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11.发明授权Methods of forming a multilayer capping film to minimize differential heating in anneal processes 有权形成多层封盖膜以最小化退火工艺中的差分加热的方法公开(公告)号：US07767509B2
公开(公告)日：2010-08-03
申请号：US11692366
申请日：2007-03-28
申请人： Mark Liu , Rob James , Jake Jensen , Karson Knutson
发明人： Mark Liu , Rob James , Jake Jensen , Karson Knutson
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/26513 , H01L29/66575
摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those methods may include implanting the source/drain region, forming a multilayer cap on the source/drain region, annealing the source/drain region, and removing the multilayer cap.
摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括注入源极/漏极区域，在源极/漏极区域上形成多层帽，退火源极/漏极区域以及去除多层帽盖。
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12.发明申请METHODS OF FORMING A MULTILAYER CAPPING FILM TO MINIMIZE DIFFERENTIAL HEATING IN ANNEAL PROCESSES 有权形成多层覆膜的方法，以最小化临床过程中的差异性加热公开(公告)号：US20080242038A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：US11692366
申请日：2007-03-28
申请人： Mark Liu , Rob James , Jake Jensen , Karson Knutson
发明人： Mark Liu , Rob James , Jake Jensen , Karson Knutson
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/26513 , H01L29/66575
摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those methods may include implanting the source/drain region, forming a multilayer cap on the source/drain region, annealing the source/drain region, and removing the multilayer cap.
摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括注入源极/漏极区域，在源极/漏极区域上形成多层帽，退火源极/漏极区域以及去除多层帽盖。
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