layer are formed. A lower electrode is formed in the plurality of openings. At least portions of the first through nth sacrificial layers are removed to define a support structure for the lower electrode extending between adjacent ones of the plurality of openings and the lower electrode formed therein, the support structure including the first through nth supporting layers and a gap region between adjacent ones of the first through nth supporting layers where the first through nth sacrificial layers have been removed. A dielectric layer is formed on the lower electrode and an upper electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 提供一种制造具有电容器的半导体器件的方法。 该方法包括形成复合层，包括顺序地堆叠在第一至第n牺牲层和第一至第n支撑层上的交替层上的衬底上。 形成贯穿复合层的多个开口。 在多个开口中形成下电极。 去除第一至第n牺牲层的至少部分以限定在多个开口中相邻的开口和形成在其中的下电极之间延伸的下电极的支撑结构，支撑结构包括第一至第n支撑层和间隙 在第一至第n个支撑层中相邻的第一至第n个牺牲层已被去除之间的区域。 在下电极上形成介电层，在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：US20130005110A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13478450

申请日：2012-05-23

申请人： Jun-Ho Yoon ,  Bong-Jin Kuh ,  Ki-Chul Kim ,  Gyung-Jin Min ,  Tae-Jin Park ,  Sang-Ryol Yang ,  Jung-Min Oh ,  Sang-Yoon Woo ,  Young-Sub Yoo ,  Ji-Eun Lee ,  Jong-Sung Lim ,  Yong-Moon Jang ,  Han-Mei Choi ,  Je-Woo Han

发明人： Jun-Ho Yoon ,  Bong-Jin Kuh ,  Ki-Chul Kim ,  Gyung-Jin Min ,  Tae-Jin Park ,  Sang-Ryol Yang ,  Jung-Min Oh ,  Sang-Yoon Woo ,  Young-Sub Yoo ,  Ji-Eun Lee ,  Jong-Sung Lim ,  Yong-Moon Jang ,  Han-Mei Choi ,  Je-Woo Han

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10852

摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor device having a capacitor. The method includes forming a composite layer, including sequentially stacking on a substrate alternating layers of first through nth sacrificial layers and first through nth supporting layers. A plurality of openings that penetrate the composite layer are formed. A lower electrode is formed in the plurality of openings. At least portions of the first through nth sacrificial layers are removed to define a support structure for the lower electrode extending between adjacent ones of the plurality of openings and the lower electrode formed therein, the support structure including the first through nth supporting layers and a gap region between adjacent ones of the first through nth supporting layers where the first through nth sacrificial layers have been removed. A dielectric layer is formed on the lower electrode and an upper electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 提供一种制造具有电容器的半导体器件的方法。 该方法包括形成复合层，包括顺序地堆叠在第一至第n牺牲层和第一至第n支撑层上的交替层上的衬底上。 形成贯穿复合层的多个开口。 在多个开口中形成下电极。 去除第一至第n牺牲层的至少部分以限定在多个开口中相邻的开口和形成在其中的下电极之间延伸的下电极的支撑结构，支撑结构包括第一至第n支撑层和间隙 在第一至第n个支撑层中相邻的第一至第n个牺牲层已被去除之间的区域。 在下电极上形成介电层，在电介质层上形成上电极。